某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为e(k)= 1036k2(j),

1、1. #1-12. #1-23. #补充题:某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),其中能量零点取在价带顶.此时若k=1108m-1处电子被激发到导带,而在该处产生一个空穴. 试求此空穴的有效质量;准动量;共有化运动速度和能量. 1 习题1. #1-3#1-4 3. #2-74. #补充题:已知硅的电子有效质量为ml= 0.98m0, mt= 0.19m0 .现掺入施主杂质,请利用类氢模型估计:杂质电离能, 杂质的等效玻尔半径, 当相邻杂质原子的电子轨道发生交迭时的施主浓度 2 关于回旋共振实验结果的一些说明Si的导带回旋共振实验: B任意取向, 可观察到三

2、个吸收峰;B在110面上,仍是二个吸收峰 #1-4 Ge的导带回旋共振实验: 讨论 B沿方向, 方向, 方向; B在110面上; B任意取向.#1-3 导带的极值在方向: 讨论 B沿方向, 方向, 方向; B任意取向.3 习题1. #3-12. #3-3 又:由这计算结果,你得到什么结论?3. #3-64 习题1. #3-72. #3-8 3. #3-104.#3-115.#3-12 要求：用语言将你的计算结果总结一下(本题涉及的对数方程,可用图解法; 可借助计算机进行计算; 也可作近似估算，数量级要正确)5 习题#3-13#3-15#3-16#3-18（查图表时，至少要保证数量级正确）6 习

3、题 1. #4-2 2. #4-4 3. #4-7 4. #4-11 5. #4-15 必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响7 习题 1. #4-12 2. #4-13 3. #4-15 必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响4.补充：定性分析掺杂半导体电阻率随温度的变化关系。8 习题1. # 4-16 2. # 4-19 (应用图4-17)3. # 12-1 4. # 12-65. 补充题: Si 原子加到GaAs 材料中, 可取代Ga原子成为施主杂质或取代As原子成为受主杂质. 假定 Si 原子浓度为21014cm -3, 其中5%取代As原子, 95 %

4、取代Ga原子, 并在室温下全部电离. 求: (1) 样品的电导率. (2) 样品的Hall系数. 9 习题1. #5-3 2. #5-43. #5-7 4. #5-85. 补充题: 一块p型半导体, 画出下列情况下的能带简图, 标出费米能级或准费米能级的位置. 无光照 有光照, n= pni 有光照, 大注入10 习题1. # 5-92. # 5-123. # 5-154. # 5-165. # 5-17 (考虑掺杂浓度对迁移率的影响)6. # 5-18(Au饱和浓度可取 11 习题 1. #6-12. #6-2 ( 正向偏置, 小注入)3. #6-34. #6-512 习题1. #6-6 (求电容时:,求势垒电容, 求势垒电容和扩散电容)2. #6-73. #6-9 (Si材料)4. #6-105. #6-12131.施主浓度为7.01016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。 2.某Shottky二极管，其