光发送原理精品课件

1、光发送原理第1页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.1 半导体光源的物理基础5.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带1. 孤立原子的能级原子是由原子核和围绕原子核旋转的电子构成。围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值，只能取特定的离散值，这种现象称为电子能量的量子化。第2页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 半导体的能带在大量原子相互靠近形成半导体晶体时，由于半导体晶体内部电子的共有化运动，使孤立原子中离散能级变成能带。在图5.2中，半导体内部自由运动的电子(简称自由电子)所填充的能带称为导带；价电子所填充的能带称为价带；导带和价带之间不允许电子填充

2、，所以称为禁带，其宽度称为禁带宽度，用Eg表示，单位为电子伏特(eV)。第3页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.2 半导体的能带结构第4页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.1.2 光与物质的相互作用1. 自发辐射处于高能级的电子状态是不稳定的，它将自发地从高能级(在半导体晶体中更多是指导带的一个能级)运动(称为跃迁)到低能级(在半导体晶体中更多是指价带的一个能级)与空穴复合，同时释放出一个光子。由于不需要外部激励，所以该过程称为自发辐射。第5页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一根据能量守恒定律，自发辐射光子的能量为：h12=

3、E2-E1式中：h为普朗克常数，其值为6.62610-34Js；12为光子的频率；E2为高能级能量；E1为低能级能量。第6页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 受激辐射在外来光子的激励下，电子从高能级跃迁到低能级与空穴复合，同时释放出一个与外来光子同频、同相的光子。由于需要外部激励，所以该过程称为受激辐射。3. 受激吸收在外来光子激励下，电子吸收外来光子能量而从低能级跃迁到高能级，变成自由电子。第7页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.1.3 粒子数反转分布状态1. 粒子数正常分布状态在热平衡状态下，高能级上的电子数要少于低能级上电子数。第8页，共

4、52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 粒子数反转分布状态为了使物质发光，就必须使其内部的自发辐射和/或受激辐射几率大于受激吸收的几率，这一点我们已经在介绍光与物质的相互作用过程中提及过。有多种方法可以实现能级之间的粒子数反转分布状态，这些方法包括光激励方法、电激励方法等。第9页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.2 半导体光源的工作原理5.2.1 发光二极管的工作原理半导体发光二极管(Light-emitting Diode，LED)基本应用GaAlAs和InGaAsP材料，可以覆盖整个光纤通信系统使用波长范围，典型值为0.85m、1.31m及1.55m

5、。第10页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一1. 发光二极管的类型结构按照器件输出光的方式，可以将发光二极管分为三种类型结构：表面发光二极管、边发光二极管及超辐射发光二极管。2. 发光二极管的工作原理(1) LED的能带结构第11页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一(2) LED的工作原理LED的工作原理可以归纳如下：当给LED外加合适的正向电压时，Pp结之间的势垒(相对于空穴)和Np结之间的势垒(相对于电子)降低，大量的空穴和电子分别从P区扩散到p区和从N区扩散到p区(由于双异质结构，p区中外来的电子和空穴不会分别扩散到P区和N区)，在有源区形成粒子数

6、反转分布状态，最终克服受激吸收及其他衰减而产生自发辐射的光输出。第12页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.2.2 激光二极管的工作原理在结构上，半导体激光二极管(Laser Diode，LD)与其他类型的激光器是相同的，都主要由三部分构成：激励源、工作物质及谐振腔。第13页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一1. 激光二极管的类型结构(1) 常用激光二极管的类型结构在双异质结构的LD中，通常采用具有横模限制作用的激光二极管结构，这种激光二极管称为条形激光二极管(Stripe Laser Diode，SLD)或窄区激光二极管。一种增益波导型激光二极管的类

7、型结构如图5.6所示，图中虚线之间的部分为电流流经的区域。第14页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.6 一种扩散条形激光二极管第15页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一一种折射率波导型激光二极管的结构如图5.7所示。图5.7 拱棱波导条形激光二极管第16页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一(2) 单频激光二极管一般地，普通激光二极管只能工作于多纵模状态，其增益峰值附近的数个模式携带着大部分的输出光功率。 分布反馈机理激光二极管在分布反馈(Distributed Feedback，DFB)机理激光二极管中，通过谐振腔和具有频率选择

8、反馈功能的光栅共同完成反馈作用。第17页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一 耦合腔激光二极管模式选择也可以采用耦合腔结构实现，其基本机理为：虽然两个谐振腔具有各自不同的振荡纵模，但是当两个谐振腔放在一起构成耦合腔(或复合腔)时，这时只有两个谐振腔中相同的纵模才能成为耦合腔的振荡纵模，再加上增益谱的作用，最终实现了模式选择功能。第18页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一 量子阱激光二极管出现较晚的量子阱(Quantum Well，QW)激光二极管，已经在实际系统尤其是相干传输系统和波分复用系统中得到广泛应用。 波长可调谐单频激光二极管波长可调谐单频激光二极

9、管是波分复用系统、相干光通信系统及光交换网络的关键器件，其主要性能指标包括调谐速度和波长调谐范围。第19页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 激光二极管的工作原理(1) LD的能带结构在结构上，LD与LED的主要区别是LD有谐振腔，而LED没有谐振腔。(2) LD的工作原理LD的工作原理可以归纳如下：当给LD外加适当的正向电压时，由于有源区粒子数的反转分布而首先发生自发辐射现象，第20页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一那些传播方向与谐振腔高反射率界面垂直的自发辐射光子会在有源层内部边传播、边发生受激辐射放大(其余自发辐射光子均被衰减掉)，直至传播到

10、高反射率界面又被反射回有源层，再次向另一个方向传播受激辐射放大。如此反复，直到放大作用足以克服有源层和高反射率界面的损耗后，就会向高反射率界面外面输出激光。第21页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.3 光源的工作特性5.3.1 LED的工作特性1. P-I特性LED的P-I特性如图5.11所示。就P-I特性曲线整体而言，由于没有阈值而使LED具有非常优良的线性。第22页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.11 LED的P-I特性第23页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 光谱特性LED的光谱特性如图5.12所示。在图中，0

11、为LED的峰值工作波长(典型值为0.85m、1.31m和1.55m)；为谱线宽度，其定义为光强度下降到最大值一半时对应的波长宽度。第24页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.12 LED的光谱特性第25页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一3. 调制特性在一级近似和平均工作电流不变的条件下，发光二极管的输出功率与调制信号频率的关系为：式中：P (0)是频率为0时LED输出的光功率值；e是有源区少数载流子的寿命。第26页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一4. 温度特性温度特性主要影响到LED的平均发送光功率、P-I特性的线性及工作波长

12、。5.3.2 LD的工作特性1. LD的P-I特性LD的P-I特性如图5.13所示。就P-I特性曲线整体而言，由于存在阈值现象，整体线性不如LED。第27页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.13 LD的P-I特性第28页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一从P-I特性还可以引出两个基本参数：微分量子效率和功率转换效率。微分量子效率可以定义为输出光子数的增量与注入电子数的增量之比，表达式为：式中：P为发送光功率增量，I为驱动电流增量。曲线越陡，微分量子效率越大。第29页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一功率转换效率定义为输出光功率与

13、消耗的电功率之比，可以表示为：式中：V是PN结的正向电压；Rs是LD的串联电阻(包括半导体材料的体电阻和接触电阻)。第30页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 光谱特性LD的光谱特性如图5.14所示。在图中，0为LED的峰值波长(典型值为0.85m、1.31m和1.55m)；为谱线宽度，其定义为纵模包络或主模光强度下降到最大值一半时对应的波长宽度。第31页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.14 LD的光谱特性第32页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一3. 调制特性在对LD进行直接调制时，激光二极管的输出功率与调制信号频率的关

14、系为：式中：P(0)是频率为0时LD输出的光功率值；fr为LD的类共振频率，是LD的阻尼因子。第33页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一4. 温度特性与LED比较，温度主要对LD的阈值电流、输出光功率及峰值工作波长影响较大。为了降低温度对LD的影响，可以采用两种方法：选择温度特性优异的新型LD，或通过一个外加的自动温度控制电路，使LD的温度特性能够满足系统的要求。第34页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.3.3 光源的主要技术指标及简易检测1. 光源的主要技术指标几种国产半导体光源的主要技术指标如表5.1所示。第35页，共52页，2022年，5月20

15、日，3点38分，星期一第36页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 光源器件的简易检测在没有任何测试仪表或测试手段的情况下，可以通过PN结的测试来初步判断光源器件的好坏。第37页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一5.4 光 发 送 机5.4.1 光调制原理1. 光调制方式分类(1) 按照光源与调制信号的关系分类根据光源与调制信号的关系，可以将光源的调制方式分为直接调制方式和外部(或间接)调制方式。所谓直接调制方式，是指直接将调制信号施加在光源上来完成光源参数的调制过程。第38页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一(2) 按照已调制信号

16、的性质分类根据已调制信号的性质，可以将光源的调制方式分为模拟调制方式和数字调制方式。 模拟调制方式是指已调制信号属于模拟信号，这种调制方式主要包括强度调制(Intensity Modulation，IM)方式、振幅调制(Amplitude Modulation，AM)方式、双边带抑制载波(Double Sideband/Suppressing Carrier，DSB/SC)调制方式、单边带(Single Sideband，SSB)调制方式及残余边带(Vestigial Sideband，VSB)调制方式。第39页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一数字调制方式是指已调制信号属

17、于数字信号，这种调制方式主要包括幅移键控(Amplitude-shifted Keying，ASK)调制方式、频移键控(Frequency-shifted Keying，FSK)调制方式及相移键控(Phase-shifted Keying，PSK)调制方式等。第40页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 已调制信号表达式由于其他调制方式应用极少，因此我们在这里仅仅给出用电场表示的、常用强度调制方式的已调制信号表达式：式中：KT为与发送光功率有关的正常数；m为调制系数(0m1)；x(t)为归一化幅度的调制信号波形；c为光载波角频率，0为初相位。第41页，共52页，2022年

18、，5月20日，3点38分，星期一5.4.2 光发送机的构成及指标1. 光发送机构成一般地，光发送机主要由光源、驱动电路及辅助电路等构成。第42页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 光发送机的主要指标光发送机的指标很多，我们仅从应用的角度介绍其主要指标。(1) 平均发送光功率及其稳定度平均发送光功率又称为平均输出光功率，通常是指光源尾巴光纤的平均输出光功率。第43页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一(2) 消光比消光比定义为最大平均发送光功率与最小平均发送光功率之比，通常用符号EX表示：若用相对值表示，则为第44页，共52页，2022年，5月20日，3

19、点38分，星期一5.5 驱动电路和辅助电路5.5.1 驱动电路1. 对驱动电路的要求一个优良的驱动电路应该满足以下条件：(1) 能够提供较大的、稳定的驱动电流；(2) 有足够快的响应速度，最好大于光源的驱动速度；(3) 保证光源具有稳定的输出特性。第45页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一2. 驱动电路的工作原理能够满足上述要求的、最简单的驱动电路是共发射极驱动电路，如图5.16所示。共发射极驱动电路的工作原理如下所述：当输入数据信号为“0”时，晶体三极管VT处于截止状态，LED中没有电流流过，因此LED不发光；当输入数据信号为“1”时，晶体三极管VT工作于饱和状态，LED中有较大的电流流过，所以LED发光。第46页，共52页，2022年，5月20日，3点38分，星期一图5.16 共射极驱动电路第47页，共52页，2022年，