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文档简介

1、V 0+ + + + +- - - - - - - - -PN+V = kT (ln ND NA ) 0.76VDn 2qiEcp2.88Eiq(VD -V)1.851.120.850.560eVEfpEcnEvpEvnpp0反向电流来源于少子从体内向耗尽区边缘的扩散电流,该电流大小取决于耗尽区边缘处的少子浓度梯度,而很小的反向电压就可以使该处的少子浓度近乎为零,这样即使反向电压再增加,该处少子浓度梯度对反向电压也不再敏感了。pn0-XXXpn1eV课后作业072、有一个锗pn结,其p区掺杂浓度NA与n区掺杂浓度ND存在 ND=100NA的关系。其中NA的大小相当于一亿个Ge原子中有一个定理计

2、算室温下该pn结的接触电势差。受主原子。利用GGGGxxxEDidS r0dV QEidS PxN一维体系近似,建立以p区为例,做红色坐标系,包络面x)xE( x) qN A ( xp xqN xx E(0) A p pnr0n区电场r0 r0同理 qND xnEqN( x x)E( x) Dn r0V 1 ( x x ) E(0)r0r0Dnp2N 100NDAx21.01xqN xqN1p iAp Ap V( x x )E(0)x 100 x 2 Dnp2pn2r 0r 0 kT kT 0.026 180 4.68cm2 / s2DpqL = D 2.2 103cmL = D 3.6 103cmpppnnn qD n2 qV qD n2I I exp 1Ipi Ani kTss L NL N 1)pDnAVI=Is (e0.026 V 0.026iln( I +1)=0.61VIs0rqNA NDC A1/ 2T2(V V) N+NDAD0rqNA ND1/ 2A1/ 2 VD x CT (2V ) 2(VD 2) NA +ND 200 V 2 0rqNA

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