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1、综合物理实验NVE AA005-02型巨磁电阻传感器特性研究与应用巨磁电阻传感器（GMR）各向异性磁电阻（anisotropic magneto resistance, AMR）效应材料。AMR电磁阻率变化低，在检测微弱磁场时受到限制。巨磁电阻（giant magneto resistance, GMR）效应是源于磁性金属的电子有自旋取向。GMR磁电阻变化率高，使它能传感微弱磁场，扩大了磁阻式传感器的测量范围和应用面。巨磁电阻传感器的原理磁性多膜层的巨磁电阻效应（GMR）的两流模型解释 反铁磁耦合时（外加磁场为0）处于高阻态的导电输运特性。电阻：R1/2巨磁电阻传感器的原理磁性多膜层的巨磁电阻

2、效应（GMR）的两流模型解释 外加磁场是该行多层薄膜处于饱和状态时相邻磁性层磁矩平行分布，而电阻处于低阻态的导电输运特性。电阻：R2R3/(R2+R3)R 2R1R3巨磁电阻传感器的原理 NVEAA005-02巨磁电阻（GMR）传感器原理 输出电压=输入电压*芯片性能说明 稳定的电压源型号选用应根据使用环境的磁场大小来决定 灵敏度与方向有关 S()=S(0)COS 外磁场为偶函数 电路原理（电源）C1 C2：滤波整形C3 C4：稳压输出放大器：同相减法器放大器：反相减法器放大器通过改变阻值实现对放大器放大倍数的改变。通过跳线控制电阻的并联。当R3 R4开路，放大倍数为120/30=4 倍；当R

3、3 R4闭合，并联电阻值为12K，放大倍数为120/12=10倍。由于运放为正负12V供电，因此10倍放大仅对小电压时有效。数据测量（传感器的线性感应区）测试过程中使用永磁铁作为磁源。数据测量（传感器的线性感应区） 传感器对磁场感应的线性区约为0-80Gs，即小于8mT。Helmholtz线圈 Helmholtz线圈中心磁场强度的计算：实验中中心点磁场的计算公式为： 数据测量（对小磁场的感应 ）数据测量（对小磁场的感应 ）数据测量（对小磁场的感应 ）本实验使用Helmholtz线圈来测量微弱的变化磁场。利用Helmholtz线圈通入电流时在对称点附近产生一个均匀的磁场，记录其中通过的电流，可以计算出其产生的磁场。数据测量（对较大磁场的感应 ）数据测量（对较大磁场的感应 ）数据测量（对较大磁场的感应 ）实验中采用霍尔效应仪作为磁源，产生可调范围在0-250mT的磁场以供测量。实验结论 Nveaa005-02型传感器，有足够大的灵敏度。测量的最小磁场为10-6(T)量级，最大的测量值为80高斯（8mT）。此芯片线性度很好，从测量数据中可以看到 从080Gs都表现了很好的线性。对磁场的方向也极为敏感。背景噪声较大。测量很大磁场时，线性度不好。GMR的应用可以用来测

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