太阳能电池制造工艺控制要点课件

1、电池生产各岗位工艺控制点 罗姗 2011年7月8日各岗位工艺卫生总体要求所有岗位人员进入车间必须穿戴好工作服带好工作帽，口罩以及工作鞋，风淋20s全过程操作人员必须带乳胶手套和口罩操作，不得用手及纸制品直接接触电池片所有生产设备、岗位工夹具按工艺生产要求进行清洗维护，石英制品定期进行清洗饱和以保证产品质量清洗装片合格片中出现超过总批量的0.10%的裂纹片，进行异常分析装片人员装片过程中在承载盒下放置缓冲海绵垫，以防止造成硅晶脱落。装片人员定期更换薄膜手套装片后制绒前在制品控制在1000pcs清洗制绒制绒槽温度：802度；时间：25-30分钟换液频率：1次/12h制绒表面状况分析 1.制绒后若出

2、现雨点状斑点，加入少量乙醇或异丙醇即可消除 2.制绒后硅片上半部分光亮，表明液位不够，或粘稠度过大，是篮筐漂浮 3.若硅片表面有流水印，适当加大NaOH的用量 4.硅片表面出现黑斑，表明没有及时清洗（腐蚀后暴露在空气中时间过长） 5.手指印，表明硅片表面脂肪酸沾污，需重新预清洗 6.硅片表面有药物残留，异丙醇加入过多，重新清洗减薄量：单晶：0.3g-0.5g; 多晶：0.38g-0.42g 减薄量大小以腐蚀速率控制备注：清洗机刚换过液时，一般把减薄量控制在合格范围的下限并偏小0.02g制绒过程中影响制绒效果的因素有 1.碱液浓度（影响金字塔体积大小）、异丙醇浓度（影响腐蚀速率和氢气泡的释放）

3、2.溶液温度、制绒时间长短（影响金字塔椎体形貌） 3.槽体密封程度、异丙醇挥发程度 4.制绒槽内硅酸钠累积量（影响产品质量的稳定性和制绒液的可重复性）制绒后扩散前在制品控制在5000pcs扩散扩散后方块电阻范围 1.单晶（低阻：0.3-5）：482（高阻：3 - 6）：423 2.多晶：572 备注：当班方块电阻会随工艺要求有所变动扩散后同一炉方块电阻不均匀度10%扩散后单片方块电阻不均匀度10%影响扩散工艺的因素有 1.扩散时间长短（通源时间和驱入时间） 2.扩散炉温度（温度高低决定硅片表面杂质浓度高低和P-N结结深） 3.源的纯度影响测试方块电阻的环境因素有 温度 光强 高频干扰测方块电阻

4、 1. 抽测顺序自炉口到炉内，便于后续调试对应温区温度 2.测前校准四探针测试仪：I=4.530mA方块电阻大小与对应温区成反比 1.调试比例：温度/方块电阻 单晶：1:1 ；多晶：1:2扩散后刻蚀前在制品控制单晶2000pcs；多晶1000pcs刻蚀冷热探针边缘导电性（万用表置200mV）任一边测试值必须30mV关键工艺参数：射频功率（射频功率过低会导致等离子体不稳定分布不均匀某些区域过刻，某些区域刻蚀不足，从而导致RSH下降，影响EFF）和刻蚀时间（刻蚀时间过长导致电池正反面损伤较大，时间长到一定程度损伤延伸到P-N结区）插片时承载盒放反，未分清扩散面导致后续J0片刻蚀后去PSG前在制品控

5、制在2000pcs去PSG配液成分：HCL、HF;每12h进行1次换液各槽工艺温度参数 1.预热槽设定：90-99；实际达到：80-90 2.四副槽设定：85-90 ；实际达到：83-90 3.烘干槽设定：90-99 ；实际达到：90-99烘干时间设定：360s去PSG后镀膜前在制品控制在2000pcsPECVD膜厚 单晶：85-89nm ；多晶：83-87nm折射率 单晶：2.01-2.03 ；多晶：2.03-2.07影响膜厚与折射率的主要因素 1.氨气与膜厚成正比，与折射率成反比 2.硅烷与膜厚成正比，与折射率成正比镀膜质量分析 1.镀膜偏薄，导致镀膜后表面发红 2.镀膜偏厚，导致镀膜后表

6、面发白PECVD氮化硅沉积温度：300-450 石墨板清洗周期：120hOTB维护周期 单晶：60h 多晶：50h镀膜前在制品囤积时间4h需重新去PSG镀膜后印刷前在制品控制在5000片丝网印刷浆料使用前采用卧式搅拌机搅拌36h，转速为20r/min丝网一道网版寿命：80000pcs丝网二道网版寿命：30000pcs丝网三道网版寿命：70m6000pcs 100m10000pcs高 宽 比：湿膜高20-40 湿膜宽70m-90 80m-100 90m-110 干膜高15-30 干膜宽70m-90 80m-100 90m-110 （备注：网版的选用应与所使用浆料型号对应）分类检测电性能工艺监测参数 1.温度（T）：255 2.开路电压（VOC）：0.6-0.63V 3.串联电阻（Rs）:1