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文档简介
1、晶体三极管及应用模拟电子技术基础1.1 BCEIE=1.01mAEBCIC=5. 1-0.1=5mA1.2 晶体三极管及应用(1)先确定基极。(2)再确定发射极和集电极,并确定是硅管还是锗管。处于放大状态的晶体管有如下特点:在B、C、E三个电极中,基极电位不是最高、也不是最低,处于中间。基极B与发射极E之间的电位不是0.7V左右就0.3V左右,如果是0.7V左右,则为硅管,如果是0.3V左右,则为锗管。(3)最后确定管子是NPN管还是PNP管。如果集电极电位最高,发射极最低,则为NPN管,相反则为PNP管。 晶体三极管及应用1.2 BEC硅管,PNP型BEC硅管,NPN型 晶体三极管及应用1.
2、2 BEC锗管,PNP型BEC锗管,NPN型 晶体三极管及应用1.2 1.3 将各电路中的电容开路即为直流通路;将电容短路、直流电源对地短路即为交流流通路,图略。 晶体三极管及应用(1)画直流通路 晶体三极管及应用1.3 晶体三极管及应用(2)画交流通路 晶体三极管及应用1.3 晶体三极管及应用1.4 (c) (d)对直流,VBB直接加在晶体管的发射结两端,晶体管将因发射结电压过大而损坏。 晶体三极管及应用(a) 不能。 1.4 (c) (d) 晶体三极管及应用(b) 不能。 因为输入交流信号被C2短路。1.4 (c) (d) 晶体三极管及应用(c) 不能。 因为输出信号被VCC短路,输出交流
3、电压恒为零。 1.4 (c) (d) 晶体三极管及应用(d) 不能。 因为输入信号被VBB短路。1.5 解: 由图可得: (1) (2) 晶体三极管及应用1.6 解: (1) (2) (1)由(1)式可知,当Rb减小时,IBQ增加,这时直 流负载线不变,Q点沿负载线向左上方移动。 晶体三极管及应用1.6 解: (1) (2) 晶体三极管及应用(2)由(2)式可知,当Rc减小时,直流负载线的斜率增 加, 直流负载线与横轴的交点不变, 与纵轴的交点 在原有基础上向上移动。 由于基极电流不变, 所以 Q点沿着IBQ=40A那条曲线向右上方移动。1.6 解: (1) (2) 晶体三极管及应用(3)由(
4、1)式和(2)式可知,当VCC增加时,IBQ增加,直流负载线向右上方平移,所以Q点向右上方移动。1.7 解:(1) (2) 晶体三极管及应用(3) 晶体三极管及应用(4) 晶体三极管及应用1.8 解:(1) 晶体三极管及应用 晶体三极管及应用1.8 解:(2)1.9 解:(1) 晶体三极管及应用(2) 晶体三极管及应用(3)所以,当Re增大时, 将减小 。 晶体三极管及应用(4)若电容Ce开路,对静态工作点没有影响;根据式(1.1.7)和式(1.1.10)可知, 将使电压放大倍数减小、输入电阻增大。1.10 解:(1) 晶体三极管及应用1.10 解:(2) 晶体三极管及应用1.10 解:(3)
5、 晶体三极管及应用1.11 解:(1)共基极放大电路。(2)直流通路交流通路 晶体三极管及应用1.11 (2) 晶体三极管及应用微变等效电路1.11 (3)根据直流通路可得: 晶体三极管及应用1.11 (3)根据微变等效电路可得: 晶体三极管及应用1.12 解:(1)根据直流通路可得: 晶体三极管及应用1.12 (2) 晶体三极管及应用1.13 共射-共基共射-共射 晶体三极管及应用1.13 晶体三极管及应用共射-共射共集-共基1.14 解:(a) 晶体三极管及应用1.14 解:(a) 晶体三极管及应用(b) 晶体三极管及应用 晶体三极管及应用(b)(c) 晶体三极管及应用(d) 晶体三极管及应用1.15 解:(1) 晶体三极管及应用1.15 解:(2) 晶体三极管及应用1.16 解:(1)由幅频特性可知:由相频特性可知,在中
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