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文档简介

1、半导体器件的温升控制电力电子技术的基本概况 器件的温升与散热 半导体器件的温升控制理论上半导体器件的最高温度极限是它内部的本征温度Ti，半导体器件的轻掺杂区和重掺杂区的本征温度相同。如果超过这个温度，PN结的特性将会消失，本来起屏障作用的耗尽区将会被本征载流子代替。通常情况下，半导体器件随着它内部温度的升高，能量损耗加大，当内部温度达到200时，它的能量损耗非常大。 器件的温升与散热当一个由半导体器件所形成的系统在2040的温度下运行时，则该系统的工作稳定性最好。温度测量系统在正常的工作温度范围内必须很精确，必须保证在125工作温度下的精确性。晶闸管的最高结温低于125。当晶闸管的结温达到12

2、5时，如果此时施加在晶闸管上的正向电压变化率(du/dt)正好为它的最大允许值，则晶闸管可能会产生误导通或者关断。 器件的温升与散热如果器件是按高温条件进行设计，热屏蔽须对换流器的每一个元件都有屏蔽作用。在某些特殊应用场合，要求器件能在高温环境下工作，此时必须采取大范围的热屏蔽措施。电力电子设备在高温环境下运行时，散热装置是必须首先考虑的一个因素。它包括散热片的尺寸，重量，安装位置以及环境温度等，必要时可以考虑安装风扇来提高散热效果。 器件的温升与散热当温度超过50时，以后每升高1015，半导体器件的可靠性就会成倍的降低。散热片是设计电力电子系统经常采用的散热方式。传导扩散辐射扩散对流扩散自然冷却方式风扇冷却(强迫风冷)液体冷

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