单晶硅生产工艺及应用的研究毕业论文

1、摘 要单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体别离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。 在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速开展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京 2021 年奥运会将把“绿色奥运做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。单晶硅产品包括 3”-6”单晶硅圆形棒、片及方

2、形棒、片，适合各种半导体、电子类产品的生产需要，其产品质量经过当前世界上最先进的检测仪器进行检验，到达世界先进水平。本次毕业设计是对单晶硅的生产工艺和单晶硅的应用领域及应用前景做相应的研究。本文首先对单晶硅的加工方法、加工工艺做了详细的介绍，然后对以单晶硅为原产品加工出来的不同产品的应用做了具体的分析。关键词：单晶硅 生产工艺 应用领域 应用前景 目 录摘要. .-1-绪论.-3- 一单晶硅概述.-4-1. 根本概念.-5- 2. 单晶硅的物理性质.-5- 3. 单晶硅的主要用途.-5-4. 单晶硅研究前景 .-5- 5. 单晶硅市场开展概况 .-7-二单晶硅的生产工艺.-7-(一) 多晶硅制

3、作单晶硅的料.-7- 二 单晶硅的制造过程.-8-三直拉法单晶硅工艺. -8- 1制造设备.- 8- 2.原理简介.- 9- 3.直拉法单晶硅工艺过程. .- 9- 4.改进后的直拉.- 11 (四)悬浮区熔法. -11 三 单晶硅的应用.-12 - 一单晶硅的应用前景. - 12- 二 单晶硅太阳能电池 .- 12- 1. 根本结构.-12- 2. 太阳能电池片制作工艺流程.- 16- 参考文献.-18- 致谢.-19- 绪 论单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面

4、取向相同的晶粒，那么这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为 6 英寸、8 英寸、12 英寸300 毫米及 18 英寸450 毫米等。直径越大的圆片，芯片的本钱也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法CZ、区熔法FZ和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在 38 英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整

5、流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在 36 英寸。外延片主要用于集成电路领域。单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料和光伏行业中最根底性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域。 硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大局部为 2.5、3、4、5 英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大局部集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于 1998年成功地制造出了 12

6、 英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的开展时期。目前，全世界单晶硅的产能为 1 万吨/年，年消耗量约为 6000 吨7000 吨。未来几年中，世界单晶硅材料开展将呈现以下开展趋势：1 单晶硅产品向 300mm 过渡，大直径化趋势明显随着半导体材料技术的开展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主流产品是 200mm，逐渐向300mm 过渡，研制水平到达 400mm450mm。据统计，200mm 硅片的全球用量占 60左右，150mm 占 20左右，其余占 20左右。Gartner 发布的对硅片需求的 5 年预测说明，全球 300

7、mm 硅片将从 2000 年的 1.3增加到 2006 年的21.1。日、美、韩等国家都已经在 1999 年开始逐步扩大 300mm 硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和方案建的 300mm 硅器件生产线约有 40 余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有 20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。世界半导体设备及材料协会SEMI的调查显示，2004 年和 2005 年，在所有的硅片生产设备中，投资在 300mm 生产线上的比例将分别为 55和 62，投资额也分别到达 130.3亿美元和 184.1 亿美元，开展十分迅猛。而在 1996 年时，这一比重还仅仅是零。2、硅材料工业开

8、展日趋国际化、集团化、生产高度集中化 研发及建厂本钱的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪 90 年代末，日本、德国和韩国主要是日、德两国资本控制的 8 大硅片公司的销量占世界硅片销量的 90以上。根据 SEMI 提供的 2002 年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shiners、SUMCO、Wackier、MEMC、Komatsu 等 5 家公司占市场总额的比重到达 89，垄断地位已经形成。3、硅基材料成为硅材料工业开展的重要方向 随着光电子和通信产业的开展，硅基材料成为硅材料工业开展的重要方向。硅基材料是在常规

9、硅材料上制作的，是常规硅材料的开展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括 SOI绝缘体上硅、Gesso 和 应力硅。目前 SOI 技术已开始在世界上被广 SOI泛使用， 材料约占整个半导体材料市场的 30左右，2021 年占到 50左右的市场。 Suites公司世界最大的 SOI 生产商的 2000 年2021 年 SOI 市场预测以及 2005 年各尺寸 SOI硅片比重预测了产业的开展前景。 4、硅片制造技术进一步升级半导体芯片集成电路设计幅员芯片制造工艺 目前世界普遍采用先进的切、 抛和洁净封装工艺， 磨、 使制片技术取得明显进展。在日本，200mm硅片已有 50采用线切割机进

10、行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少 10。日本大型半导体厂家已经向 300mm 硅片转型，并向 0.13m 以下的微细化开展。另外，最新尖端技术的导入，SOI 等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对 300mm 硅片的设备投资，针对设计规那么的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。 一 单晶硅概述(一)根本概念 单晶硅是硅的单晶体，是具有根本完整的结构的点阵晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求到达 99.9999，甚至到达 99.9999999以上。 单晶硅晶体硬而脆具有金属光泽，能导电，但

11、导电率不及金属，局部随温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅是重要的半导体材料，在单晶硅中掺入微量的 IIIA族元素，形成 P 型半导体。掺入微量的第 vat 族元素，形成 N 型半导体。形成 N 型和 P 型导体结合在一起，就可以做成太阳能电池，将辐射能转变为电能，在开发电能方面是一种很有前途的材料。(二)单晶硅的物理性质 硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从 19 世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪 60 年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前

12、的集成电路大多数是用硅材料制造的。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，那么这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的A 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成 p 型硅半导体；如掺入微量的A 族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成 n 型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。(三)单晶硅的主要用途 在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑

13、、冰箱、 、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中各个角落。 人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。航天飞机、宇宙飞船、人造卫星都要以单晶硅作为必不可少的原材料。 直拉单晶硅产品，可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体别离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位 (四)单晶硅研究前景 日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大局部为 2.5、3、4、5 英寸硅锭和小直

14、径硅片。中国消耗的大局部集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于 1998 年成功地制造出了 12 英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的开展时期。目前，全世界单晶硅的产能为 1 万吨/年，年消耗量约为 6000 吨7000吨。未来几年中，世界单晶硅材料开展将呈现以下开展趋势： 1.微型化 随着半导体材料技术的开展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主流产品是 200mm，逐渐向 300mm 过渡，研制水平到达 400mm450mm。据统计，200mm 硅片的全球用量占 60左右，150mm 占 20左右，

15、其余占 20左右。Gartner 发布的对硅片需求的5 年预测说明，全球 300mm 硅片将从 2000 年的 1.3增加到 2006 年的 21.1。日、美、韩等国家都已经在 1999 年开始逐步扩大 300mm 硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和方案建的 300mm 硅器件生产线约有 40 余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有 20 多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。 世界半导体设备及材料协会SEMI的调查显示，2004 年和 2005 年，在所有的硅片生产设备中，投资在 300mm 生产线上的比例将分别为 55和 62，投资额也分别到达 130.3 亿美元和 18

16、4.1 亿美元，开展十分迅猛。而在 1996 年时，这一比重还仅仅是零。 2.国际化、集团化、集中化 研发及建厂本钱的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪 90 年代末，日本、德国和韩国主要是日、德两国资本控制的 8 大硅片公司的销量占世界硅片销量的 90以上。根据 SEMI 提供的 2002 年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shiners、SUMCO、Wackier、MEMC、Komatsu 等 5 家公司占市场总额的比重到达89，垄断地位已经形成。 3.硅基材料 随着光电子和通信产业的开展，硅基材料成为硅材料

17、工业开展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的，是常规硅材料的开展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括 SOI、Gesso 和应力硅。目前 SOI 技术已开始在世界上被广泛使用，SOI 材料约占整个半导体材料市场的 30左右，预计到 2021 年将占到 50左右的市场。Suites 公司世界最大的 SOI 生产商的 2000 年2021 年 SOI 市场预测以及 2005 年各尺寸 SOI 硅片比重预测了产业的开展前景。 4.硅片制造技术进一步升级 半导体芯片集成电路设计幅员芯片制造工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。在日本，200mm

18、 硅片已有 50采用线切割机进行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少 10。日本大型半导体厂家已经向 300mm 硅片转型，并向 0.13m 以下的微细化开展。另外，最新尖端技术的导入，SOI 等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对 300mm 硅片的设备投资，针对设计规那么的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。 硅是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体硅，多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为 4 价，其次为 2 价；在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱；在高温下化

19、学性质活泼，能与许多元素化合。 硅材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错卑微缺陷单晶。晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。 多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反响提纯后到达一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最根底的原材料。(五) 单晶硅市场开展概况 2007 年，中国市场上有各类硅单晶生长设备 1500 余台，分布在 70 余家生产企业。2007 年 5 月 24 日，国家“863”方案超大规模集成电路IC配套材料重大专项总体组在北京组织专

20、家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承当的“TDR-150 型单晶炉12 英寸 MCZ 综合系统完成了验收。这标志着拥有蜘蛛知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备，在我国首次研制成功。这项产品使中国能够开发具有自主知识产权的关键制造技术与单晶炉生产设备，填补了国内空白，初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。 硅材料市场前景广阔，中国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为国际公认的事实，为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的开展做出了较大的奉献。二 单晶硅的生产工艺一多晶硅制作单晶硅的原料 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅

21、或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅材料是制备单晶硅的唯一原料和生产太阳能电池的原料，是以工业硅为原料经一系列的物理化学反响提纯后到达一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最根底的原材料。 多晶硅按纯度分类可以分为冶金级工业硅、太阳能级、电子级。 (1)冶金级硅MG：是硅的氧化物在电弧炉中被碳复原而成。一般含 Si 为 90 - 95以上，高达 99.8 以上。 (2)太阳级硅 SG：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。一般认为含 Si 在 99.99

22、99.999946 个 9。 (3) 电 子 级 硅 EG ： 一 般 要 求 含 Si got 99.9999 以 上 ， 超 高 纯 达 到99.999999999.999999999911 个 9。其导电性介于 1041010 欧厘米。 多晶硅是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏电池产业的最主要、最根底的功能性材料。主要用做半导体的原料，是制做单晶硅的主要原料，可作各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路、电子计算机芯片以及红外探测器等。 多晶硅生产技术主要有：改进西门子法、硅烷法和流化床法。正在研发的还有冶金法、气液沉积法、重掺硅废料法等制造低本钱多晶硅的新工艺。世界上

23、85的多晶硅是采用改进西门子法生产的，其余方法生产的多晶硅仅占 15。西门子法三氯氢硅复原法是以 Hall或 Cl2、H2和冶金级工业硅为原料，将粗硅工业硅粉与 Hall 在高温下合成为 SiHCl3，然后对 SiHCl3 进行化学精制提纯，接着对 SiHCL3 进行多级精馏，使其纯度到达 9 个 9 以上，其中金属杂质总含量应降到 0.1ppba以下，最后在复原炉中 在 1050的硅芯上用超高纯的氢气对 SiHCL3 进行复原而长成高纯多晶硅棒。 二单晶硅的制造过程单晶硅的生产过程包括以下几个步骤：加料熔化缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长 1加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质依电阻

24、的或型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 2熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后翻开石墨加热器电源，加热至熔化温度1420以上，将多晶硅原料熔化。 3缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小46mm由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体外表，产生零位错的晶体。 4放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 5等

25、径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负之间，这段直径固定的局部即称为等径局部。单晶硅片取自于等径局部。 6尾部生长：在长完等径局部之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了防止此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。 (三)直拉法单晶硅工艺 直拉法也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉发生长单晶的设备和工艺比拟简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电

26、阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70%80%是用直拉法生产的。 1.制造设备 单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大局部组成。在国内，单晶硅生长炉主要有江南电力光伏科技生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)，上虞晶盛机电工程生产的IJS系列TDR80A，TDR80B ，TDR85A ，TDR95A型全自动晶体生长炉，中国西安理工大学研究所生产的主要产品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。 (1)主机局部 机架，双立柱 双层水冷式结构炉体 水冷式阀座 晶体提升及旋转机构 坩埚提升及旋转机构 氩气系统 真空及自动炉压检

27、测控制 水冷系统及多种平安保障装置 留有二次加聊口 2加热器电源 全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件。配以特效高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关(IVS)及CPU独立控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。 3计算机控制系统 采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配置大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径ADC系统和具有独立知识产权的“全自动CZ法晶体生长SCADA监控系统，可实现从抽真空检漏炉压控制熔料稳定溶接引晶放肩转肩等径收尾停炉全过程自动控制。 2.原理简介 首先，把高纯度的原料多晶硅放入高纯石英坩埚，通过石墨加

28、热器产生的高温将其熔化。然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体外表，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长。接着，控制籽晶生长出一段100mm左右、直径为35mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程就是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75300mm,这个过程称为放肩。接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体。最后，待大局部硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一

29、个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就根本完成，进行一定的保温冷却后就可以取出。 3.直拉法单晶硅工艺过程 1工艺过程 引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体； 缩颈：生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防止籽晶中的位错延伸到晶体中； 放肩：将晶体控制到所需直径； 等径生长：根据熔体和单晶炉情况，控制晶体等径生长到所需长度； 收尾：直径逐渐缩小，离开熔体； 降温：降低温度，取出晶体，待后续加工。 2生产过程中要注意的几个根本问题 a.最大生长速度晶体生长最大速度与晶体中的纵向温度梯度、晶

30、体的热导率、晶体密度有关。提高晶体中的温度梯度，可以提高晶体生长速度；但温度梯度太大，将在晶体中产生较大的热应力，会导致位错等晶体缺陷的形成，甚至会使晶体产生裂纹。为了降低位错密度、晶体实际生长速度往往低于最大生长速度。 b.熔体中的对流相互相反旋转的晶体(顺时针)和坩埚所产生的强制对流是由离心力和向心力，最终由熔体外表张力梯度所驱动的。所生长的晶体的直径越大(坩埚越大)，对流就越强烈，会造成熔体中温度波动和晶体局部回熔，从而导致晶体中的杂质分布不均匀等。实际生产中，晶体的转动速度一般比坩埚快13倍，晶体和坩埚彼此的相互反向运动导致熔体中心区与外围区发生相对运动，有利于在固液界面下方形成一个相

31、对稳定的区域，有利于晶体稳定生长。 c.生长界面形状(固液界面)固液界面形状对单晶均匀性、完整性有重要影响，正常情况下，固液界面的宏观形状应该与热场所确定的熔体等温面相吻合。在引晶、放肩阶段，固液界面凹向熔体，单晶等径生长后，界面先变平后再凸向熔体。通过调整拉晶速度，晶体转动和坩埚转动速度就可以调整固液界面形状。d.生长过程中各阶段的差异直拉法的引晶阶段的熔体高度最高，裸露坩埚壁的高度最小，在晶体生长过程直到收尾阶段，裸露坩埚壁的高度不断增大，这样造成生长条件不断变化(熔体的对流、热传输、固液界面形状等)，即整个晶锭从头到尾经历不同的热历史；头部受热时间最长，尾部最短，这样会造成晶体轴向、径向

32、杂质分布不均匀。 4.改进后的直拉 改进的直拉技术主要有磁控直拉技术、连续生长技术、液体覆盖直拉技术。 1磁控直拉技术 在直拉法中，氧含量及其分布是非常重要又难于控制的参数，主要是熔体中的热对流加剧了熔融硅与石英坩埚的作用，即坩埚中的氧、硼、铝等杂质易于进入熔体和晶体。热对流还会引起熔体中的温度波动，导致晶体中形成杂质条纹和旋涡缺陷。 半导体熔体都是良导体，对熔体施加磁场，熔体会受到与其运动方向相反的洛伦磁力作用，可以阻碍熔体中的对流，这相当于增大了熔体中的粘滞性。在生产中通常采用水平磁场、垂直磁场等技术。 磁控直拉技术于直拉法相比所具有的优点在于减少了熔体中的温度波动。一般直拉法中固液界面附

33、近熔体中的温度波动达10C以上，而施加0.2T的磁场，其温度波动小于1C。这样可明显提高晶体中杂质分布的均匀性，晶体的径向电阻分布均匀性也可以得到提高；降低了单晶中的缺陷密度；减少了杂质的进入，提高了晶体的纯度。这是由于在磁场作用下，熔融硅坩埚的作用减弱，使坩埚中的杂质较少进入熔体和晶体。将磁场技术与晶体转动、坩埚转动等工艺参数结合起来，可有效控制晶体中氧浓度的变化；由于磁粘滞性，使扩散层厚度增大，可提高杂质纵向分布均匀性：有利于提高生产率。采用磁控直拉技术，如用水平磁场，当生长速度为一般直拉法两倍时，仍可得到质量较高的晶体。 磁控直拉技术主要用于制造电荷耦合(CCD )器件和一些功率器件的硅

34、单晶。也可用于GaAs、GaSb等化合物半导体单晶的生长。 2为了提高生产率，节约石英坩埚(在晶体生产中占相当比例)，开展了连续直拉生长技术，主要是重新装料和连续加料两种技术： 重新加料直拉生长技术：可节约大量时间(生长完毕后的降温、开炉、装炉等)，一个坩埚可用屡次。连续加料直拉生长技术：除了具有重新装料的优点外，还可保持整个生长过程中熔体的体积恒定，提高根本稳定的生长条件，因而可得到电阻率纵向分布均匀的单晶。连续加料直拉生长技术有两种加料法：连续固体送料和连续体送料法。 3液体覆盖直拉技术 液体覆盖直拉技术是对直拉法的一个重大改进，用此法可以制备多种含有挥发性组元的化合物半导体单晶。 主要原

35、理：用一种惰性液体(覆盖剂)覆盖被拉制材料的熔体，在晶体生长室内充入惰性气体，使其压力大于熔体的分解压力，以抑制熔体中挥发性租元的蒸发损失，这样就可按通常的直拉技术进行单晶生长。 对惰性液体(覆盖剂)的要求：密度小于所拉制的材料，既能浮在熔体外表之上； 对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的，也不能与熔体混合，但要能浸晶体和坩埚；熔点要低于被拉制的材料且蒸汽压很低； 有较高的纯度，熔融状态下透明。广泛使用的覆盖剂为三氧化二硼，密度/立方厘米，软化温度450C,在1300C时蒸汽压仅为13Pa，透明性好，粘滞性也好。此种技术可用于生长GaAs 、InP、GaP和InAs单晶。 四悬浮区熔法 悬浮区熔法

36、是在20世纪50年代提出并很快被拉应用到晶体制备技术中，主要于提纯和生长硅单晶。 根本原理：依靠熔体的说明张力，使熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间，通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶。不使用坩埚，单晶生长过程不会被坩埚材料污染，由于杂质分凝和蒸汽效应，可以生长出高电阻率硅单晶。在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直上方，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠外表张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动，将其转换成单晶。 悬浮区熔法制备的单晶硅氧含量和杂质含量很低，经过屡次区熔提炼，可得到低氧高

37、阻的单晶硅。如果把这种单晶硅放入核反响堆，由中子嬗变慘杂法对这种单晶硅进行慘杂，那么杂质将分布得非常均匀。这种方法制备的单晶硅的电阻率非常高，特别适合制作电力电子器件。目前悬浮区熔法制备的单晶硅仅占有很小市场份额。三单晶硅的应用(一) 单晶硅的应用前景 单晶硅建设工程具有巨大的市场和广阔的开展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。 近年来，各种晶体材料，等特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高科技产业的开展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息技术产业成为全球经济开展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越

38、来越多的关注和重视。 与此同时，鉴于常规供应的能源有限性和环保压力的增加，世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可连续开展战略的重要内容。 在跨入21世纪门槛后，世界大多数国家踊跃参与，以致在全球范围掀起了太阳能开发利用的“绿色能源热，一个广泛的大规模的利用太阳能的时代正在来临，太阳能级单晶硅产品也将因此炙手可热。 此外，包括我国在内的各国政府也出台了一系列“阳光产业的优惠政策，给予相关行业重点扶持，单晶硅产业呈现出美好的开展前景。 二单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯

39、的单晶硅棒，材料性指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片厚度约0.3毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。 1.根本结构生产电池片的工艺比拟复杂，一般要经过硅片检测、外表制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。 1硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池转换效率的上下，因此需要对料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片外表不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂

40、纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合局部和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片外表不平整度进行检测；同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率硅片类型；另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。2外表制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅外表形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在外表

41、的屡次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为7085C，为了获得均匀的绒面还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为洛合剂，以加快硅的腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约2025um，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过外表准备的硅片都不宜在水中久存，以防玷污，应尽快扩散制结。 3扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载局部

42、、废气室、炉体局部和气柜局部等四大局部组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850-900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反响，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的外表层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于百分之十，少子寿命可大于10ms。制造PN结是太多电池生产最根本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。

43、4去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反响生成可溶性的洛和物云氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片外表形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，三氯氧磷与氧气反响生产五氧化二磷淀积在硅片外表。五氧化二磷与硅反响又生产二氧化硅和磷原子，这样就在硅片外表形成一层含有磷元素的二氧化硅，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等局部组成，主要动力源有氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反响生成易挥发的四氟化硅气体。假设氢氟酸过量，反响生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反响生成可溶性的洛

44、和物六氟硅酸。5等离子刻蚀 由于在扩散过程，即使采用背靠背扩散，硅片的所有外表包括边缘都将不可防止地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的反面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的慘杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反响气体四氟化碳的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反响腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反响基团由于扩散或者在电场作用下到达二氧化硅外表，在那里与被刻蚀材料外表发生化学反响

45、，并形成挥发性的反响生成物脱离被刻蚀物质外表，被真空系统抽出腔体。 6镀减反射膜 抛光硅外表的反射率为35%，为了减少外表反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品开温到预定的温度，然后通入适量的反响气体硅烷和氨气，气体经一系列化学反响和等离子体反响，在样品外表形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干

46、预原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。 7丝网印刷 太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出；需要在电池外表上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。丝网印刷是采用压印的方式将预订的图形印刷在基板上，该设备由电池反面银铝浆印刷、电池反面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三局部组成。其工作原理为：利用丝网图形局部网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。油墨在移动中被刮刀从图形局部的网孔中挤压到基片上。由于浆料的

47、粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮极始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程。 8快速烧结 经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在温度到达共同温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。 烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升；燃烧阶段中烧结体内

48、完成各种物理化学反响，形成电阻率结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度到达峰值；降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。 9外围设备 在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特气等外围设施。消防和环保设备对于保证平安和持续开展也显得尤为重要。一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求到达中国电子级水GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在1520摄氏度。真空排气量在3

49、00M/H左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如硅烷的平安因素还，还需要单独设置一个特气间，以绝对保证生产平安。另外，硅烷燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。 组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增强了电池的抗击强度。产品的高质量和高寿命是赢得客户满意的关键，所以组件板的封装质量非常重要。2.太阳电池制作工艺过程 1电池测试：由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以

50、应根据其性能参数进行分类；电池测试即通过测试电池的输出参数(电流和电压)的大小对其进行分类。以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。 2正面焊接：是将汇流带焊接到电池正面(负极)的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。焊接用的热源为一个红外灯(利用红外线的热效应)。焊带的长度约为电池边长的反面电极相连。 3反面串接：反面焊接是将36片电池串接在一起形成一个组件串，我们目前采用的工艺是手动的，电池的空位主要靠一个具般，上面有36个放置电池片的凹槽，槽的大小和电池的大小相对应，槽的位置已经设计好，不同规格的组件使用不同的模板，操作者使用电烙铁和焊锡

51、丝将“目前电池的正面电极(负级)焊接到“后面电池的反面电极(正极)上，这样依次将36片串接在一起并组件串的正负极焊接出引线。 4层压敷设：反面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂(primer)以增加玻璃EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好根底。(敷设层次：由下向上：玻璃、EVA、电池、EVA、玻璃纤维、背板)。 5组件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内部的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起，最后冷却取出组件。层压工艺

52、是组件生产的关键一步，层压温度层压时间根据EVA的性质决定。我们使用快速固化EVA时，层压循环时间约为25分钟。固化温度为150摄氏度。 6修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。 7装框：类似与给玻璃装一个镜框；给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充，各边框间用角键链接。 8焊接接线盒：在组件反面引线处焊接一个盒子，有利于电池与其他设备或电池间的连接。 9高压测试：高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压，测试组件的耐压性和绝缘强度，以保证组件在恶劣的自然条件(雷击等)下不

53、被损坏。 10组件测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。 参 考 文 献1陈义镛.功能分子.上海：上海科学技术出版社，19882徐支祥译.聚合物科学与工程学根本原理.北京：科学出版社，19883朱永群.高分子根底.杭州：浙江教育出版社，19854唐培 .精细有机合成化学及工艺学(第二版).天津：天津大学出版社，19935高鸿宾.有机化学简明教程.天津：天津大学出版社，20016唐培 .中间体化学及工艺学.北京：化学工艺出版社，19847张铸勇.精细有机合成反响.上海：华东化工学院出版社，19908何九龄.高等有机化学.北京：化学工业出版社，19879姚

54、蒙正等.精细化工产品合成原理.北京：中国石化出版社，200010陈敏元译.近代有机电化学的动向和未来，1980致 谢 时间如弹指一挥，在赣西学院的三年生活也快要结束了。毕业论文的设计工作也顺利的完成了。在这里我诚挚的感谢我的老师和同学，他们的伴随是我人生路上最大的幸福。 感谢我的指导老师 对我的亲切关心和细心指导。在论文的选题、参考文献的选取以及内容格式的设计方面，简老师给了我很多的帮助。在论文的设计过程中，我遇到了好多难题，她总能在第一时间帮助我解决问题，并给我提出启发性的建议。 感谢我的老师们在学习上对我的谆谆教诲和在生活上给我的鼓励帮助，是他们把知识一点一点传授给我，他们对我的关心和教育

55、我会铭记在心里。能在赣西科技职业学院接受他们的教育是我最大的荣幸。 感谢陪伴在我身边的每一位同学和朋友。不管是在学校还是生活中在我遇到困难时他们总是热情的帮助。 感谢我的家人，是他们给予了我生命并竭尽全力给予了我接受教育的时机，是他们诚挚的爱和温馨的鼓励支持我完成了学业，养育之恩莫齿难忘。毕业论文是一次系统学习的过程，是对自己专业知识水平的一个检验。由于专业知识水平还不够高和时间的仓促，论文中肯定会有一些欠缺和错误，很恳请老师多多批评指正。赣西职业技术学院毕 业 论 文单晶硅生产工艺及应用的研究系别名称： 新能源工程系 专业班级：光伏材料加工与应用学生姓名： 指导教师： 2012年10月15日

56、 内部资料仅供参考9JWKffwvG#tYM*Jg&6a*CZ7H$dq8KqqfHVZFedswSyXTy#&QA9wkxFyeQ!djs#XuyUP2kNXp6X4NGpP$vSTT#UE9wEwZ#QcUE%&qYpEh5pDx2zVkum&gTXRm6X4NGpP$vSTT#&ksv*3tnGK8!z89AmYWpazadNu#KN&MuWFA5uxGjqv$UE9wEwZ#QcUE%&qYpEh5pDx2zVkum&gTXRm6X4NGpP$vSTT#&ksv*3tnGK8!z89AmYWpazadNu#KN&MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwcvR9CpbK!zn%Mz849

57、GxGjqv$UE9wEwZ#QcUE%&qYpEh5pDx2zVkum&gTXRm6X4NGpP$vSTT#&ksv*3tnGK8!z89AmUE9aQGn8xp$R#͑GxGjqv$UE9wEwZ#QcUE%&qYpEh5pDx2zVkum&gTXRm6X4NGpP$vSTT#&ksv*3tnGK8!z89AmYWpazadNu#KN&MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwcvR9CpbK!zn%Mz849GxGjqv$UE9wEwZ#QcUE%&qYpEh5pDx2zVkum&gTXRm6X4NGpP$vSTT#&ksv*3tnGK8!z89AmYWpazadNu#KN&MuW

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