第二章：氧化_第1页
第二章：氧化_第2页
第二章：氧化_第3页
第二章：氧化_第4页
第二章：氧化_第5页
已阅读5页，还剩39页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、 铁、铜、银等金属的自然氧化铁、铜、银等金属的自然氧化 硅、硫、磷等非金属的自然氧化硅、硫、磷等非金属的自然氧化 干氧氧化：干氧氧化：SiO2 SiO2 湿氧氧化：湿氧氧化：Si H2O O2 SiO2+H2 水汽氧化：水汽氧化：Si H2O SiO2 H2 硅的氧化温度：硅的氧化温度：750 1100氧化剂（氧分子或水分子）通过扩散到达氧化剂（氧分子或水分子）通过扩散到达Si与与Si02界面同界面同Si发发生反应，其过程如下：生反应，其过程如下：1、氧化剂扩散穿过滞留层达到、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2 表面，其流密度为表面，其流密度为F1 。2、氧化剂扩散穿过、氧化剂扩散穿过SiO2

2、层达到层达到SiO2-Si界面，流密度为界面，流密度为F2 。3、氧化剂在、氧化剂在Si 表面与表面与Si 反应生成反应生成SiO2 ，流密度为，流密度为F3 。4、反应的副产物离开界面。、反应的副产物离开界面。 2H2 O2 = 2H2O（750）流量比！流量比！n热生长热生长SiO2 Si 系统中的实际电荷情况系统中的实际电荷情况n在实际的在实际的SiO2 Si 系统中，存在四种电荷：系统中，存在四种电荷：1. 可动电荷：可动电荷： 指指Na、K离子，来源于工艺中的化离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。学试剂、器皿和各种沾污等。2. 固定电荷：指位于固定电荷：指位于SiO2 S

3、i 界面界面2nm以内的过剩硅以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。离子，可采用掺氯氧化降低。3. 界面态：指界面陷阱电荷界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。用氢气退火降低。4. 陷阱电荷：由辐射产生。陷阱电荷：由辐射产生。 氧化前氧化前 氧化后氧化后 氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的左右左右氧化前氧化前氧化后氧化后 通过颜色的不同可估算通过颜色的不同可估算SiO2 层厚度层厚度属于非晶体、无定形结构，属于非晶体、无定形结构，Si-O 四面体在空四面体在空间无规则排列。间无规则排列。SiO2 的化学性质非常稳定，仅被的化学性质非常稳定，仅被 氢氟氢氟酸（酸（HF ）腐蚀）腐蚀242426SiO +4HFSiF +

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 备课教案

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论