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文档简介

1、第三章 静态(jngti)电磁场及其边值问题的解李婷共三十七页主要(zhyo)内容静电场分析恒定(hngdng)电场分析恒定磁场分析惟一性定理镜像法共三十七页3.1 静电场分析(fnx)一个源变量两个场变量电场强度电通密度(md)(或电位移矢量)静电场分析的基本变量共三十七页积分(jfn)形式微分形式本构方程(fngchng)3.1.1 静电场的基本方程和边界条件1. 基本方程共三十七页 的法向分量(fn ling)边界条件 (the normal component) 为分界面上自由电荷面密度,不包括极化电荷。 若边界(binji)面上不存在自由电荷,则 法向连续。 的切向分量边界条件 (t

2、he tangential component) 在两种媒质分界面上, 切向连续。 2. 边界条件共三十七页3.1.2 电位(din wi)函数电位:静电场中,单位正电荷自某点移至无限远处(yun ch)电场力所作的功,称为该点的电位。定义式:如果Q点是电位参考点,则共三十七页电位是相对值。通常只要全部电荷都处在有限空间区域内,选取无限(wxin)远作为参考点,可带来很大的方便。点电荷在真空中产生的电位电位的计算(j sun)也满足叠加原理以无穷远为参考点时, n个点电荷产生的电位:共三十七页体电荷,面电荷和线电荷分布形成(xngchng)的电位:共三十七页1. 电场(din chng)强度与

3、电位的关系在球坐标系中共三十七页电位与电场强度的关系利用 ,已知电荷求场强。如果高斯面找不出来,或高斯面不规则,矢量积分就很困难这时就可以用 求场强注意:如果已知求E,则E是唯一的如果已知E求,则不是唯一的。必须(bx)通过无穷远点的=0来确定唯一的。共三十七页 无限长线(chn xin)电荷的电位 电位(din wi)参考点不能位于无穷远点,否则表达式无意义。 根据表达式最简单原则,选取r =1柱面为电位参考面,即得:无限长线电流在空间中产生的电位 共三十七页2. 电位(din wi)的微分方程高斯定理的微分形式电位与电场强度(qingd)的关系真空中的泊松方程当 时,即场中无电荷分布,则真

4、空中的拉普拉斯方程共三十七页 电位(din wi)边界条件 (electric potential boundary condition) 在介质边界两边,电位分布(fnb)同样遵照某种规律变化,这种变化规律即为电位的边界条件。 电位边界条件 共三十七页电位(din wi)的边界条件如果分界(fn ji)面上没有自由面电荷,则如果第二种媒质为导体,则共三十七页例半径为a的带电导体球,已知球体电位为U(无穷远处(yun ch)电位为0),计算球内外空间的电位函数和电场强度。解:球外空间的电位满足拉普拉斯方程,边界条件是r=a,=U;r,=0。电位及其电场均具有对称性,建立球坐标系共三十七页解:导

5、体(dot)球是等势体。时:时:共三十七页例:两块无限大接地导体(dot)平板分别置于x=0和x=a处,在两板之间的x=b处有一面电荷密度为S0的均匀电荷分布。求两导体平板之间的电位和电场。abOxy解:在两块无限大接地导体平板之间,除x=b处有均匀电荷分布外,其余空间无电荷分布,所以电位(din wi)满足拉普拉斯方程方程的解为利用边界条件共三十七页最后(zuhu)得共三十七页例:有一厚度为d,体密度为的均匀带电无限大平板(pngbn)。求空间I、II、III区域内的电位与电场强度分布。解题步骤:建立坐标系选择电位参考点列方程,求解根据边界条件确定待定常数方程(fngchng)的解为直角坐标

6、系坐标原点d/2-d/2OxyIIIIII共三十七页利用(lyng)边界条件d/2-d/2OxyIIIIII共三十七页所以(suy)电场(din chng)强度为d/2-d/2OxyIIIIII共三十七页3.1.3 电容(dinrng)(capacity) 由物理学得知,平板电容器正极板上携带的电量 q 与极板间的电位差 U 的比值是一个常数(chngsh),此常数(chngsh)称为平板电容器的电容,即电容为 电容的单位F(法拉)太大。例如半径大如地球的弧立导体的电容只有 F。实际中,通常取 F (微法)及 pF (皮法)作为电容单位。共三十七页1. 双导体(dot)的电容计算常用传输线,如

7、平行板线、平行双导线、同轴电缆都是双导体系统通常,它们的纵向尺寸远大于横向尺寸因而,可作为平行平面电场(二维场)来研究,只需计算传输线单位长度的电容。计算步骤如下:根据导体的几何形状,选取(xunq)适当的坐标系假定两导体上分别带电荷+q和-q根据假定的电荷求出E由 求得电位差求出比值C=q/U共三十七页例 已知同轴线的内导体(dot)半径为 a,外导体的内半径为b,内外导体之间填充介质的介电常数为 。试求单位长度内外导体之间的电容。 解 由于电场强度一定垂直于导体表面,因此,同轴线中电场强度方向一定沿径向方向。又因结构(jigu)对称,可以应用高斯定律。 ab 设内导体单位长度内的电量为q,

8、围绕内导体作一个圆柱面作为高斯面S,则那么内外导体之间的电位差 U 为 因此同轴线单位长度内的电容为 共三十七页例:半径为a的带电导体(dot)球,求该导体(dot)球的电容。解:导体(dot)球是等势体,设导体(dot)球的电位是U。时:共三十七页 对于多导体之间的电容计算,需要引入部分电容概念。多导体系统中,每个导体的电位不仅与导体本身电荷有关,同时还与其他导体上的电荷有关,因为(yn wi)周围导体上电荷的存在必然影响周围空间静电场的分布,而多导体的电场是由它们共同产生的。所谓部分电容,是指多导体系统中,一个导体在其余导体的影响下,与另一个导体构成的电容。 2. 部分(b fen)电容共

9、三十七页部分(b fen)电容若电容器由多个导体构成(guchng)。则电容器之间、导体与地之间均存在电容 单个导体上的电量 两个导体存在,且考虑大地影响时,相当于3个导体的情况,其中一个导体上的电量为其中C12为导体1,2间的电容,C11为导体与大地间的电容 N个导体存在,导体i上的电量与它和其它导体之间的电位差(包括大地)有关,即有式中:导体与地之间电容,称导体自电容导体之间的电容,称导体互电容说明:共三十七页3.1.4 电场(din chng)能量 1. 空间(kngjin)总电场能量空间电荷分布为 ,在空间中产生电位为 。空间中总电场能量为: 此公式只适用于静电场能量求解; 公式中 不

10、表示电场能量密度; 为空间中自由电荷分布; 积分范围 为整个空间,但可退化到电荷分布区域。关于空间总电场能量的说明: 分布电荷总能量共三十七页 若电量为q的电荷分布在导体(dot)上,导体(dot)电位为 ,则空间中总静电场能量为:对带电多导体(dot)系统式中: 为 导体上所带电量; 为 导体电位; 带电导体系统总能量注意:上面所有的电荷都是指自由电荷,不包括束缚电荷。共三十七页2. 电场能量(nngling)密度对于各向同性( xin tn xn)的线性介质, ,代入后得 则电场的总能量为 共三十七页由边界条件知在边界两边(lingbin) 连续。解:设同轴线内导体单位(dnwi)长度带电

11、量为 同轴线内外导体半径分别为a,b,导体间部分填充介质,介质介电常数为 ,如图所示。已知内外导体间电压为U。求:导体间单位长度内的电场能量。例 共三十七页两种方法(fngf)求电场能量:或应用导体系统能量(nngling)求解公式知识延展:对于由导体系统组成的电容器,其总电场能量可采用如下方法求解共三十七页3.2 导电媒质(mizh)中的恒定电场分析恒定电场:恒定电流(运动电荷(dinh)产生的电场。一、恒定电场的基本方程恒定电场的基本量:电流连续性方程:恒定电场仍然是保守场,因此小结:恒定电场基本方程为共三十七页恒定电场(din chng)中的基本方程共三十七页二、恒定(hngdng)电场

12、边界条件 用类比关系推导恒定电场边界条件。比较可知,将静电场基本方程中的 代换(di hun)为 ,则两者基本方程形式完全相同。 电位边界条件 的边界条件 的边界条件共三十七页在理想导体表面上, 和 都垂直于边界面。静电场和恒定电场性质(xngzh)比较: 场性质相同(xin tn),均为保守场。 场均不随时间改变。 均不能存在于理想导体内部。 源不同。静电场的源为静止电荷,恒定电场的源为运动电荷。 存在区域不同。静电场只能存在于导体外,恒定电场可以存在于非理想导体内。讨论: 相同点: 不同点:若 ,则 。 共三十七页内容摘要第三章 静态电磁场及其边值问题的解。通常只要全部电荷都处在有限空间区域内,选取无限远作为参考点,可带来很大的方便。体电荷,面电荷和线电荷分布形成的电位:。如果已知求E,则E是唯一的。如果已知E求,则不是唯一的。必须通过无穷远点的=0来确定唯一的。

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