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文档简介
1、学生实验报告院别课程名称器件仿真与工艺综合设计班级实验（一）二极管器件仿真姓名实验时间学号指导教师成绩批改时间报告内容一、实验目的和任务1、掌握二极管基本结构原理，二极管电流电压特性；2、掌握SilvacoTCAD器件仿真设计流程及器件仿真器Atlas语法规则；3、分析二极管结构参数变化对主要电学特性的影响。、实验原理1、二极管的结构与原理2、二极管的IV特性3、二极管击穿特性4、Atlas器件仿真流程三、实验设备1、工作站或微机终端1台2、局域网3、Untitled-Deckbuild仿真软件1套四、实验内容（一）、器件结构设计设计个长15um、宽1um的PN形二极官，其中P区长5um，宽1
2、um；N区长10um，宽1um。图二定义材料为硅A.TLJU：fewdl-MiO2O.m：E-即It.4.Sl-lO.TO.i0.electrodetopname=cathode#定义top电极为阴极，名称为cathodeelectrodebottomname=anode#定义bottom电极为阳极，名称为anode图三定义电极JITUUTvIditwtlJlTiWaiXr-Idrt4.LO.J!4.34.4.SO.0T4.4Umnpdopinguniformconc=5e17p.type#定义p区掺杂浓度，设为均匀掺杂图四P区掺杂3.40.1D.1.1D-2t.4D_1dopingunifo
3、rmn.typeconc=1e20 xl=0 xr=1yt=00yb=50#定义n区掺杂浓度与所在空间范围图五N区、P区皆掺杂saveoutf=diodeex02_0str#存储结构信息（2）为击穿仿真设置模型modelssrhconmobbgnaugerfldmob#击穿仿真设置模型impactcrowell#激活crowell模型（3）曲线追踪参数的设置solveinit#解初始化solvevcathode=01#设置要进行曲线追踪的电极methodnewtontrapmaxtrap=10climit=1e-4#设置数值方法（4）反向电压曲线追踪仿真logoutf=diodeex02.log#设置输出文件solvevcathode=025vstep=025vfinal=10name=cathode#阴极电压从0.25V加到10V,步长0.25Vtonyplotdiodeex02.logtonyplotdiodeex02_0str#绘图语句（三）器件结构与杂质分布（1）表1不同P区浓度下器件结
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