以史为镜观“断供”之果

1、 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark0 o Current Document 1美国限制核心IC出口，日本举国研发实现赶超4 HYPERLINK l bookmark2 o Current Document 20世纪50-60年代日本半导体产业迅速开展4 HYPERLINK l bookmark4 o Current Document 美国限制关键零部件出口日本4 HYPERLINK l bookmark6 o Current Document 1.3日本举全国之力攻克关键技术并实现赶超美国5 HYPERLINK l bookmark8 o Current D

2、ocument 2日本限制关键材料出口，韩国实现局部国产替代 6 HYPERLINK l bookmark10 o Current Document 3美国限制关键零部件出口，国产替代乃大势所趋 7图目录 TOC o 1-5 h z 图1: 70年代后，美国日本贸易逆差逐步走阔5图2:20世纪80年代日美半导体全球市场率6图3:DRAM产业市场份额演变图6图4:国家大基金一期主要投向半导体制造业8图5:国家大基金二期投资布局 8表目录表1：日本限制出口韩国三种材料概况71美国限制核心IC出口，日本举国研发实现 赶超20世纪50-60年代日本半导体产业迅速开展日本半导体产业初期开展。战后，日本半

3、导体技术相对于美国有7-8年的差距， 而日本通过对美国现有成熟技术的引进以及加工应用，成为全球最大的“制造品 工厂”。50年代，美国对同盟国日本转移先进技术十分积极，日企得以从美国引 进晶体管技术。1953年，索尼从西方电器公司购买晶体管专利技术，并于2年 后研制出全球第一台晶体管收音机，因较真空管具有耗电少、便携袋的优势，晶 体管收音机一经上市便十分畅销，半导体收音机等电子消费品的旺盛需求带动了 晶体管的大量生产，1959年日本晶体管年产量超过美国。但由于当时美国占据半 导体技术领先地位,并将重心放在为国防和宇航工业提供集成电路的军工订单上， 对于日本先后在收音机、电视接收机、计算机等领域的

4、闯入并未有足够的警惕。 在这种背景下，日本半导体产业在民用领域得以迅速扩张。60年代后期，美国已 进入集成电路时代，而日本尚处于半导体分立元件的阶段。日本政府的保护。而政府层面，考虑到日本自然资源和能源的短缺，“以产品输 出换取资源和能源的输入”便成了日本经济战略的基础。日本通产省围绕这一基 本原那么制定了相关保护政策：1、禁止加工品输入；2、关税要提高到使任何加工 制品难以打入日本的水平；3、以世界市场为目标来形成工业能力；4、工业投资 来自政府和私人双方；5、对特殊工业（高技术工业）的支持主要由政府承当。 在半导体领域，日本政府为扶持相关企业的开展，政府通过高关税、限制性配额、 排他性定制

5、程序、“购买日货”等措施限制外国半导体向本国市场渗透。此外，日 本政府要求国外企业进入时需将技术以许可证、专有技术等形式卖给日本企业， 并对外资的进入采取严格的审批制度，封闭的市场产生强制性技术转让效应。美国限制父键零部件出口日本美国开始采取反制措施。由于日本消费类半导体产品物美价廉，因而得以迅速侵 占美国厂商的市场份额，导致了 1966年-1970年美国国内电视机等厂商出现连 年亏损，工人就业人数减少32%,生产设备闲置率高达42%；而与此同时，美国 军备的缩减，使得美国所依赖国防订货驱动的集成电路产业面临新的危机。一方 面面临日本产品强有力的竞争；另一方面面临国内军工订单的急剧缩减，美国企

6、业开始关注到日本通过“购买技术一一加工再生产一一输出全球”的生产模式， 并对日本“利用美国技术形成自身工业能力”开始警惕。到了 70年代，美国对 日本贸易逆差开始逐渐走阔，美国政府有所行动。1972年，美国借日本计算机公 司卡西欧违反反倾销法案，开始禁止向日本出口半导体技术的核心IC,导致卡西欧公司在全美的市场份额由鼎盛时期的80%跌至1974年的27%o-1800-1800图1: 70年代后，美国日本贸易逆差逐步走阔2000-200-400-600-800-1000-1200-1400-1600Pg9999999999ZZZZZZZZZZ888888O* O* O* O* O* O* 0s

7、O* O* O*O* O* O*0s O* O* O* O* O* O* O* o*进出口贸易差额进出口贸易差额对日贸易差额资料来源:美日贸易逆差与美国政府的对策，与此同时，美国旧M公司在1970年推出了以大规模集成电路为基本硬件的370 系列计算机，对日本国内企业产生了一定的竞争压力；1975年，EM开始着手开 发以一百万兆超大规模集成芯片为基础的第四代未来系统计算机，其成功将会威 胁到日本国内公司的生存。日本举全国之力攻克关键技术并实现赶超美国日本以举国之力自主研发。美国对核心材料的断供使得日本半导体行业岌岌 可危，陷入被动局面，与此同时，1970年IBM宣布在大型计算机中使用半导体 存储

8、器取代磁芯，DRAM内存芯片将成为潜力巨大的市场也让日本意识到半导体 产业的战略性地位。为推动国内半导体行业攻克核心领域，不被美国“卡脖子”， 1976年由日本政府出资320亿日元，富士通、日立、三菱、NEC、东芝五大企 业联合筹资400亿日元，共计720亿日元为基金，由电子综合研究所和计算机综 合研究所牵头，共同开展“超大规模集成电路”（VLSI）计划，举国之力自主研 发研制64K和128K的DRAM内存芯片技术。1980年，日本公布研制成64K的 DRAM内存芯片，比美国提前了半年；同年，日本电气通信研究所比美国提前两 年研制成256K的DRAM内存芯片。VLSI计划成功助推日本在半导体领

9、域实现 跳跃式进步，并使得日本在接下来的80年代中逐步取代美国成为全球半导体市场的最大拥有者O资料来源:日经济白皮书.1994年版.第693页,日本核心领域被美国断供的被动局面，通过日本政府举全国之力实现了攻克，最终超越美国成为全球半导体DRAM产业的绝对拥有者。在这场战役中，美国不仅失去了核心部件在日本的市场，也推升了日本举全国之力开展核心IC的决心，加 快日本在核心领域举全国之力实现国产替代。2日本限制关键材料出口，韩国实现局部国产 替代历史上经历过核心IC被美国断供的日本，在2019年对韩国也进行了断供制裁。 2019年7月1日，出于对韩国就慰安妇问题不断索赔，以及不断扣押日本企业 在韩

10、资产等原因，日本宣布7月4日起，将加强对韩国半导体制造出口的管制， 主要涉及“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”三种半导体关键材料， 涉及韩国面板和半导体两大核心产业。而在日本制裁前，韩国在氟聚酰亚胺、光 刻胶和高纯度氟化氢三个细分领域对日本的依赖度分别为93.7% 91.9%和 43.9%,日本在这三个领域的全球市场份额也分别高达90%、72%和70%。考虑 到半导体行业下游认证壁垒高，客户粘性较大，一旦失去供货，短期内迅速找到 替代厂商存在困难，因而韩国相关产业短期受到冲击难以防止。表1:日本限制出口韩国三种材料概况氟聚酰亚胺光刻胶高纯度氧化氢用途0LED面板材料芯片涂胶过程清洗和

11、蚀刻芯片日本全球市场份额%对日依赖度%资料来源:韩国贸易协会、日本财务省、前瞻产业研究院,采取“断供”的制裁手段，虽能在短期予以对手以痛击，但对于制裁国而言，也 将面临着中长期被排除在产业链之外的风险，或将永远失去被制裁国的市场份额； 同时也会刺激被制裁国坚决进行国产替代的决心。对于拥有这一经验的日本来说， 此次对韩国采取断供核心材料的初衷也是出于警示作用，对韩国此前的“所作所 为予以还击，对于本国企业面临失去韩国市场份额的潜在风险是有所预估的， 因而在8月7日日本批准日企提出的向韩国出口极深紫外光致抗蚀剂的个别许 可，以减小本国企业所受到的冲击。不过韩国半导体工业协会高级官员安基贤曾表示：“

12、即使日本的限制恢复到2019 年7月之前的水平，决定使用其他技术的公司也不会再改变J今年2月，韩国 产业通商资源部表示，将力争实现材料、零部件和设备的自给自足，在今年内完 全消除日本限制出口3种材料所带来的供应紧张。大国博弈下，断供制裁手段一 经出现，被制裁国进行国产替代的进程将加速向前，而韩国作为半导体制造大国， 失去这一市场对日本企业的冲击也将是巨大的。3美国限制关键零部件出口，国产替代乃大势 所趋当前中美在科技领域之间的摩擦正如20世纪70年代美日半导体摩擦所处阶段， 美国在技术上领先，通过限制关键零部件的出口、限制中国企业在美投资等举措 遏制中国半导体行业的开展。5月15日美国商务部发

13、布公告限制华为使用美国技 术和软件在海外设计和制造半导体的能力，意味着台积电等代工厂在现有生产线 的基础之上将不能为华为提供芯片等关键产品，在半导体领域对华的遏制举措进 一步升级。半导体产业作为被美国“卡脖子”的领域，提高其国产化率并实 现自主可控将是大势所趋。对标日本VLSI计划，国内在工信部和财政部的指导下成立了国家集成电路产业投资基金（简称“国家大基金”），2014-2019年是国家大基金一期的投 资期，注册资金987.2亿元，最终募集规模到达1387.2亿元，原那么是帮助 较有竞争力的企业做大做强，在集成电路制造业的投资额要不低于总规模的 60%,同时兼顾设计、封装、测试等其他上下游环

14、节。从最终投向来看基本 符合一期的投资要求，半导体制造业占比67%,设计占比17%,封测占比 10%,设备和材料占比6%。图5:国家大基金二期投资布局图4：国家大基金一期主要投向半导体制造业设备和材料支挣龙头企业做大做我，提升成线能力将时在创位机、薄膜谈各、测试谈各和清洗设各等体域已布局的企业保持高抬度的持续支持，推动龙头企业做大最昼，附成系列化、成套化装备产品。加快开展先刻机、化学机俄研磨设备等核心设备以及关就零部件的投资布局.保障产业械平安产业聚集，抱团开展,组团出海粕动珑立&属的集成电珞 我各产业园区,吸引装各 零部件企支集中投资设立 研发中心以产业化基地， 实现产业资源和人才的聚 集,

15、加镣上下游联系交流, 提升“发和产业化配会能 力.彩成产业聚集的合力. 枳械抱动国内外资源络合、 til.壮大用干企业继续推进国产装备材料的下游应用债推速因产兼备材料的 下游应用.充分发挥G金 在全产业怅布局的优势. 持续推造装备与臬成电拈 制造、材调企生的捺同. 加强忌金所投企业间的上 下游代合，加建我备从验 在到“批量采购”的过程. 为本土装备材料企业争取 更多的市场机会资料来源:电子说,资料来源:公开资料,而国家大基金二期也已于2019年10月正式成立，注册资本提升至2041.5 亿元。根据此前国家大基金总裁在半导体集成电路零部件峰会上的表述，国 家大基金二期的投资布局将分为三个方向，一

16、是将对已布局的企业保持高强 度的持续支持，推动龙头企业做大做强；与此同时，还将继续填补空白，保 障半导体产业链平安，预计大基金一期投资占比拟少的上游设备和材料领域 将是二期的重点支持方向；此外，还将推动产业聚集，积极推动国内外资源 整合。在美国对华半导体产业遏制举措逐步升级的背景下，国家大基金将会加大对 国内半导体产业链的支持力度。目前基金二期已陆续投资紫光瑞展和中芯南 方两个工程，未来将继续对产业链关键环节予以重点支持。尽管短期企业生 存环境将明显恶化，但从日本及韩国对抗科技制裁的经验来看，限制关键零 部件出口这一行为，不仅会将本国企业排除在产业链之外，失去已有市场份 额，而且更会激发被制裁国攻克关键技术的决心。