大工18秋《模拟电子线路》在线作业1(满分题)

1、(单选题) 1: PN结加正向电压时,()。A: 扩散运动大于漂移运动B: 扩散运动小于漂移运动C: 扩散运动与漂移运动平衡D: 没有运动正确答案: (单选题) 2: 发光二极管发光时,其工作在( )。A: 正向导通区B: 反向截止区C: 反向击穿区D: 反向饱和区正确答案: (单选题) 3: 当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A: 前者反偏、后者反偏B: 前者正偏、后者反偏C: 前者正偏、后者正偏D: 前者反偏，后者正偏正确答案: (单选题) 4: BJT工作在放大区的工作条件是:()。A: 发射结正偏，集电结反偏B: 发射结正偏，集电结正偏C: 发射结反偏，集电结正偏

2、D: 发射结反偏，集电结反偏正确答案: (单选题) 5: 稳压管的稳压区是其工作在()。A: 正向导通B: 反向截止C: 反向击穿D: 反向饱和正确答案: (单选题) 6: 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。A: 各极间电阻B: 各极对地电位C: 各极电流D: 各极间的电压正确答案: (单选题) 7: 在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A: 五价B: 四价C: 三价D: 二价正确答案: (单选题) 8: 整流的目的是()。A: 将交流变为直流B: 将高频变为低频C: 将正弦波变为方波D: 以上均正确正确答案: (单选题

3、) 9: PN结加正向电压时,空间电荷区将()。A: 变窄B: 基本不变C: 变宽D: 完全不变正确答案: (单选题) 10: 共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。A: 同相B: 反相C: 不确定D: 随机正确答案: (判断题) 1: 三极管组成的放大电路主要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。A: 对B: 错正确答案: (判断题) 2: 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 3: 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 4: 杂质半导体的导电能

4、力受温度的影响很小。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 5: 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 6: 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 7: 三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 8: PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 9: 若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 10: 稳压管的

5、稳压区是工作在正向饱和。T: 对F: 错正确答案: (单选题) 1: PN结加正向电压时,()。A: 扩散运动大于漂移运动B: 扩散运动小于漂移运动C: 扩散运动与漂移运动平衡D: 没有运动正确答案: (单选题) 2: 发光二极管发光时,其工作在( )。A: 正向导通区B: 反向截止区C: 反向击穿区D: 反向饱和区正确答案: (单选题) 3: 当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A: 前者反偏、后者反偏B: 前者正偏、后者反偏C: 前者正偏、后者正偏D: 前者反偏，后者正偏正确答案: (单选题) 4: BJT工作在放大区的工作条件是:()。A: 发射结正偏，集电结反偏B:

6、 发射结正偏，集电结正偏C: 发射结反偏，集电结正偏D: 发射结反偏，集电结反偏正确答案: (单选题) 5: 稳压管的稳压区是其工作在()。A: 正向导通B: 反向截止C: 反向击穿D: 反向饱和正确答案: (单选题) 6: 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。A: 各极间电阻B: 各极对地电位C: 各极电流D: 各极间的电压正确答案: (单选题) 7: 在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A: 五价B: 四价C: 三价D: 二价正确答案: (单选题) 8: 整流的目的是()。A: 将交流变为直流B: 将高频变为低频C:

7、将正弦波变为方波D: 以上均正确正确答案: (单选题) 9: PN结加正向电压时,空间电荷区将()。A: 变窄B: 基本不变C: 变宽D: 完全不变正确答案: (单选题) 10: 共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。A: 同相B: 反相C: 不确定D: 随机正确答案: (判断题) 1: 三极管组成的放大电路主要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。A: 对B: 错正确答案: (判断题) 2: 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 3: 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 4: 杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 5: 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 6: 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 7: 三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。T: 对F: 错正确答案: (判断题) 8: PN结在无光照、无外