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文档简介

物质按导电能力分导体半导体绝缘体元素半导体化合物半导体如砷化镓GaAs硅Si锗Ge1、半导体材料、半导体材料硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构硅和锗晶体硅和锗晶体的空间排列的空间排列+3+3受主离子受主离子+5+5施主离子施主离子PN结的正向伏安特性iD=IS(eVD/VT-1)其中，VT为温度的电压当量。300K时，约为26mV。(a)(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图1、点接触型二极管：(b)(b)面接触型面接触型 0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/ AiD/mA死区死区VthVBR硅二极管硅二极管2CP102CP10的的V V- -I I 特性特性0 D/V0.2 0.4 0.6 20 40 605101520 10 20 30 40iD/ AiD/mAVthVBR锗二极管锗二极管2AP152AP15的的V V- -I I 特性特性正向特性反向特性反向击穿特性 1. 理想模型 2. 恒压降模型(a)符号符号(b) 伏安

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