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文档简介

1、半导体工艺原理与技术张晓波此方工业大学微电实验中心参增书1. Michael Quirk,Julian Serda著半导体制造技术韩郑生等译电子工业出版社.2019.12.21 Stephen A Campbell ( The Science and Engineering ofMicroelectronic Fabrication)曾莹等译微电子制造科学原理与工程技术电子工业出版社3.1 James D. Plummer, Michael Deal, Peter B. GriffinSIlicon VLSI Technology Fundamentals, Practice andModel

2、ing严利人等译硅超大规模集成电路工艺技术一理论、实践与模型电子工业出版社4.庄同曾集成电路制造技术原理与实践电子工业出版社授课内容第1章绪论4学时第2章衬底材料2学时第3章氧化2学时第4章扩散2学时第5章离子注入2学时第6章光刻4学时第7章物理汽相淀积2学时第8章化学汽相淀积2学时第9章刻蚀2学时第10章工艺集成8学时第11章后工序2学时总学时32学时实验内容1.半导体工艺多媒体实验平台的应用4学时2.工艺模拟软件的基本操作2学时3.用工艺模拟软件进行扩散工艺模拟;2学时4.用工艺模拟软件进行氧化工艺模拟5.用工艺模拟软件进行离子注入工艺模拟;2学时6.用工艺模拟软件进行CVD工艺模拟2学时7.用工艺模拟软件进行外延工艺模拟;8.用工艺模拟软件进行双极及MOS工艺模拟;4学时9.半导体薄膜厚度的测量10.集成电路芯片的解剖分析实验10学时总学时32学时第1章绪论1C发展历史电子管一晶体管一集成电路一超大规模集成电路;摩尔定路、特征尺寸、技术节点等概念;1C制造IC基本组成单元IC制造基本流程;C辅助工艺简介洁净度要求(超净间、纯水、超纯气体)常用化学试剂的安全使用;1947年发明点接触晶体管实验室晶体管发明者(从左到右):威廉肖克利,约翰巴丁,沃尔特布搅顿。他们获得了1956年的诺贝尔物理字奖世界上第一个点接触晶体管1950年发明生长结晶体管(T)1951年发明了

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