低频电子线路学习重点

1、低频电子线路学习重点第1页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日3、分析方法（1）图解法（2）折线近似法 理想二极管模型 恒压降模型 4、关于门限电压UrUD0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才明显增长。硅管Ur0.6V，锗管Ur0.2V，第2页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日二、晶体三极管1、工作状态（1）放大状态（2）截止状态（2）饱和状态2、放大状态时电流分配关系第3页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日同一个电流传输过程，不同的描述方式。三、场效应管1、工作状态（1）恒流状态（2）截止状态（2）可变电阻状态第4页，

2、共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日2、场效应管类型（1）N沟道、P沟道 (2) 结型、增强型、耗尽型3、恒流区的伏安关系（1）增强型（2）耗尽型(3) 结型或 第5页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日1-5 判断管脚、管型及材料解：已知工作在放大状态： 根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电极。 电极晶体管 VT1 7V 1.8V 2.5V VT2 -2.9V -3.1V -8.2V VT3 7V 1.8V 6.3V （1）VT1 是集电极，电位最高，NPN型。 发射极 ，电位最低， 基极。 发射结电压0.7V，硅材料。 第6页，共12页，202

3、2年，5月20日，22点46分，星期日 电极晶体管 VT1 7V 1.8V 2.5V VT2 -2.9V -3.1V -8.2V VT3 7V 1.8V 6.3V（2）VT2 集电极，电位最低，PNP型发射极， 电位最高，基极 发射结电压0.2V，锗材料（3）VT3集电极 电位最低，PNP型发射极，电位最高，基极 发射机电压0.7V ,硅材料第7页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日例1-1填空题在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的到基区，成为基区的，它们在基区由于_引起它们在基区，直到集电结边界，由于集电结的作用，而被集电区。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。结

4、型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的宽窄受_极电压控制，从而控制了_极的电流。当D极一端导电沟道消失，称为_夹断，这时_极电流只受_电压控制，场效应管实现正向受控。第8页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日例1-2 测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作状态。管号UGS(th)/V或UGS(off)/VUs/VUG/VUD/V管型工作状态结型VT1 3 13-10VT2 -3 3-110MOSVT3 -4 50-5VT4 4 -23-1.2VT5 -3 0010解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截

5、止，根据UDS判断导电沟道， UDS 0,N沟道， UDS 0,P沟道。第9页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日管号UGS(th)/V或UGS(off)/VUs/VUG/VUD/V管型工作状态结型VT1 3 13-10VT2 -3 3-110MOSVT3 -4 50-5VT4 4 -23-1.2VT5 -3 0010IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)VGS(off)ID/mAVGS /VOIDSS(N 沟道 JFET)ID/mAVGS /VOIDSSVGS(off) (P 沟道 JFET )第10页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日例1-3判断结型场效应管的工作状态第11页，共12页，2022年，5月20日，22点46分，星期日1-23IDUGSO-3V 没有夹断，不在截止区。UGD=3V，已经预夹断，工作在放大区