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文档简介
1、国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会投资要点(行业评级:增持)1、基础设施:芯片国产替代加速,中国在5G网络建设上不断增加全球竞争力。一、数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈下芯片 国产替代加速:数据爆发时代,存储器景气拐点来临;5G+AI引领信号链芯片大创新。半导体设备和材料已成为全球博弈的关键环 节。作为大国重器的芯片,中美科技博弈下国产替代加速。二、5G网络建设方面,中国高科技领域正进行第一次话语权争夺战。全 球5G建设如火如荼,中国已经取得领先地位,在芯片、网络、元器件和模组、主设备等环节,中国企业不断增加全球竞争力。2、终端硬件:智能硬件产业链迎来黄金发展期,新能源汽车是下一个
2、万亿级别的蓝海市场。一、从智能硬件到万物互联,大陆产 业链迎来黄金发展期。智能硬件加速爆发,穿戴之后还有AR,万物互联时代已经悄然来临。苹果即是从硬件到数据、从产品到服务 的典型案例。目前中国全产业链的全球竞争优势已逐步构建。二、新能源汽车是下一个万亿级别的兵家必争之地,价值链将重构, 电子化/智能化大幅推进,特斯拉已是行业第一个破局者。大陆供应链有望借新能源车东风实现弯道超车。3、新型应用:从视频物联网到工业互联网,视频的数据化应用或是AI的突破口。视屏物联网应用场景不断打开。工业互联网2B端 的爆发是下一个全球角逐的新蓝海。海康威视正从安防龙头进阶AI龙头。4、推荐标的:立讯精密、海康威视
3、、兆易创新、北方华创、中微公司、韦尔股份、闻泰科技、卓胜微、中芯国际、汇顶科技、生 益科技、沪电股份、鹏鼎控股、东山精密、蓝思科技、顺络电子、大华股份。5、风险提示:5G换机不及预期,半导体景气度不及预期,基站建设不及预期。23国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会目录PART A:基础设施篇一、芯片:数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈下国产替代加速数据爆发时代,存储器景气拐点来临5G+AI引领信号链芯片大创新关键环节:设备和材料的全球博弈大国重器,中美科技博弈下的国产替代加速存储:主流产品不断突破,利基市场深度布局制造:半导体核心制造环节,受益供应链转移有望崛起设备:大陆建厂潮下中国企
4、业的崛起机会设计:国产替代下信号链和电源链公司的黄金发展期二、网络:5G网络建设,中国高科技领域第一次话语权争夺战从1G到5G,中国第一次在通讯基础设施建设取得话语权全球5G建设如火如荼,中国已经取得领先地位中国5G网络建设,从芯片到主设备逐步构筑全球竞争力芯片:海外主导根本格局正被中国企业撕开缺口网络:制造环节已经构筑起全球竞争力元器件和模组:元器件和模组从低端到高端加速替代已经开始主设备:中国主设备商已经具备全球竞争力国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会目录PART B:终端硬件篇三、智能终端:从智能硬件到万物互联,大陆产业链迎来黄金发展期智能硬件加速爆发,穿戴之后还有AR万物互联
5、的时代已经悄然来临苹果:从硬件到数据,从产品到服务的典型案例全产业链的全球竞争优势已逐步构建四、新能源汽车:下一个万亿级别的兵家必争之地新能源汽车:下一个万亿级别的蓝海市场价值链重构,电子化/智能化大幅推进特斯拉:行业的第一个破局者大陆供应链有望借新能源车东风实现弯道超车PART C:新型应用篇五:从视频物联网到工业互联网,视频的数据化应用或是AI的突破口视屏物联网:从公安交通司法到工业医疗环境,应用场景不断打开工业互联网:2B端的爆发是下一个全球角逐的新蓝海海康威视:安防龙头到AI龙头的进阶之路4国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会PART A:基础设施篇5国泰君安证券2020年春季
6、投资策略线上交流会01芯片:数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈 下国产替代加速数据爆发时代,存储器景气拐点来临5G+AI引领信号链芯片大创新关键环节:设备和材料的全球博弈大国重器,中美科技博弈下的国产替代加速存储 制造 设备 设计6国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会01芯片:数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈 下国产替代加速数据爆发时代,存储器景气拐点来临5G+AI引领信号链芯片大创新关键环节:设备和材料的全球博弈大国重器,中美科技博弈下的国产替代加速存储 制造 设备 设计7国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会需求端:5G渗透带来数据量爆发同时拉动换机需求,加速新型应用落地。
7、对存储器主流市场和利基市场都有所贡献。(1)DRAM:20172021年DRAM需求量的CAGR将达到20%。(2)NAND: 传统以及深度学习等特殊服务器推动NAND需求。Yole预计全球NAND需求 量将从2017年的1830亿GB提高到2021年的6400亿GB 。(3)NOR: 汽车、工控、TWS、TDDI、AMOLED、5G基站建设对NOR Flash的需求拉动。以 TWS耳机为例,2019/2020/2021对NOR市场拉动:0.7/1.5/2亿美金。库存:目前NAND库存水平降至4至5周(去年同期为8至10周),同时DRAM库存开始恢复正常水平。数据来源:IHS,国泰君安证券研究
8、数据来源:wind ,国泰君安证券研究数据来源:wind ,国泰君安证券研究201320172021个人电脑 服务器 移动设备 特殊应用360亿Gb920亿Gb1800亿GbNOR Flash 2H19企稳回升, 景气度预计持续到2Q21Q42016Q22018Q42019Q22021NT 6.8B 32%NT 8.9B 45%6个季度NT 6.6B 34%NT 6.6B 27%NT 7.5B 27%NT 9.1B 42%NT 10B 35%NT 9.0B 28%NT 6.0B 25%NT 10.6B 43%NT 10.5B 38%6.0005.0004.0003.0002.0001.0000
9、.0002015-02-252016-02-252017-02-25现货平均价:NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLC2018-02-252019-02-252020-02现货平均价:NAND Flash:32Gb 4Gx8 MLC35,000.00030,000.00025,000.00020,000.00015,000.00010,000.0005,000.0000.0002015-01-052016-01-052017-01-052018-01-052019-01-052020-01-05NAND Flash 价格企稳,景气度有望回升2020年DRAM价格回升2013其他消费电
10、子20172021移动设备 固态硬盘 企业/云430亿GB1830亿GB6400亿GB5G+AI主流市场换机需求+服务 器需求提振库存底部利基市场扩大(汽车电子、 工控、可穿戴、 基站建设)DRAM容量需求提升8NAND容量需求提升数据爆发时代,存储器景气拐点来临数据爆发时代,存储器景气拐点来临1.1国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会DRAM:国外巨头三星,SK海力士和美光在2018年DRAM全球市场中占比分别为45.5%,29.1%,21.1%,基本垄断了DRAM市场。NAND Flash:据DRAMeXchange,2019Q3 NAND Flash产业营收达到约119亿美元。三
11、星营收达到39.87亿美元,占比达33.5%,排名第一;铠侠/西部数据以18.7%,13.7%的份额位居第二第三,美光、英特尔和SK海力士分别排第四五六名,共同瓜分市场99%的份额。NOR Flash:华邦与旺宏位列第一和第二,兆易创新占据11.2%市场份额,位列全球第五,有望持续引领国产突破。中国本土存储器消耗巨大,但主流产品几乎全部依赖进口。存储器进口额在2018年高达1092亿美元,国产替代空间广阔。数据来源:IDC,国泰君安证券研究2018年DRAM市场被三巨头垄断兆易创新Nor flash位列行业第五中国存储器进口依赖性高45.50%21.10%29.10%4.3%三星(韩)镁光(美
12、)SK海力士(韩)其它21.40%20.50%20.20%19.00%1.30%11.20%1.20% 5.40%赛普 亚讯华邦 镁光 晶豪旺宏兆易创新其它33.50%18.70%12.90%13.70%10.90%9.60% 0.70%三星西部数据 英特尔铠侠美光SK海力士227126013120681800109226%28%30%32%34%36%0100020003000NAND Flash市场份额99%集中在龙 头企业4000201620172018中国集成电路进口额(亿美元)中国存储器进口额(亿美元)9数据来源:CINNO,国泰君安证券研究数据来源:闪存市场,国泰君安证券研究数据来
13、源:DRAMeXchange ,国泰君安证券研究数据爆发时代,存储器景气拐点来临存储器行业格局:海外寡头高度垄断1.1国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会01芯片:数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈 下国产替代加速数据爆发时代,存储器景气拐点来临5G+AI引领信号链芯片大创新关键环节:设备和材料的全球博弈大国重器,中美科技博弈下的国产替代加速存储 制造 设备 设计10国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会数据来源:Yole(1)射频前端:5G手机兼容频段更多,对 射频前端PA/LNA/滤波器等需求量加倍。SiP高集成度需求更大,同时毫米波需求 催生AiP封装(天线+收发器+射频前
14、端)IDM优势或将进一步扩大,PA厂商与滤波器厂商合作需更紧密,从而推动全球射频产业并购与整合代工产能未来或面临紧缺叠加贸易摩擦,为三安 等厂商的国产替代迎来机会国内封测端技术先进,持续受益(2)天线:利用智能天线技术(如波束成 形或分集)同时多输入多输出技术加大天线 数量需求数量,LCP成为天线主流材料。价值量 更高高度 集成化5G带来射频前端模块SiP需求进一步提升5G手机单机射频前端价值量提升170%+数据来源:Gartner,国泰君安证券研究5G手机所需天线数量提升数据来源:Qorvo5G+AI引领信号链芯片大创新115G带来射频前端与天线变革,机遇与挑战并存1.2国泰君安证券2020
15、年春季投资策略线上交流会射频PA是射频前端重要组成部分,其多采用砷化镓工艺,其中稳懋是砷化镓代工龙头,全球市场份额达到58%。根据其法说会:公 司预测全球5G手机的渗透率2020年将达到1520%并于及2021年的超过30%的水平,因此可以推测今年5G将开始正式迈入成长期。 公司5G Cellular PA已于2019年下半年大量出货。值得注意的是,目前公司产能满载,毛利率在19Q4达到44.2%的新高峰,并且5,000片月产能扩充计划正如火如荼的进行,可以验证 公司看好5G带来为射频前端市场带来的增量需求。全球射频前端芯片市场保持快速增长:2017年,全球手机射频芯片市场达到153亿美元,根
16、据Yole预测,2023年,市场规模预计将突 破350亿美元,CAGR达到14%。同时5G射频前端芯片在总市场中占比快速提高,预计2022年达到25%。Win19Q4产能满载毛利率达到 历史最高水平逐步启动扩产5G拉动射频前端总市场增长5G射频前端芯片市场占比逐渐提高0501001502002503002017201820222G/3G/4G201920202021LTE Advanced/Pro5G4003503002502001501005002017 2018 2019 2020 2021 2022 2023手机RF前端芯片市场规模(亿美元)数据来源:Wind数据来源:Qorvo,国泰君
17、安证券研究数据来源:Yole,国泰君安证券研究125G+AI引领信号链芯片大创新从代工角度看射频前端市场需求趋势1.213国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会Murata 47%Taiyo Yodu 14%TDK21%Skyworks 9%SAW滤波器格局Qorvo 4% 其他 5%博通87%Taiyo Yodu 3%Qorvo 8%其他 2%Skyworks,Qorvo, 20%Murata, 14%Broadcom,BAW滤波器格局Qorvo, 28%博通,Skyworks, 25%40%Murata,3%射频PA格局射频开关格局其他, 4%卓胜微,其他, 5%10%总体国产化率低
18、,国内厂商分领域各自突破SAW国产替代加速开关进入全球前五PA数据来源:集微网,国泰君安证券研究开关/LNA国产化加速进行,滤波器与代工是国产化突破的难点和要点拥有射频模块中部分产品的 厂商(例如专门做PA和 LNA的卓胜微)代工厂(RF-SOI、GaAS、硅锗等工艺)第一梯队(IDM)供应全套射频前端IDM厂 商,以PAMiD模块等形式 出货(博通/Skyworks等)第二梯队(Fabless)手机处理器供应商通过自研+对外投资获得技术(海思 自研/MTK投资PA厂/高通收 购PA厂)第三梯队(Fabless或者IDM)5G+AI引领信号链芯片大创新美日主导射频前端市场,国内厂商分领域各自突
19、破1.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会数据来源: Wind,国泰君安证券研究数据来源:Strategy Analytics,国泰君安证 券研究1.878.2319.820.005.0010.0025.002G3G4G4.5倍2.5倍3.614.428.8428410015015015030030030045060010001200200020.00500015.001000020003000400050006000X5 X6 X7 X8 X9X10X12X16X20X24X50Gobi系列X系列数据来源:高通官网,国泰君安证券研究3G3G+/4G4G LTE/4G LTE Adv
20、.4.5G5G5G基带芯片设计复杂度提升,推动芯片单价上升:从2G/3G/4G芯片的单价对比来看,芯片单价为上一代的2-5倍,预计5G芯片也不例 外,同时5G的技术革命使得未来5G基带芯片的均价有望飙高,预计40美元(4G均价的2倍);同时规模效应使得芯片价格往往在试用 期偏高,之后逐年下降,因此合理预计5G初期即2020年基带芯片将迎来价格高峰。从高通业绩来看,其在3G/4G两次通信制升级中,业绩均出现高增长。高通历代基带芯片数据传输速率不断提升(Mb/s)2G/3G/4G芯片平均价格提升高通业绩在两次通信技术转换时期均出现可观成长145G+AI引领信号链芯片大创新5G带动基带芯片升级,性能
21、与价值量同步提升1.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会技术壁垒高:5G网络需要兼容2G/3G/4G,因此5G基带芯片 厂商还需要有2G/3G/4G上的通信技术积累。5G基带芯片从“外挂”走向与处理器实现SoC集成。(华为 麒麟990+巴龙5000;三星Exy980+MoDEM5123;联发科天 玑1000处理器+HelioM70)全球5强争霸,华为高通方案率先商用基带供 应商基带芯 片发布时 间制程 工艺详细性能参数商用机型高通骁龙X502017.1028n m5G单模基带芯片,支持毫米波及Sub 6GHz频段,最 高可以实现5Gbps下载速率Samsung Galaxy S10
22、OPPO Find X 5G版等骁龙X552019.027nm单芯片支持5G到2G多模,支持毫米波及Sub 6GHz 频段,最高可以实现7Gbps下载速率及3Gbps上传速 率,支持TDD和FDD运行模式,支持SA和NSA组网 方式未商用骁龙X602020.025nm球首个支持聚合全部主要频段及其组合的5G基带及 射频系统,支持5G SA、NSA双组网,支持毫米波、 Sub-6GHz(FDD/TDD)、5D TDD和FDD载波聚合 和动态频谱共享未商用华为Balong 50002019.017nm全球首款7nm工艺支持5G到2G多模芯片,毫米波频 段下最高可以实现6.5Gbps下载速率,Sub
23、 6GHz频 段下最高可以实现4.6Gbps下载速率,支持SA和 NSA组网方式华 为 Mate X Mate30 系列5G手机(基带集成到麒麟990Soc中)三星Exyno s 51002018.0810n m支持毫米波及Sub 6GHz频段,最高可以实现250MB/s 下 载 速 率 , 兼 容 CDMA/GSM/TD- SCDMA/WCDMA/LTE-FDD/LTE-TDD网络Galaxy S10 5G版Exyno s Mode m51232019.107nm支持Sub 6GHz和毫米波频段。Sub 6GHz可以达到 5.1Gbps的最大下行链路,而mmWave则可以达到 7.35Gbp
24、s。未商用(集成到Exynos980处理器中)MTKHelio M702018.067nm5G到2G多模基带芯片,Sub 6GHz频段下最高可以 实现4.7Gbps下载速率,支持SA和NSA组网方式未商用(集成到 天玑1000中)紫光展 锐春藤5102019.0212n m单芯片支持5G到2G多模,Sub 6GHz频段下最高可 以实现2.3Gbps下载速率,支持SA和NSA组网方式未商用1G2G3G数据来源:智东西,国泰君安证券研究154G5G数据来源:各公司官网,国泰君安证券研究5G+AI引领信号链芯片大创新基带芯片:高通华为领衔,技术壁垒高筑1.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流
25、会01芯片:数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈 下国产替代加速数据爆发时代,存储器景气拐点来临5G+AI引领信号链芯片大创新关键环节:设备和材料的全球博弈大国重器,中美科技博弈下的国产替代加速存储 制造 设备 设计16国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会量测设备光刻设备75%11%6%刻蚀设备45%22%21%15%15%离子注 入设备65%成膜设备40%10%清洗设备55%21%10%45%40%CMP设备60%10%荷兰美国日本主导 国家头部 供应 商27%20%6%4%6%10%23%投资额 占比国 内 厂 商数据来源:Gartner,各公司官网,国泰君安证券研究 备注:仅选取重
26、要的IC设备进行统计核心IC设备:巨头业务布局全面,美日荷主导市场关键环节:设备和材料的全球博弈171.3国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会数据来源:半导体行业观察,wind,集微网,国泰君安证券研究准入周期长不同材料的主流供应商不同种类繁多分散&集中每种材料 均呈现 寡头垄断日本在半导体材料中占据主导地位信越化学SUMCO凸版印刷株式会社印刷株式会社JSR株式会社TOK株式会社三菱瓦斯化学株式会社硅片掩膜版光刻胶半导体制造用化学药品半导体封装材料新光电气工业株式会社住友金属矿山株式会社全球市占率 第一全球市占率 第二半导体材料 综合制造商昭和电工住友化学株式会社集中:日本手握上游材
27、料“王牌”。虽然日本半导体制 造业以及存储器都出现不同程度的衰退,但是在半导体 材料行业具有长期且持续的主导优势,尤其是硅片/光 刻胶/电子气体领域,总体份额超过50%。分散:利基市场仍有机会。半导体材料种类多样,仅高 纯试剂就高达几十种,某些利基市场技术壁垒较容易实 现跨越,为其他非主流厂商切入供应链提供机会。半导体材料种类主要厂商前四大公司市占率硅片日本信越、日本SUMCO、德国Siltronic、韩国SunEdision74%特种气体美国气体化工、美国普莱克斯、日本昭和电工、英国BOC75%欧美BASF、霍尼韦尔、ATMI、杜邦37%超净高纯试剂日本公司关东化学、三菱化学、京都化工、住友
28、化学34%台湾地区和韩国公司东应化、脸仕电子、鑫林科技、东友17%光刻胶日本合成橡胶、东京日化、美国罗门哈斯、日本信越80%靶材JX/Nikko、Praxair、Honeywell、Tosoh80%抛光抛光垫美国陶氏化学、美国Cabot、InnoPad、Thomas West90%抛光液美国Cabot、美国陶氏化学、Hitachi Chemical、美国气体化工90%硅片以及硅基材,36.0%13.0%13.0%光刻胶配套试剂,7.0%抛光材料, 7.0%光掩模, 电子气体,光刻胶, 6.0%靶材, 2.5%湿化学品, 4.5%其他, 11.0%美国厂商在抛光材料和某些超纯试剂中领先数据来源:
29、EETime,国泰君安证券研究18晶圆制造材料市场份额占比(%)数据来源:Trendforce,国泰君安证券研究晶圆制造材料:分散与集中并存,“王牌”难易主关键环节:设备和材料的全球博弈1.3国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会01芯片:数据爆发驱动行业革新,中美科技博弈 下国产替代加速数据爆发时代,存储器景气拐点来临5G+AI引领信号链芯片大创新关键环节:设备和材料的全球博弈大国重器,中美科技博弈下的国产替代加速存储 制造 设备 设计19国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会三星亏损扩张策略抓住行业缺口数据来源:WSTS,国泰君安证券研究三星1990年实现DRAM技术反超重点扶
30、持助力技术攻关:1973年韩国宣布了 “重工业促进计划”开始,1975年公布扶持半 导体产业的六年计划。韩国电子电子通信研 究所牵头,联合三星、LG、现代三大集团 以及韩国六所大学,对DRAM进行技术攻关 该项目持续三年,研发费用达1.1亿美金。历史机遇:1987年美日半导体争端。日本退 让减产DRAM,适逢计算机普及浪潮,全球 256KDRAM缺口巨大,价格暴涨,韩国存储 业迎来历史机遇。反周期投资压垮对手,数轮洗牌坐上龙头宝 座: 1984年三星64K DRAM以一片净亏1美 元坚挺活下,90年代依然连续9年巨亏,97 年金融危机时负债率曾高达300%。韩国政 府和国内财团举国力挺三星,仅
31、政府就以优 惠利率先后提供了超过60亿美元的政策性贷 款,最终造就今日的辉煌。大基金投资存储器产业,国内企业 积极进行海外并购加速先进技术布 局(合肥长鑫收购奇梦达技术;北 京君正收购ISSI)国产存储崛起之路5G +AI风口利基市场需求超预期助力兆易 创新快速切入并持续爆发贸易摩擦关注供应链安全长江存储技术规划不走常路,量 产64层后,跳过96层,开展128 层 3D NAND 研发,加快追赶主流产品不断突破,利基市场深度布局20三星存储器崛起启示:多方助力国产存储器加速突破1.4.1国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会数据来源:公司官网,国泰君安证券研究合肥长鑫长江存储生产产品DD
32、R4LPDDR43D-NAND总投资额1500亿元1500亿元(一期)最新进度8Gb LPDDR4量产并且于2020.02 产品正式 上线开始对外供货目前量产64层,研发128 QLC人数1800人NA技术华亚科等(自主研发、购买大量专利,奇梦 达技术授权)中科院自主研发+美国技术团队主流DRAM技术突破 剑指1000亿美金大市场NAND flash切入650亿美金赛道NOR Flash(30亿美金)汽车工控DRAM(20亿美金)布局汽车工控DRAM领先收购高度控制利基市场兆易创新NOR 全球前五21国产存储器国产主流存储器不断突破,利基市场深度布局主流产品不断突破,利基市场深度布局大市场1.
33、4.1国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会48.10%19.10%7.20%8.40%2.10%4.50%1.70% 1.50%1.50% 5.90%台积电三星格芯联电中芯高塔力晶世界先进华虹其它台积电一家独大,晶圆代工市场份额过半。行业马太效应加剧,高资本投入与技术壁垒高企铸就台积电深厚护城河。据TrendForce,2019Q1台积电市场份额为48.1%,三星19.1%位列第二,中芯国际市场份额约4.5%位列第五。高端代工三星和台积电高度垄断,目前7nm工艺仅被两家掌握。台积电7nm已经量产,5nm进入爬坡提升良率阶段,预计2020年3月量产, 产能6070K。但是通过对目前代工景
34、气度以及国内厂商的经营模式分析,我们认为国产半导体制造业有望进一步崛起。台积电同时具备高市占率与高毛利率台积电一骑绝尘独占半壁江山数据来源: TrendForce ,国泰君安证券研究数据来源:IC Insights,国泰君安证券研究22半导体核心制造环节,受益供应链转移有望崛起IC制造:台积电一家独大,先进制程高度垄断1.4.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会目前除了台积电等少数厂商外,大部分晶圆厂提供代工服务但无法提供解 决方案,难以从代工角度帮助客户提高技术水平和减少应用难度。中芯国际正在从纯代工商走向方案解决商,尤其值得关注的是CIS、 存储器以及BCD三大平台。同时公司利用
35、国内产业链优质资源,深度布局 上下游业务,能够提供业内少有的台积电式“晶圆代工一条龙”服务。公 司深入布局光罩制造(上游工序)和封装(下游工序)领域,在封测领域,中芯国际全资子公司芯电半导体是长电科技的第二大股东、持股14.28%,此外2014年中芯国际与长电科技还共同组建了合营公司中芯长电。华虹不断追求技术创新,提升先进工艺和拓展特色工艺并举,扩大制 造规模,为全球客户提供各工艺节点和技术平台一站式芯片制造服务。IC 设计光罩制作IC封装测试产品晶圆加工SUMCO信越 小松TOPPAN DNP台湾光罩高通 博通 苹果联发科台积电兆易创新中芯国际台积电 格罗方德 联电中芯国际力晶日月光 矽品长
36、电科技安靠 华天科技住友化学 日立化成晶圆供应化学试剂 东京应化一般代工厂 业务范围中芯国际 业务范围台积电 业务范围SMIC从代工厂走向方案解决商从光罩到封测的上下游整合媲美台积电产业布局华虹扩大制造规模并打造技术平台一站式芯片服务数据来源:公司公告,国泰君安证券研究数据来源:IC Insights23半导体核心制造环节,受益供应链转移有望崛起业务布局向TSMC看齐,内资产线寻求平台化发展1.4.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会38.7%7.3%1.7%23.0%20.3%1.0%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%3.6%4Q184.3%1Q19
37、15.321.82.2%7.4%46.04.0%2Q1938.66.5%1.7%6.5%38.64.2%3Q1918.529.31.3%6.6%35.84.1%4Q1916.231.01.5%6.2%35.00.25/0.35m 0.15/0.18m 0.11/0.13m55/65nm40/45nm28nm90nm 14nm中芯国际第一代FinFET( 14nm及微缩版本12nm )已经量产, 2019Q4贡献营收,2020年将持续放量。其计划进一步扩充产能共分三个时间 节点:2020年3月扩产到4000 片、7月到9000片、12月朝15000 片迈进。 目前12纳米的NTO超过14nm,制
38、程主要是瞄准低阶AP处理器等。华为将14nm芯片订单交付中芯国际,供应链有望革新。华为海思开始尝试分散生产制造来源,原由台积电代工麒麟710芯片将转单至中 芯国际。(该芯片是在2018年推出,采用台积电12nm制程,)中芯FinFET 14nm贡献营收SMIC大陆客户占比逐步提升说明代工国产化进度可观31.70%32.30%27.50%24.70%22.20%57.50%53.90%56.90%60.50%65.10%10.80%13.80%15.60%14.80%12.70%10.90.80.70.60.50.40.30.20.104Q194Q181Q192Q19美国大陆和香港3Q19欧亚地
39、区14nm数据来源:中芯国际公告,国泰君安证券研究数据来源:中芯国际公告,国泰君安证券研究24半导体核心制造环节,受益供应链转移有望崛起华为14nm转单SMIC,代工国产化加速推进1.4.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会8寸供不应求,华虹ASP处于扩展区间:2019年12月以来包括大尺寸面板驱动IC、电源管理IC及功率半导体、微控制器(MCU)等库存 回补订单涌现,8吋晶圆代工产能供不应求,存在价格提振预期。根据SEMI 的全球8寸晶圆厂展望报告,预期2019到2022年间,8寸晶圆 厂产量预计将增加70万片,复合增长率4%,远低于8寸应用低端CIS、MCU、功率器件等行业增速,
40、长期来看产能持续偏紧。2H19逻辑代工增长强劲,12寸产能持续偏紧,中芯国际4Q19满载: 中芯国际由于拿到1Q19拿到SONY ISP大单,瞬间填充12寸产能, 挤压NOR、蓝牙、MCU、CIS等代工空间。2Q19开始产能利用率持续提振,存在挑单效应。先进制程领域由于5G及高效能运算(HPC) 带来强劲需求,台积电先进制程订单交货周期亦有所拉长。华虹半导体ASP处于扩张区间中芯国际4Q19产能利用率逼近100%480460440420400380360201420152016201720183Q1989.90%89.20%91.10%97%98.80%80.00%85.00%90.00%95
41、.00%100.00%4Q183Q194Q191Q192Q19SMIC产能利用率(%)数据来源:华虹公告,国泰君安证券研究数据来源:中芯国际公告,国泰君安证券研究25半导体核心制造环节,受益供应链转移有望崛起行业景气向好:8/12产能持续偏紧,内资代工满产1.4.2国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会13.112.9114.9216.4410.1615.5815.4314.4317.6710.5210.3414.457060504030201002018中国大陆20192020E中国台湾韩国日本北美2021E欧洲其他64.4257.64+5.5% 60.829.8%66.79NO.1日
42、本启示:半导体产业向大陆转移的大趋势掀起建厂扩产潮,这将对上游设备拉动作用明显。以日本为例,其半导体制造从80年全球占比不到30%提升至1989年51%,而其材料和设备占比从20%不到迅速提升至40%和70%。目前建厂潮推动下,中国大陆已经成为第二大设备需求市场,预计其在2021年将超越中国台湾,设备需求量超过160亿美元,成为全球第一 大市场。日本设备崛起的关键之一:本国制造业发展带动设备市占率提升日本半导体制造业发展拉动上游设备市占率提升建厂潮推动大陆2021年有望成为最大的设备市场半导体设备规模(十亿美元)80 历史新高数据来源:wind ,国泰君安证券研究数据来源:SEMI,国泰君安证
43、券研究26当前大陆巨大设备需求和国 产供给能力不匹配是加速国产化的关键动力设备:大陆建厂潮下中国企业的崛起机会宏观视角看设备:大陆建厂潮为国产设备带来崛起良机1.4.3国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会。性质公司制程规划月产能投产时间规划投资额(亿元)IDM存储器长江存储64/128层3DNAND年100万片(一期30万片) 2018年下半4500合肥长鑫19nm40万片(一期12.5万片) 2018年底 1500(一期500亿元)特色士兰微(化合物半导体)8万片2019年底220粤芯半导体0.18um90nm(一期);65nm40nm(二期)8万片(分两期各4万片)2019年9月首
44、期投产288积塔半导体65/55nm6万片8寸5万片12寸约2020年359设 备 投 资 额 ( 亿 元 ) 201820192020E9624036024366002030058580074代工约2019年中芯国际中芯国际FinFET65/55nm8万片4万片13705700120120022350华虹无锡90-65/55 nm一期4万片2019年9月 700(一期投 一期投片 资180亿)03661华力微(华虹Fab6) 28/20/14nm4万片2018年试生产3872022年满产7777779896317587993产业转移持续进行,国内代工/存储器等关键性内资产线扩产不断,设备资本
45、支出有望在2020年同比增长65%。在2020年积塔、广东粤芯、 中芯国际、长江存储等产线的齐力拉动下,国产设备需求有望进一步提升。未来新增的拉动力量充足:除了表中产线外,近日格科微12英寸CIS产线落户上海,该项目预计投资达22亿美元,计划2020年中期启动,2021年建成首期项目,未来也是成为国产设备的重要采购产线。关键内资产线设备扩产提速拉动国产设备需求5.19.415.930.4-合计投资额剔除中芯国际先进制程后852631746777030.356.094.8181.01979.1YOY(%)47%65%代表性内资产线设备投资 情况(亿元)317.3586.8993.21897.27
46、916.3光刻设备内资产线总需求空间(亿 元)85.7158.4268.2512.22137.4国产设备市场需求(亿元) 0.91.62.75.1-成膜设备内资产线总需求空间(亿 元)73.0135.0228.4436.41820.8国产设备市场需求(亿元) 5.19.416.030.5-清洗设备内资产线总需求空间(亿 元)19.035.259.6113.8475.0国产设备市场需求(亿元) 5.710.617.934.1-刻蚀设备内资产线总需求空间(亿 元)63.5117.4198.6379.41583.3国产设备市场需求(亿元) 11.421.135.868.3-量测设备内资产线总需求空间
47、(亿 元)31.758.799.3189.7791.6国产设备市场需求(亿元) 0.30.61.01.9-CMP设备内资产线总需求空间(亿 元)12.723.539.775.9316.7国产设备市场需求(亿元) 1.83.35.610.6-掺杂设备内资产线总需求空间(亿 合计投资额(亿元)31.758.799.3189.7791.6 元)国产设备市场需求(亿元)国产设备市场总需求(亿元)增长率(%)-85%69%-数据来源:中国国际招标网,国泰君安证券研究 备注:(1)假设中芯国际b3一期填满;(2)中芯国际FinFET产线(14nm及以下)2019年对国产设备贡献很少;国产设备需求空间广阔设
48、备种类201820192020三年市场总 需求产线设备总需求27设备:大陆建厂潮下中国企业的崛起机会宏观视角看设备:大陆建厂潮为国产设备带来崛起良机1.4.3国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会IC设备营收(亿元)50500亿元达到一定的规模后, 毛利率稳定在40% 以上,进一步上升 空间不大。净利率在20%左右 波动研发投入全部费用 化,保持稳定在10- 15%。IC设备营收10亿以下时: 10亿营业收入-7亿 营业成本(70%) 3亿 毛利润 (30%)-2亿 研发费用(20%)-2亿 其他费用(20%)+2亿政府补助(20%) 1亿 净利润 (10%)毛利率通常在20%-35%营
49、收在2-5亿元左右,净利率水 平大多在10%以下,且水平不 稳定。不同公司研发投入差异较大;部 分厂商一定比例的研发投入资本 化,因此费率存在较大差异。毛利率逐步提升。研发投入保持相对稳定 的增长,同时研发投入 资本化的比例不断下降。成长期净利率逐步提高, 部分厂商可达到25%。初创期通常存在不小额度的政 府补助。政府补助在20亿时开 始下降,预计在50-70 亿左右终止。 IC设备营收500亿及以上时: 500亿营业收入-250亿营业成本(50%) 250亿 毛利润 (50%)-50亿研发费用(10%)-50亿其他费用(10%) 150亿净利润 (30%)%盈利拐点区间IC设备营收达到50亿
50、左右时: 50亿营业收入-25亿营业成本(50%) 25亿 毛利润 (50%)-7.5亿研发费用(15%)-7.5亿其他费用(15%) 10亿净利润 (20%)注:坐标轴非等距10%50%20%7 10 毛利率(右轴)净利率(右轴)研发费率(右轴) 政府补助(左轴)初创期成长期优势稳定期从初创期 刚跨入到 成长期数据来源:中国国际招标网,公司公告,国泰君安证券研究 备注:使用华虹系产线及长江存储为样本做国产化率统计0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%CMP设备 炉管设备 量测设备 刻蚀设备 光刻设备 成膜设备 清洗设备国产化率(%)铜互连PVD打破AMAT垄断;
51、ICP实现台阶刻蚀工艺CCP刻蚀进入台积电5nm产线;开发ICP设备仿照国际巨头多业务布局之路,打造IC设备平台化经营刻蚀/成膜/清洗/炉管全覆盖投资沈阳拓荆(CVD)拟投资睿励(量测设备)在建 产线 加大 对国 产设 备采 购力 度28设备:大陆建厂潮下中国企业的崛起机会7-10亿元营收是初创半导体IC设备公司的盈利拐点所在区间。当IC设备营收突破7-10亿元盈利拐点之后,多数企业将实现稳定增长的正盈利。2019年底至2020年盛美、中微以及北方华创等公司全年IC类设备收入预计都将陆续突破7-10亿元盈利拐点,国产设备厂商真正从初创期向成长期大步迈进。IC设备营收体量维度技术及经营模式维度微
52、观视角看设备:营收跨过盈亏平衡点,技术突破超预期1.4.3资本支出提升,芯片ASP迎来下行期(滞后期约为两年)Fabless设计厂商毛利率与代工价格呈负相关代工厂 资本支出代工厂 产能代工 价格芯片设计 毛利率竞争 加剧Fabless设计厂商发展利好建 厂 潮产 业 转 移-60-40-20200406080100120140201020112012201320142015201620172018台积电单价增长率(%)台积电资本支出增长率(滞后2期)(%)数据来源:Bloomberg,国泰君安证券研究50010001500200025003000350046485052545658606220
53、08200920102011201220132014201520162017部分Fabless设计厂商毛利率(%,左轴)台积电单价(美元/个,右轴)数据来源:Bloomberg,国泰君安证券研究29IC设计:建厂潮抑制代工价格增长,设计业毛利率有望提升国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会设计:国产替代下信号链和电源链公司的黄金发展期1.4.4华为供应链逐步去A化,国产化比例大大提高。以射频前端为例,Mate 20X 5G 由Qorvo、Skyworks 供应前端PAMiD 模块。而Mate 30Pro 5G则采用海思的射频前端器件+日本村田前端模块。同时华为部分独立PA来自唯捷创芯,卓
54、胜微也为其供应开关和LNA产品。综合来看,华为在这款手机中用到的自研芯片占比达到了50%。中国大陆供应商成本占比达到41.7。目前华为订单需求量巨大,正积极向国内射频设计企业开放规格,提供测试机会。长远来看,这将同时拉动国产产品的需求与创新。在电源管理芯片方面,华为5G手机电源管理价值量高达40美金,相比于4G手机提升40%。目前圣邦微以及矽力杰在电源管理方面都有相 应的技术积淀。部件华为国产化供应 状态滤波器暂无(华为与日 本Murata合作)PA自研+唯捷创芯开关/LNA自研+卓胜微天线信维通信、硕贝 德华为Mate 30 Pro 射频供应链情况中国大陆, 41.70%美国,9.50%日本
55、, 31.60%供应商产品成本占比(%)欧洲, 1%中国台湾, 2.20%韩国, 14%数据来源: Tech Insights,国泰君安证券研究数据来源: Tech Insights,国泰君安证券研究中国大陆供应商产品在华为手机中占比高达41.7%30从华为Mate 30 Pro 看5G时代信号链电源链迎来黄金发展期国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会设计:国产替代下信号链和电源链公司的黄金发展期1.4.4国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会025G网络建设,中国高科技领域第一次话语权争 夺战从1G到5G,中国第一次在通讯基础设施建设取得话语权全球5G建设如火如荼,中国已经取得
56、领先地位从芯片到主设备逐步构筑全球竞争力芯片 网络 元器件和模组 主设备31国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会025G网络建设,中国高科技领域第一次话语权争 夺战从1G到5G,中国第一次在通讯基础设施建设取得话语权全球5G建设如火如荼,中国已经取得领先地位从芯片到主设备逐步构筑全球竞争力芯片 网络 元器件和模组 主设备3233国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会1G5G,中国在通信发展历程中逐步从追赶到领先通信标 准无统一标准GMS(欧洲)CDMA(美国) D-AMPSFDD-LTETDD-LTE(中国)NR国际竞 争1970S移动通信正 式向产业化发展。 变革在北美、欧 洲
57、、和日本几乎同 时进行,但采用的 标准不同。1987年,中国1G时代的到来。1989年,欧洲GSM统一标准商业化。1989年,首次CDMA语音通话等实际 演示取得成功。1990年,TIA电讯工业联合会将D-准。1995年,中国移动先引进了 GSM 技 术,1999年联通又引进了 CDMA 技 术。1998年,日本和欧洲在宽带CDMA的关 键参数上取得一致,使WCDMA正式成为 FDD频段的空中接口的入选技术方案。1998年,美国TIATR45.5委员会采用AMPS定为美国第一个2G数字系统的标 CDMA 2000技术。1999年,中国原邮电部电信科学技术研 究院(大唐电信)向ITU提出TD-S
58、CDMA 标准。2000 年,ITU正式将中国提交的 TD- SCDMA,与欧洲主导的WCDMA、美国 主导的 CDMA2000 并列为三大 3G 国际标准。2007年11月,3GPP接受了中国 移动联合27家公司提出的TDD LTE帧结构方案。2008年3GPP于Release 8版本 中首次提出FDD-LTE。2008年,4G通讯标准建立, 2010年美国开始商用,2009年欧 洲开始商用。2013年中国开始商用。2008年3GPP开始研究5G标 准。5G关键技术方面:中国厂商掌 握的关键技术居首位,韩国排名 第二,美国则占比排行第三,再 其次则是日本。组网模 式1G: 模拟时代3G(38
59、4Kb-100Mb):移动互联时代(多媒体应 用)4G(100Mb-1Gb):移动互联时代(移动互联网应 用)5G(10Gb+):万物互联时代1980S1990S2000S2010S2020SWCDMA(欧洲)CDMA2000(美国) TD-SCDMA (中国)BSCMSC(移动 交换中心)HLR/AUCEIR公共电话网:ISDN、PSTN、PLMN基 站基站打电话上网分组交换 链路交换公共电 话网互联网RNC基 站数据中心扁平化LTE5GCEPCNRNRNRNReLTE数据中心SGW PGW独立组网(SA)Option 2 NR2G(115Kb-384Kb):数字时代非独立组网(NSA)Op
60、tion 3x资料来源:5G产业发展现状及趋势浅析、国泰君安证券研究从1G到5G,中国第一次在通讯基础设施建设取得话语权2.1国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会025G网络建设,中国高科技领域第一次话语权争 夺战从1G到5G,中国第一次在通讯基础设施建设取得话语权全球5G建设如火如荼,中国已经取得领先地位从芯片到主设备逐步构筑全球竞争力芯片 网络 元器件和模组 主设备34国泰君安证券2020年春季投资策略线上交流会中国在5G推进的规模化建设中全球领先35国 家商用时间通信频段基站建设进展建设部署高频段中低频段美 国2019年上半年 试商用,预计 2020年商用27.5-28.35GH
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