PSPICE应用晶体管电路的典型实例

1、PSPICE应用晶体管电路的典型实例例1:电路如图所示，图中R=10kW,二极管选用1N4148,且Is=10nA,n=2。对于VDD=10V和VDD=1V两种情况下，求ID和VD的值，并与使用理想模型、恒压降模型和折线模型的手算结果进行比较。解：进入Schematics主窗口，绘出图所示电路，并设置好参数。其中二极管的Is=10nA，n=2要进入模型参数修改窗修改(先选中二极管，再选择菜单中EditIModellEdit项，单击InstanceModel(Text)可打开模型参数修改窗)。设置直流工作点分析(BiasPointDetail)，并将参数分析(Parametric)中设置电压源V

2、DD为两个列表值10V和1V。仿真后在输出文件中得到如下结果：当VDD=10V时，ID=0.941mA，VD=0.589V当VDD=1V时，ID=55.9uA，VD=0.441V所得结果与手算接近。例2：限幅电路如图所示，R=1kW，对于VREF=3V，二极管及参数仍与例1相同。试绘出电路的电压传输特性vO=f(vl)；当VI=Vi=6sinwt(V)时，试绘出VO的波形。RAM11kVD1N4148TVREF解：设置直流扫描分析(DCSweep)和瞬态分析(Transient)，得到如下图的结果。可以看出电路对Vi的限幅作用。例3：共射极放大电路如图所示。设BJT为NPN型硅管，型号为2N3

3、904（b=50）。电路参数为：Rc=3.3kW,Re=1.3kW,Rbl=33kW,Rb2=10kW,RL=5.1kW,Cbl=Cb2=10mF,Ce=50mF（Re的旁路电容），VCC=12V。试用PSPICE程序作如下的分析：（1）求Q点；（2）作温度特性分析，观察当温度在-30C+70C范围内变化时，BJT的集电极电流IC的变化范围。解：进入Schematics主窗口，绘出图LT_01a所示电路，并设置好参数。其中三极管的b=50要进入模型参数修改窗中（先选中三极管，再选择菜单中EditIModellEdit项，单击InstanceModel（Text）可打开模型参数修改窗），将Bf的

4、值改为50。设置直流工作点分析（BiasPointDetail）,同时设置直流扫描分析（DCSweep）,对温度进行-30C+70C的线性扫描。（1）仿真后在输出文件中得到静态工作点：IB=33.1mA,IC=1.4mA,VCE=5.52V(2)在Probe窗口中得到IC随温度变化的曲线如图所示。由图中看出温度在-30C+70C变化时，IC由1.2724mA变到1.4864mA。例4：电路如图所示。设BJT的b=80,rbb(rb)=100试分析电压增益的幅频响应和相频响应，并求fL和fH。解：在模型参数修改窗中，将BJT的Bf值改为80，Rb的值改为100。设置交流分析(ACSweep)，仿

5、真得到如图所示幅频响应和相频响应的波特图。由图得到fL=167.592Hz，fH=4.55811MHz。(b)电压增益的幅频响应例5：电路如图所示。设BJT的b=50，rbb(rb)=10，0VWBE=0.7V。试分析Ce在lmF到1OOmF之间变化时，下限频率fL的变化范围。12VVectReVc-Cb-2TF1OUF11.3k:二-Ce_50uF02N3904解：在模型参数修改窗中，将BJT的Bf值改为50,Rb的值改为100,Vje的值改为0.7。设置交流分析(ACSweep)和参数分析(Parametric)。在参数分析中设置Ce取列表值1mF、5mF、10mF、20mF、50mF、80mF和100mF，仿真后，得到下