材料科学基础选择题

1、 1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A:共价键向离子键B:离子键向共价键C:金届键向共价键D:键金届向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用子配位数（）0A:增大，降低C:减小，增大通常使正负离子间的距离（B）,离B:减小，降低D:增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。A:5B:6C:4D:34、NaCl单位晶胞中的分子数”为4,Na+填充在C1-所构成的（B）空隙中。B:全部八面体A:全部四面体C:1/2四面体D:1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。A:全部四面体B

2、:全部八面体C:全部立方体D:1/2八面体6、MgO晶体届NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套。的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。A:2B:4C:6D:87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）oA:八面体空隙的半数B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙D:全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为&F-配位数为（B）。B:4A:2TOC o 1-5 h zC:6D:89、CsCl晶体中Cs+的配位数为&Cl-的配位数为（D）。A:2B:4C:6D:810、硅酸盐晶体的分类原则是（B）oA:正负离子的个数B:结构中的硅氧比C:化学组成

3、D:离子半径11、皓英石ZrSiO4是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+m代，这种现象称为（C）oA:同质多晶B:有序一无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13、镁橄榄石Mg2SiO4是（A）oA:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。A:沸石萤石MgOB:沸石MgO萤石C:萤石沸石MgOD:萤石MgO沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。A:2B:4C:6D:816、构

4、成硅酸盐晶体的基本结构单元SiO4间只能（A）连接。A:共顶四面体，两个相邻的SiO4四面体之B:共面C:共棱A+B+CD:17、点缺陷与材料的电学性质、点缺陷中届于本征缺陷的光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下A:弗仑克尔缺陷C:杂质缺陷D）。18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少A:攀移C:增值B:肖特基缺陷D:A+BB:攀移D:减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D:A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价

5、正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:正离子空位B:间隙负离子C:负离子空位D:A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（D）。A:稳定晶格B:活化晶格C:固溶强化D:A+B+C22、变固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件D:结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。A:点缺陷B:线缺陷C:面缺陷D:A+B+C2

6、4、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。A:热缺陷B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷D:A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。A:线性增加B:呈指数规律增加C:无规律D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。A:杂质质点大小B:晶体（基质）结构C:电价因素D:A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A:外力B:热应力C:化学力D:结构应力28、柏格斯矢量（Burgersector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号

7、表示为（）。A:刃位错；土B:刃位错；VXC:螺位错；D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeld

8、efect）时，（A）。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。A:位错不一定是直线B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错可以中断于晶体内部D:位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。A:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移乂可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移乂可滑移33、34、35、36、37、38、D:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓

9、度（数量）受（A:组成B:温度C:时间D:A+B+C当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B）,随温度下降而（B:降低，增大D:降低，A:增大，降低降低C:增大，增大）的氧化物容易形成玻璃。由结晶化学观点知，具有（AB:离子键A:极性共价键D:金届键Na2OAl2共价SBO2熔体的桥氧数为（D）。B:2D:4A:139、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的桥氧数C:3为

10、（BA:2.5D:4D）因素的影响。B:3C:3.540、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。A:加和效应B:混合碱效应C:中和效应D:交义效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）A:降低B:升高C:不变D:A或B42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。A:降低B:升高C:不变D:A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（C）的过程。A:可逆与突变B:不可逆与渐变C:可逆与渐变D:不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（C）。A:突变性B:不变性C:连

11、续性D:A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformatioi）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出106体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。A:愈困难B:愈容易C:质量愈好D:质量愈差48、不同O/Si比对

12、应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易B:越容易C:质量愈好D:质量愈差49、当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于形成Y值。玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。A:增大；不变B:降低；增大C:不变；降低D:增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表的质点处于（A）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。A:较高B:较低C:相

13、同D:A或CB)。51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正位置的上、下位移，称为（A:表面收缩B:表面弛豫C:表面滑移D:表面扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。A:小于B:大于C:小于等于D:等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内层间距）,垂直方向的与体内（A）。B:相同；相同D:不同；不同A:不同；相同C:相同；不同54、粘附剂与被粘附体问相溶性（C）,粘附界面的强度（）。A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率

14、小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C,这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。A:收缩B:弛豫C:双电层D:B+C56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度A）。A:会引起界面吸附C:对位错运动有阻碍作用C:越短；越低D:越长；不变57、界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（D）的特性。A:越长；越低B:越长；越高58、只要液体对固体的粘附功（B发B:界面上原子扩散速度较快展开。A:小于D:A+B+C）液体的内聚功，液体即可在固体表面自C:小

15、于等于59、当液体对固体的润湿角990液B：不变体与固体之间的润湿（A）。D:A或BA:更难时，即在不润湿的前提下，表面粗糙化后,C:更易61、粘附功数值的大小，标志着固B:不变（B）個-液两相互相结合（D:A或B-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值）;相反，粘附功越小，则越易分离。A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越小；越牢固D:越大；不变62、为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力（B）。A:降低B:升高C:保持不变D:有时升高，有时降低63、对于附着润湿而言，附着功表示为W”sv+Uv-声l,根据这一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。

16、A:尽量采用化学组成相近的两相系统B:尽量采用化学组成不同的两相系统C:米用在高温时不发生固相反应的两相系统D:前二种方法都不行64、将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去，则外加组分在表面层的浓度（C）体积内部的浓度。A:等于B:大亍C:小于D:A或B65、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（A）,断裂强度（）。A:越长；越低C:越短；越低B:越长；越高66、吸附膜使固体表面张力（D:越长；不变A:增大B）B:减小C:不变D:A或B67、粗糙度对液固相润湿性能的影响是：CA:固体表面越粗糙，越易被润湿B

17、:固体表面越粗糙，越不易被润湿C:不一定D:粗糙度对润湿性能无影响68、卜列关于晶界的说法哪种是错误的。AA:晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B:晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C:晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D:晶界易受腐蚀69、相平衡是指在多相体系中，物质在各相问分布的平衡。相平衡时，各相的组成及数量均不会随时间而改变，是（C）。A:绝对平衡B:静态平衡C:动态平衡D:暂时平衡70、二元凝聚系统平衡共存的相数最多为3,而最大的自由度数为（A）。A:2B:3C:4D:571、热分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根据系统在冷却过程中温度随时间的变化情况来判断系统中是否发生了相D）。变

18、化，该方法的特点是（A:简便C:能确定相变前后的物相72、淬冷法是相平衡的研究的动态方法，A:准确度高C:适用于相变速度快的系统73、可逆多晶转变是一种同质多晶现象A:低于B:测得相变温度仅是一个近似值D:A+B其特点是（D）。B:适用于相变速度慢的系统D:A+B多晶转变温度（A）两种晶型的熔点。B:高于D:A或B9B种晶型的熔点。 C:等于74、不可逆多晶转变的多晶转变温度（A:低于B:高于C:等于D:A或B75、在热力学上，每一个稳定相有一个稳定存在的温度范围，超过这个范围就变成介稳相。在一定温度下，稳定相具有（C）的蒸汽压。A:最高B:与介稳相相等C:最低D:A或B76、多晶转变中存在阶

19、段转变定律，系统由介稳状态转变为稳定态不是直接完成的，而是依次经过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳定状态。最终存在的晶相由（D）决定。A:转变速度B:冷却速度C:成型速度D:A与B77、二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为（C）。A:3B:2C:1D:0M的相分解78、根据杠杠规则，在二元凝聚系统的相图中，如果一个总质量为为质量Gi和G2的两个相，则生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的组成点之间线段（A:成正比B:成反比C:相等D:A或C三元相图中，相界线上的自由度为（C）。A:3B:2C:1D:0固体中质点的扩散特点为：（D）。A:需要较高温度79、80、B。B:各向同性D:

20、A+CC:各向异性81、在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为（C）。a五扩散B:无序扩散C:非本征扩散D:本征扩散82、固体中质点的扩散特点为：DA:需要较高温度B:各向同性C:各向异性D:A+C83、扩散之所以能进行，在本质上是由于体系内存在（A）。B:浓度梯度D:压力梯度A:化学位梯度C:温度梯度84、固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大影响。贝UH、C、Cr在丫Fe中扩散的活化能的大小顺序为（B）。A:QHQCQCB:QcrQCQHC:QCQHQCrD:QcrQHQC85、晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数。和体积扩散

21、系数Db之间存在（A）的关系。A:DsDgDbB:DbDgDsDbD:DgDs1、可隙扩散=空位扩散A:易位扩散=1、可隙扩散空位扩散D:易位扩散】、可隙扩散空位扩散93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原C:易位扩散间隙扩散空位扩散91、一般晶体中的扩散为（D）。A:空位扩散C:易位扩散92、由肖特基缺陷引起的扩散为（AA:本征扩散C:正扩散子，散机制适用于（C）的扩散。A:各种类型固溶体B:间隙扩散D:A和BB:非本征扩散D:负扩散而原子反向迁入空位，这种扩B:间隙型固溶体D:A和B94、扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（A），扩散（A:越紧密；越困难B:越疏松；越困难C:越

22、紧密；活化能越小D:越疏松；活化能越大95、不同类型的固溶体具有不同的结构，其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比置换型（D）。A:难于扩散B:扩散活化能大C:扩散系数小D:容易扩散96、扩散相与扩散介质性质差异越大，（B）。A:扩散活化能越大B:扩散系数越大C:扩散活化能不变D:扩散系数越小97、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（D）,使得扩散系数增大。A:增加缺陷浓度B:使晶格发生畸变C:降低缺陷浓度D:A和B98、通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（A）oA:本征扩散B:非本征扩散C:互扩散D:A+B99、按热力学方法分类，相变可以分为一级相变和二级相变，一级相变是在相变时两相化学势相等，其一阶偏微嫡不相等，因此一级相变（B）。A:有相变潜热，无体积改变B:有相变潜热，并伴随有体积改变C:无相变潜热，并伴随有体积改变D:无相变潜热，无体积改变100、二级相变是指在相变时两相化学势相等，其一阶偏微嫡也相等，而二阶偏微嫡不