T∕ZZB 2675-2022 TVS用硅单晶研磨片

1、ICS 29.045CCS H 82团体T/ZZB 26752022TVS 用硅单晶研磨片Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS2022 - 04 - 13 发布2022 - 05 - 13 实施浙江省品牌建设联合会发 布爛爛T/ZZB 26752022目次 HYPERLINK l _bookmark0 前言II HYPERLINK l _bookmark1 1 范围1 HYPERLINK l _bookmark2 2 规范性引用文件1 HYPERLINK l _bookmark3 3 术语和定义2 HYPERLINK l _bookm

2、ark4 4 产品分类2 HYPERLINK l _bookmark5 5 基本要求2 HYPERLINK l _bookmark6 6 技术要求2 HYPERLINK l _bookmark7 7 试验方法5 HYPERLINK l _bookmark8 8 检验规则6 HYPERLINK l _bookmark9 9 标志、包装、贮存和运输7 HYPERLINK l _bookmark10 10 订货单（或合同）内容8 HYPERLINK l _bookmark11 11 质量承诺8 I T/ZZB 26752022前言本文件按照GB/T 1.12020化工作导则第1部分：化文件的结构和起

3、草规则的规定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由浙江省品牌建设联合会提出并归口。 本文件由浙江省质量合格评定协会牵头组织制定。本文件主要起草单位：浙江海纳半导体有限公司。 本文件参与起草单位（排名不分先后）：浙江旭盛电子有限公司、浙江众晶电子有限公司、浙江星宇能源科技有限公司、浙江华盛模具科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、浙江省质量合格评定协会、开化县检验检测研究院、衢州职业技术学院。 本文件主要起草人：沈益军、肖世豪、潘金平、陈洪、饶伟星、张立安、史少礼、黄云龙、詹玉峰、陈锋、牛小群、楼鸿飞、张超、汪新华、许琴、程富荣、苏文霞、冯

4、小娟、梁奎、余天威。 本文件评审专家组长：金勇。 本文件由浙江省质量合格评定协会负责解释。II T/ZZB 26752022TVS 用硅单晶研磨片范围本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、125 mm、150 mm的硅单晶研磨片。 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不

5、注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 2828.12012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及

6、硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 12962 硅单晶 GB/T 129632014 电子级多晶硅 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26068 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微

7、波反射光电导衰减法GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 1 T/ZZB 26752022GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 28 硅片包装 术语和定义GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1瞬态电压抑制二极管transient voltage suppressor是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏，简称TVS。 产品分类硅片按导电类型分

8、为 N 型、P 型两种。 硅片的掺杂剂类型分为硼（B）、磷（P）两种。 硅片按表面取向可分为100、111。 基本要求设计研发应具备产品全生命周期的设计能力和制程能力，包括产品设计、配方设计、生产流程设计、工艺设计以及设备和工装设计等。 应具备关键技术研发能力，涉及直拉单晶硅生长技术、线切割加工技术、双面研磨加工技术、化学清洗技术研发等，包括基于 PLC 的温度自动控制、生长速度自动控制、转速自动控制、线速自动控制、基于 CCD 的直径自动控制、以及基于红外感应的厚度自动控制等技术研发。 原材料原材料多晶硅应满足 GB/T 129632014 第 4.2 条中电子 2 级要求。 原材料多晶硅应

9、满足 GB/T 26572 对限用物质限量的要求。 工艺及装备应采用半导体硅单晶生长炉、金刚线切割机、双面研磨机、清洗机等自动化设备。 应具备硅片自动分选仪，可实现硅片电阻率和厚度的精准分档和自动分片。 检验检测应具备少数载流子寿命、氧含量、碳含量、位错密度、表面取向、导电类型、电阻率、直径、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度等指标的检测能力。 技术要求2 T/ZZB 26752022理化性能硅片的掺杂剂类型分为硼（B）、磷（P）两种。硅片的少数载流子寿命、氧含量、碳含量及晶体完整性应符合表 1 的规定。 表1理化性能项目 指标要求 少数载流子寿命，s 100 氧含量，atoms/cm3 8.0

10、1017 碳含量，atoms/cm3 11016 位错密度，个/cm2 10 表面取向及其偏离度应符合下列要求： 硅片的表面取向可分为100、111。 硅片的表面取向偏离度可分为正晶向和偏晶向两种： 正晶向：偏离度为 00.25。 偏晶向：对111硅片，有主参考面的，硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最邻近的方向偏 2.50.25或 4.00.25。 电学性能硅片的导电类型分为N型、P型两种。硅片的电阻率及径向电阻率变化应符合GB/T 12962第5.2条的规定。 几何参数硅片的几何参数应符合表2的规定。 表2几何参数项目 指标要求 直径，mm 100 125 150 直径允许偏差，mm 0.

11、2 0.2 0.2 厚度（中心点），m 200 250 300 厚度允许偏差，m 5 5 5 总厚度变化，m 2 2 3 弯曲度，m 15 15 20 翘曲度，m 30 30 35 主参考面长度，mm 2.5 2.5 2.5 副参考面长度，mm 2.0 2.5 2.5 基准标记硅片的参考面取向及位置应符合表3的规定，如图1所示。硅片是否制作副参考面由供需双方协商确定。 3 T/ZZB 26752022表3主、副参考面取向及位置导电类型 表面取向 主参考面取向a 副参考面 P 100 1101 与主参考面成 905 N 100 1101 与 主 参 考 面 成 ： 1805(直径不大于 125

12、mm)； 1355(直径 150 mm) P 111 1101 无 N 111 1101 与主参考面成 455 a 对于（100）晶面的硅片，可允许等效110的面是（01 1 ）、（011）、（0 1 1）和（0 1 1 ）晶面。对于（111）晶面的硅片，可允许等效110的面是（1 1 0）、（01 1 ）和（ 1 01）晶面。 a） P 型 100b）N 型100，直径不大于 125mm c） N 型 100 , 直径 150mmd） P 型111图1硅片的主、副参考面位置4 T/ZZB 26752022e） N 型111图1（续） 边缘轮廓硅片边缘圆周上的所有点应处于使用YS/T 26测量

13、模板的清晰区域内，且硅片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物。 表面质量硅片应无崩边。 硅片不允许有裂纹、缺口。 硅片经清洗干燥后，表面应洁净、无色斑、无沾污。 硅研磨片表面应无划伤、无线痕。 试验方法少数载流子寿命测量按 GB/T 1553 或GB/T 26068 的规定进行，仲裁方法按 GB/T 1553 的规定进行。 硅单晶氧含量的测量按 GB/T 1557 的规定进行。 硅单晶碳含量的测量按 GB/T 1558 的规定进行。 位错密度按 GB/T 1554 的规定进行。 表面取向及其偏离度的测试按 GB/T 1555 的规定进行。 导电类型的测试按 GB/T 1550 的规定进行。

14、 电阻率的测试按 GB/T 1551 中的直排四探针法或 GB/T 6616 的规定进行。仲裁时按照 GB/T 1551中的直排四探针法进行。 径向电阻率变化的测试按 GB/T 11073 的规定进行。 直径的测量按 GB/T 14140 的规定进行。 厚度和总厚度变化的测量按 GB/T 6618 或 GB/T 29507 的规定进行，仲裁时按 GB/T 29507 的规定进行。 弯曲度的测量按 GB/T 6619 的规定进行。 翘曲度的测量按 GB/T 6620 或 GB/T 32280 的规定进行，仲裁时按 GB/T 32280 的规定进行。 主、副参考面长度的测量按 GB/T 13387

15、 的规定进行。 主参考面取向的测试按 GB/T 13388 的规定进行。 副参考面的位置使用角度尺测量。 5 T/ZZB 26752022边缘轮廓的检验按 YS/T 26 的规定进行。 表面质量的检验按 GB/T 6624 的规定进行，必要时使用相应精度的工具测量。 检验规则检验分类检验分为出厂检验和型式检验。 出厂检验组批产品以成批的形式提交验收，每批应由同一牌号、相同规格的硅片组成。 检验项目每批产品对应的检测项目见表4。 表4检验分类和检验项目序号 检验项目 出厂检验 型式检验 技术要求 试验方法 1 少数载流子寿命，s - 6.1 7.1 2 氧含量，atoms/cm3 - 6.1 7

16、.2 3 碳含量，atoms/cm3 - 6.1 7.3 4 位错密度，个/cm2 - 6.1 7.4 5 表面取向及其偏离度 6.1 7.5 6 导电类型 6.2 7.6 7 电阻率 6.2 7.7 8 径向电阻率变化 6.2 7.8 9 直径，mm 6.3 7.9 10 直径允许偏差，mm - 6.3 7.9 11 厚度（中心点），m 6.3 7.10 12 厚度允许偏差，m - 6.3 7.10 13 总厚度变化，m 6.3 7.10 14 弯曲度，m 6.3 7.11 15 翘曲度，m 6.3 7.12 16 主参考面长度，mm 6.3 7.13 17 副参考面长度，mm 6.3 7.

17、13 18 主参考面取向 - 6.4 7.14 19 副参考面位置 - 6.4 7.15 20 边缘轮廓 - 6.5 7.16 21 表面质量 6.6 7.17 6 T/ZZB 26752022抽检每批产品的检验取样按GB/T 2828.12012中一般检查水平，正常检查一次抽样方案进行。 检验结果的判定导电类型、表面取向及其偏离度的检验结果中若有一片不合格，则判该批产品为不合格。其他检验项目的合格质量水平（AQL）见表5。 表5接收质量限序号 检验项目 接收质量限（AQL） 1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 直径 1.0 4 厚度 1.0 5 总厚度变化 1.0 6 弯曲度

18、 1.0 7 翘曲度 1.0 8 参考面长度(主参考面直径) 2.5 9 主参考面取向 1.0 10 副参考面位置 2.5 11 表面质量 崩边 1.0 裂纹、缺口 1.0 色斑 1.0 沾污 1.5 线痕 1.0 划伤 2.0 累计 2.5 型式检验有以下情形都应进行型式检验： 新产品或老产品转厂生产试制的定型鉴定； 产品结构、工艺、原材料有重大改变并可能影响到产品性能时； 产品停产半年以上，重新恢复生产时； 出厂检验结果和最近一次型式检验结果有较大差异时； 质量监督机构提出型式检验要求时。 型式检验抽检项目按表 5 要求的规定。 抽样规则：型式检验每年一次，抽取 5 片，如果有一片不合格即判为不合格。 标志、包装、贮存和运输7 T/ZZB 26752022标志包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识，并标明： 供方名称； 产品名称、牌号； 产品数量。 包装硅片包装按YS/T 28的规定执行。 贮存产品应贮存在清洁、干燥的环境中。