材料物理题库

1、材料物理导论题库D. C AuD. Fei-yOA. 7B. D. C AuD. Fei-yOA. 7B. %下列非化学计量化合物属于阳离子缺位型的是A. TiO2B.Zn1+ O c. CaF?*间隙杂质的主要决定因素是8、9、1、下列物理量属于微观量的是【】A.温度B.体积C.速度D.分子质量2、将宏观量与微观量联系起来的是A.普朗克常数B.密、度C.浓度D.阿伏伽德罗常数【】3、【】一个量子态可以容纳自旋方向相反的费术子的数量是4、5、A. 一个B.两个C.无数个D. 不能确定【】下夕列微观粒子属于费术子的是A.光子B.电子下列不属于准粒子的是C.声子D.H原子6、7、A.声子B.激子下

2、列哪个粒子属于玻色子A.质子B.光子下列哪种符号表示的是空位缺陷C.电子C.中子D.磁子D.电子【】C. Zn i晶体结构类型B.体积效应C.化学键性质 D.电价差异10、所需活化能最小的扩散机制是【】空位机制B.推填子机制 C.间隙机制 D.易位机制11、 关于材料热容的影响因素，下列说法中不正确的是【】热容是一个与温度相关的物理量，因此需要用微分来精确定义。实验证明，高温下化合物的热容可由柯普定律描述。德拜热容模型已经能够精确描述材料热容随温度的变化。材料热容与温度的精确关系一般由实验来确定。12、 能增大多晶体的热导率的是【】A.晶粒尺寸大 B.晶界多C.缺陷多 D.杂质多13、 关于热

3、膨胀，下列说法中不正确的是【】各向同性材料的体膨胀系数是线膨胀系数的三倍。各向异性材料的体膨胀系数等于三个晶轴方向热膨胀系数的加和。热膨胀的微观机理是由于温度升高，点缺陷密度增高引起晶格膨胀。由于本质相同，热膨胀与热容随温度变化的趋势相同。14、 下面列举的磁性中属于强磁性的是【】A.顺磁性 B.亚铁磁性C.反铁磁性 D.抗磁性15、下列哪项是铁磁性x 15、下列哪项是铁磁性x -T的相互关系【】16、杂质原子使纯金属的电导率A.升高B.降低 C.先升后降D.先降后升17、下列哪项是非平衡载流子A. n0B. poC. nD. n18、如左图对应的吸收过程是本征吸收激子吸收杂质吸收自由载流子吸

4、收19、300K时Si的Eg=1.12eV，如左图，下列关于P在Si中说法正确的是F_A.浅能级，0.044eV三五EB.深能级，0.044eVC.浅能级，1.076eVlD.深能级，1.076eV20、20、如左图的发光现象属于的发光类型是光致发光电致发光阴极射线发光高能粒子发光二填空题1、晶体产生弗伦克尔缺陷时，晶体体，晶体密度；而有肖特基缺陷时，晶体体 ，晶体密度。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，是主要的；两种离子半径相差大时，是主要的。2、在图下方写出缺陷名称缺陷缺陷3、关于固体材料的热容，爱因斯坦模型认为：晶体中每一个原子都是一个独立的振子，原 子之间彼此无关，原子以 的频

5、率振动；德拜模型考虑到晶体中原子的相互作用，认为晶体中对热容的主要贡献。三、应用题1、CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷，写出缺陷反应式。2、CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中去而出现点缺陷，写出缺陷反应式。3、高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，写出缺陷反应式。4、高温结构材料Al2O3可以用MgO来促进Al2O3的烧结，写出缺陷反应式。四、简答题1、温度对热容有何影响？2、温度对热导率有何影响？3、半导体导电与金属导电的差别有哪些？4、为什么金属的电阻因温度升高而增大，而半导体的电阻却因温度的升高而减小？5、用磁结构图说明材料的五种磁性。6、太阳电池的基本工作

6、原理。五、论述题1、利用原子势能曲线的不对称性解释热膨胀是晶格振动非简谐效应所引起的。2、解释固体材料声子热导机理及晶体结构对热导的影响。六、计算题1、令T=300K，计算比费米能级高3kBr的能级被电子占据的概率。（已知e 2。）2、假设某种材料的费米能级为6.25eV，并且这种材料中的电子遵守费米分布，计算在低于 费米能级0.30eV处，温度为何值时能级为空的概率为1%。3、如果MgO晶体中，含有百万分之一 mol的Al2O3杂质，则在MgO晶体中杂质缺陷浓度 是多少。4、 在CaF2晶体中，缺陷形成能为2.58eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在27C时热 缺陷的浓度？(已知e50 =5.2 X1021)5、设电子迁移率为0.1cm2 /(V - s)，硅的电子有效质量m= 0.26m，如加以104V / cm的 电场，求电子的平均自由时间和平均自由城程。6、一快