低频电子线路

1、低频电子线路山东大学 信息科学与工程学院刘志军9/5/20221低频电子线路回顾上节课内容双极型晶体三极管双极型晶体管的导电原理晶体管电流分配关系和放大晶体三极管的放大作用9/5/20222低频电子线路本节课内容双极型晶体管的伏安特性曲线三极管主要参数晶体管命名法9/5/20223低频电子线路1.3.3 双极型晶体管的伏安特性曲线BJT的伏安特性曲线 是指其各极电压与电流的关系。不同的放大器特性曲线内容意义不同。9/5/20224低频电子线路网络端口特性将晶体管视为二端口网络，则特性曲线应有两组，即输入端和输出端的特性曲线。vBEvCEiBiC+9/5/20225低频电子线路 输入特性曲线（图

2、） iBvBE0vCE=01v9/5/20226低频电子线路输入特性曲线表达式9/5/20227低频电子线路输入特性曲线分析VCE增大时，曲线略有右移，到一定程度则不再变化。这是管子的基调效应。9/5/20228低频电子线路输出特性曲线（图） Ic(mA)vCE(V)0击穿区截止区饱和区工作区9/5/20229低频电子线路输出特性曲线表达式9/5/202210低频电子线路输出特性曲线分析有四个区饱和区工作区截止区击穿区9/5/202211低频电子线路饱和区 eb结 和 cb结 均为正偏。 管子完全导通，其正向压降很小。 相当一个开关“闭合（Turn on）”。9/5/202212低频电子线路工

3、作区 eb结 正偏，cb结 反偏 。 这是管子的正常放大状态。 此时具有“恒流特性”。 9/5/202213低频电子线路截止区 eb结和cb结 均为反偏。 管子不通，相当于一个“开关”打开（Turn off）。 管子的cb结 承受大的 反向电压。9/5/202214低频电子线路击穿区 管子被反向电压（太大）击穿。 管子的 PN结特性破坏。9/5/202215低频电子线路注意厄利电压 （基调效应）。截止区对应 iB =ICBO 曲线以下区域。iC 电流增大，略有增大。工作区的恒流特性和厄利电压有关。9/5/202216低频电子线路1.3.4 三极管主要参数管子参数 是衡量晶体管质量好坏和选择管子

4、的主要依据。9/5/202217低频电子线路1. 电流放大参数 电流放大参数用以衡量管子的放大性能。9/5/202218低频电子线路 共基直流电流放大参数9/5/202219低频电子线路共基交流电流放大参数9/5/202220低频电子线路共射直流电流放大参数 9/5/202221低频电子线路共射交流电流放大参数 9/5/202222低频电子线路管子的取值 放大状态 一般取 = 3060。 太小 的管子放大不足。 太大 的管子工作不稳定。9/5/202223低频电子线路2.极间反向电流极间反向电流 是指管子各电极之间的反向漏电流参数。9/5/202224低频电子线路C、B间反向饱和漏电流 9/5

5、/202225低频电子线路 管子C、E间反向饱和漏电流9/5/202226低频电子线路管子反向饱和漏电流硅管比锗管小。此值与本征激发有关。取决于温度特性（少子特性）。9/5/202227低频电子线路3.极限参数使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。9/5/202228低频电子线路集电极最大允许电流ICM 留有一定的余量。ICM 指下降到额定值的2/3时 的IC值。9/5/202229低频电子线路集电极最大允许功耗PCM 击穿区的功率损耗线（见下图）9/5/202230低频电子线路集电极最大允许功耗PCM（图） vCE0击穿区iB9/5/202231低频电子线路反向击穿电压9/5/

6、202232低频电子线路反向击穿电压另有 VCEOVCER VCES9/5/202233低频电子线路极限参数以上介绍的三个极限参数 PCM ICM V（BR）CEO所限定的区域称为晶体管安全工作区。9/5/202234低频电子线路 1.8 晶体管命名法1、国产半导体分立元件标准 （国标）2、国产半导体集成电路标准（国标）9/5/202235低频电子线路1、国产半导体分立元件标准 （国标）中国国家标准（GB24974）规定的中国半导体器件型号命名方法9/5/202236低频电子线路中国半导体器件命名法第一部分：用数字表示器件的电极数目第二部分：用汉语拼音字母表示材料和 极性第三部分：用汉语拼音字

7、母表示器件的 类型第四部分：用数字表示器件序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号9/5/202237低频电子线路第一部分用数字表示器件的电极数目符号和意义2 二极管3 三极管9/5/202238低频电子线路第二部分用汉语拼音字母表示材料和极性9/5/202239低频电子线路第二部分（二极管） A N型锗材料B P型锗材料C N型硅材料D P型硅材料9/5/202240低频电子线路第二部分（三极管）A PNP型 锗材料B NPN型 锗材料C PNP型 硅材料D NPN型 硅材料E 化合物 材 料 9/5/202241低频电子线路第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型P 普通管V 微波管W 稳压管C

8、 参量管9/5/202242低频电子线路第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光电器件K开关管9/5/202243低频电子线路第三部分X 低频小功率管 （f3MHz, Pc1W）G 高频小功率管 （f3MHz,Pc1W）D 低频大功率管 （f3MHz,Pc1W）A 高频大功率管 （f3MHz,Pc1W）9/5/202244低频电子线路第三部分T 闸流管（可控整流器）Y 体效应器件B 雪崩管J 阶跃恢复管CS 场效应管BT 特殊器件FH 复合管PIN PIN型管JG 激光器件9/5/202245低频电子线路第三部分注：有些半导体器件（如场效应管、特殊器件、复合管、

9、PIN型管、激光器件等）的型号第三部分只有其中的三、四、五部分9/5/202246低频电子线路第四部分用数字表示器件序号9/5/202247低频电子线路第五部分用汉语拼音字母表示规格号9/5/202248低频电子线路示 例锗PNP型高频小功率三极管 3 A G 11 C 规格号 序号 高频小功率 PNP型锗材料 三极管9/5/202249低频电子线路示例 CS 2 B 规格号 序号 场效应器件9/5/202250低频电子线路日本半导体型号标准日本工业标准（JIS-C-7012）规定的日本半导体分立器件型号命名方法由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及意义见实验讲义。9/5/202251低频

10、电子线路示例 2 S A 495 JEIA登记号 PNP高频管 JEIA注册产品 三极管9/5/202252低频电子线路示例 2 S C 502 A 2SC502改进型 JEIA登记号 NPN高频管 JEIA注册产品 三极管9/5/202253低频电子线路欧洲半导体器件型号命名法欧洲各国（德国、法国、意大利、荷兰等和匈牙利、罗马尼亚、波兰等国家），大都是用国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名法。这种命名法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义见实验讲义。9/5/202254低频电子线路示例 B T X64 200 最大反向峰值电压200伏 专用器件登记号 大功率可控硅 硅材料 9/5/2

11、02255低频电子线路美国半导体型号命名方法美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法规定，半导体分立器件型号由五部分组成。第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及其意义见实验讲义。9/5/202256低频电子线路示例 JAN 2 N 3553 登记号 注册标志 三极管 军用品9/5/202257低频电子线路示例 2 N 1050 C 2N1050的C档 EIA登记号 EIA注册标志 非军用品9/5/202258低频电子线路2、国产半导体集成电路标准 第一部分：用字母表示器件符号（国标）第二部分：用字母表示器件类型第三部分：用阿拉伯 数字表示器件

12、系列 和品种代号第四部分：用字母表示器件的工作温度范围第五部分：用字母表示器件的封装9/5/202259低频电子线路第一部分 C （中国制造） 9/5/202260低频电子线路第二部分用字母表示器件类型T TTLH HTLE ECLC CMOS9/5/202261低频电子线路第二部分（续）F 线性放大器D 音响电视电路W 稳压器J 接口电路B 非线性电路M 存储器 微机电路 9/5/202262低频电子线路第三部分第三部分：用阿拉伯 数字表示器件系列9/5/202263低频电子线路第四部分用字母表示器件的工作温度范围C 0 70 CE 40 85 CR 55 85 CM 55 125 C9/5

13、/202264低频电子线路第五部分用字母表示器件的封装 W 陶管扁平 B 塑料扁平 F 全密封扁平 D 陶瓷直插 P 塑料直插 J 黑陶瓷直插 K 金属菱形 T 金属圆形 -9/5/202265低频电子线路实例CF 0741 CT线性通用运放 070 C 金属圆形封装9/5/202266低频电子线路实例 CC 14512 MFCMOS 8选一数据选择器 55 125 C 全密封扁平封装9/5/202267低频电子线路欧洲集成电路型号命名法欧洲各国生产的集成电路绝大部分按欧洲电子联盟规定命名。9/5/202268低频电子线路欧洲集成电路型号基本规律型号由三部分组成。9/5/202269低频电子线

14、路第一部分由三个字母组成， 第一个字母表示无线电类； 第二个字母表示使用范围，如表示070，表示 55125， 表示 2570。 第三个字符没有特殊规定。9/5/202270低频电子线路第二部分由阿拉伯数字组成，表示器件的序号及类型。9/5/202271低频电子线路第三部分是尾标，表示封装形式。通常有两种：一种是用一个字母表示。如：表示圆柱型；表示塑料双列；表示陶瓷双列；表示四列引线；表示扁平；表示芯片。 另一种用两个字母表示，第一个字母表示封装形式，如表示柱行；表示双列引线；表示功率双列引线；表示扁平双列引线；表示扁平四列引线；表示菱形；表示多重引线；表示带散热片国率性四列引线；表示三列引线。第二个字母表示封装材料，如：C表示金属陶瓷；P表示塑料；G表示玻璃陶瓷。9/5/202272低频电子线路实例TDA 0161 DP 塑料双列封装(第三部分) 感应开关集成电路(第二部分) 法国汤姆逊公司生产(第一部分)9/5/202273低频电子线路国外厂家型号美国仙童公司 A、F美国国民半导体公司 LF、LM、LH美国模拟器件公司 AD日本松下 AH日本东芝 TA、TC美国国家半导体公司 LM9/5/2022