01常用半导体器件练习题

1、第1章常用半导体器件一选择题1、半导体导电的载流子是C，金属导电的载流子是A_。电子B.空穴C.电子和空穴D.原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是_A型半导体。A.PB.NC.PND.电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是B型半导体。A.PB.NC.PND.空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是A；P型半导体中多数载流子是1，少数载流子是。A.空穴B.电子C.原子核D.中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于D，少数载流子浓度取于B。A.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U,此时，电压U的正端应接PN

2、结的A,负端应接PN结B。A.P区B.N区7、二极管的反向饱和电流主要与_有关。（当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。）A.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管A的关系曲线。A.VD-IDB.VD-rDC.ID-rDD.f-ID9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的C_。A.正极B.负极C.无法确定10、下列器件中，B不属于特殊二极管。A.稳压管B.整流管C.发光管D.光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压

3、二极管的C。A正向特性B反向特性C.反向击穿特性12、稳压管的稳定电压VZ是指其D。A.反向偏置电压B.正向导通电压C.死区电压D.反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻A。（反压下，光照产生光电流）14、15、16、A.减少B.增大C.基本不变D.无法确定三极管的主要特征是具有C作用。A.电压放大B单向导电C.电流放大D.电流与电压放大三极管处于放大状态时AA.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏NPN三极管工作在放大状态时，B.发射结正偏,D.发射结反偏,集电结正偏集电结正偏其两个结的偏置为A。A.UBE0、UBEUCEB.UBE0、UBE0、UBEUCE.对于PN

4、P型三极管，为实现电流放大，D.UBE0各极电位必须满足_BA.UCUBUEB.UCUBUCUED.UBUCUBUEB.UCUBUCUED.UBUCUE19、输入特性曲线反映三极管_D关系的特性曲线。A.UCE与iBB.uCE与iCC.uBE与iCD.uBE与iB20、输出特性曲线反映三极管B关系的特性曲线。A.uCE与iBB.uCE与iCC.uBE与iCD.uBE与iB21、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为，用S表示的电极称为22、场效应管的转移特性曲线反映的是D之间的关系。B，用G表示的电极称为AB.源极A.栅极C.基极D.漏极B.BE与BA.vDS与iDviviC.CE与CD.GS

5、与D23、场效应管的输出特性曲线反映的是B之间的关系A.vGS与B。vDS与24、251.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.CviDS与CD。viCE与C图3.4(a)、(b)分别代表DP沟道增强型与N沟道耗尽型N沟道增强型与N沟道耗尽型N沟道耗尽型与P沟道增强型P沟道耗尽型与N沟道增强型场效应管的低频跨导表征C_绝缘栅场效应管。的控制作用。A.C.ds对vigs对dvvB。gs对dsivD。g对ds填空题半导体具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。温度_升高将使半导体的导电能力大大增加。TOC o 1-5 h z半导体材料中有两种载流子，即和。杂质半导体按导电类型分为P型半

6、导体和N型半导体。N型半导体多子是一自由电子：P型半导体多子是空穴PN结的基本特点是具有单向导电性,PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止二极管的伏安特性有：正向、反向和反向击穿特性。二极管的反向电流随外界温度的升高而:反向电流越小，说明二极管的单向导电性越好。一般硅二极管的反向电流比锗管小很多。二极管处于反偏时，呈现电阻_无限大。二极管反向饱和电流IS会随温度升高而增大。二极管的最高反向工作电压URM的含义是二级管工作时允许外加的最大反向电RM压。稳压二极管通常是工作在反向击穿状态下的特殊二极管，发光二极管的PN结工作在正向偏置状态时会发光。光电二极管又称红远外线接收二极管,其PN结工作在一反

7、向偏置状态,它的反向电流会随光照强度的增加而增加。14.三极管是一种电流控制器件；而场效应管是一种_电压控制器件。三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结正向偏置：集电结反向偏置。三极管起放大作用时的内部要求是：基区很薄，参杂浓度低；发射区参杂浓度高；集电。三极管具有电流放大作用的实质，它是利用基极电流的变化控制集电极电流的变化。三极管输出特性曲线分为截止区、饱和区和放大区。TOC o 1-5 h z三极管的三个管脚电流关系是ie=Ir_+ic，直流电流放大系数的定义式B=（ic_二匕BCCICEO）/IB，交流电流放大系数的定义式氏=i/。CEOBCb场效应管属于_压控流型控制元件。绝缘栅

8、场效应管分为_增强型和耗尽_型两类，各类又有_N_沟道和_P_沟道两种。场效应管可分为可变电阻区、夹断区、_恒流区、截断区四个区域。作为放大器件使用时，应工作在_恒流区。场效应管的低频跨导，表征_栅源电压对_漏极电流控制能力的重要参数。N沟道增强型MOS管的栅源电压为正时能控制漏极电流，耗尽型MOS管的栅源电压为正或为_负时均能控制漏极电流。开启电压UT是指Vds为定值时，使增强型MOS管使漏极电流大于零所需的最小的栅源电压。夹断电压Up是指Vds为定值时，使耗尽型MOS管使漏极电流为规定的微小电流时的栅源电压。三问答题1画出二极管的电路符号和文字符号，并说明二极管的主要特性。2.已知三极管的

9、B=60，在放大电路中测得IC=8mA，求IB,IE。CBE3二极管电路如图所示，假设二极管为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，4并求出AO两端的电压UAOVD1VD2一KA3EQ12V=8V0管电路如所示，设输入电压u(t)波形如图b所示，在0t5ms的时间间隔内，试绘出uo(t)的波形，设二极管是理想的。i电路如图a所示，设二极管是理想的。(1)画出它的传输特性；(2)若输入电压u.=20sinet(V)如图b所示，试根据传输特性绘出一周期的输出电压uOiO的波形。.v电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适，u的波形如图（c）所示。试分别画出uoi和uO2的波形。已知两只晶体管的电流放大系数0分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出