潮州功率器件项目可行性研究报告【范文】

1、泓域咨询/潮州功率器件项目可行性研究报告目录第一章 行业、市场分析7一、 功率半导体行业概述7二、 MOSFET器件概述8第二章 建设单位基本情况14一、 公司基本信息14二、 公司简介14三、 公司竞争优势15四、 公司主要财务数据17公司合并资产负债表主要数据17公司合并利润表主要数据17五、 核心人员介绍18六、 经营宗旨19七、 公司发展规划19第三章 项目背景分析21一、 功率MOSFET的行业发展趋势21二、 全球半导体行业发展概况22三、 中国半导体行业发展概况23四、 融入国内国际双循环，构建新发展格局24五、 坚持创新驱动发展，激发全社会创造活力26六、 项目实施的必要性28

2、第四章 项目基本情况30一、 项目名称及项目单位30二、 项目建设地点30三、 可行性研究范围30四、 编制依据和技术原则30五、 建设背景、规模31六、 项目建设进度32七、 环境影响32八、 建设投资估算33九、 项目主要技术经济指标33主要经济指标一览表34十、 主要结论及建议35第五章 建筑工程可行性分析37一、 项目工程设计总体要求37二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表39第六章 产品方案分析41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表42第七章 SWOT分析说明43一、 优势分析（S）43二、 劣势分析（W）45

3、三、 机会分析（O）45四、 威胁分析（T）46第八章 法人治理50一、 股东权利及义务50二、 董事57三、 高级管理人员62四、 监事65第九章 安全生产67一、 编制依据67二、 防范措施68三、 预期效果评价72第十章 原辅材料及成品分析74一、 项目建设期原辅材料供应情况74二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理74第十一章 工艺技术方案分析76一、 企业技术研发分析76二、 项目技术工艺分析78三、 质量管理79四、 设备选型方案80主要设备购置一览表81第十二章 投资方案82一、 编制说明82二、 建设投资82建筑工程投资一览表83主要设备购置一览表84建设投资估算表85三、 建

4、设期利息86建设期利息估算表86固定资产投资估算表87四、 流动资金88流动资金估算表89五、 项目总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表91第十三章 项目经济效益评价93一、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表94固定资产折旧费估算表95无形资产和其他资产摊销估算表96利润及利润分配表98二、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100三、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102第十四章 风险风险及应对措施104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第十五章 项目招标方案108一、

5、项目招标依据108二、 项目招标范围108三、 招标要求109四、 招标组织方式109五、 招标信息发布110第十六章 项目综合评价说明111第十七章 附表附录113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资产摊销估算表115利润及利润分配表116项目投资现金流量表117借款还本付息计划表118建设投资估算表119建设投资估算表119建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124第一章 行业、市场分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体

6、是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟

7、槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率

8、密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOS

9、FET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导

10、体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥

11、重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFE

12、T的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互

13、耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计

14、及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽

15、车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，

16、被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第二

17、章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx集团有限公司2、法定代表人：沈xx3、注册资本：1460万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2013-4-117、营业期限：2013-4-11至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事功率器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消

18、费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户

19、需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业

20、的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具

21、有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额11995.209596.168996.40负债总额5017.664014.133763.24股东权益合计6977.545582.035233.15公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度

22、营业收入32613.1426090.5124459.85营业利润6455.645164.514841.73利润总额5983.014786.414487.26净利润4487.263500.063230.83归属于母公司所有者的净利润4487.263500.063230.83五、 核心人员介绍1、沈xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。2、邵xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至200

23、2年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、汪xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。4、范xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。5、曾xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历

24、，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。6、白xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。7、贺xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015

25、年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。8、黄xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术

26、和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领

27、域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第三章 项目背景分析一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行

28、替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更

29、加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客

30、户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体

31、行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。

32、2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机

33、遇。四、 融入国内国际双循环，构建新发展格局畅通国内国际双循环。坚持扩大内需战略基点，充分利用国内国际两个市场两种资源，加强国内市场拓展，引导企业主动深化产品、产业的供给侧结构性改革，增强畅通国内大循环和联通国内国际双循环的功能。优化供给结构，改善供给质量，坚持锻长板补短板，加快构筑具有更强创新能力、更高附加值、更安全可靠的产业链供应链，提升供给体系对国内需求的适配性。深度融入强大国内市场，使生产、分配、流通、消费各环节更多依靠国内市场实现畅顺循环。发挥侨乡优势，深度参与“一带一路”建设，引导企业把握国际市场动向和需求特点，积极开拓海外市场，推动外贸企业走出去。鼓励支持企业开展对外投资，构建境

34、外生产营销网络，着力培育一批本土跨国企业，吸引技术、品牌、标准等高端要素集聚，增强国内大循环的对接能力，提升国际循环的配置效率。积极扩大有效投资。优化投资结构，保持投资合理增长，发挥投资对优化供给结构的关键作用。坚持能源低碳化、智能化发展，完善“燃气一张网”建设，推进智能安全电网发展，建设“天然气+智慧能源”项目，强化能源安全保障能力。实施引韩济饶、“三江连通”、粤东灌区节水配套及改造、险闸重建、中小河流治理等工程，优化水资源配置体系，提高防洪能力，保障水安全。加强农业水利设施建设，加快补齐基础设施、市政工程、农业农村、公共安全、生态环保、公共卫生、物资储备、防灾减灾、民生保障等领域短板。系统

35、布局新型基础设施，抓好5G、工业互联网、数据中心等建设。实施项目带动战略，加强重点项目建设，高标准建设投资项目库，健全推进和保障机制。提升企业开办速度，提快项目落地速度，提高要素保障能力，打造良好投资环境。深入实施“大招商”工作机制，大力引进一批优质企业和优质项目。发挥政府投资撬动作用，激发民间投资活力，形成市场主导的投资内生增长机制。构筑现代流通体系。加强西联、北接、东拓、南通四个方位的对外交通布局，加快构建联通周边城市以及粤港澳大湾区、海西经济区、内陆地区的外层交通圈，突出抓好沿海高速公路、城轨、铁路等重大交通项目建设，打造贯通全省、畅通国内、连接全球的现代化交通体系。织密内环交通网，优化

36、连结全市各乡镇、枢纽站场、产业园区等重要节点布局，促进各类交通设施有效衔接。加快潮州湾区的铁路、公路、港口等基础设施建设，推动与东南沿海和东南亚地区港口的互动和经济合作。围绕我市陶瓷、食品、水族机电等产业，规划建设一批新型现代化专业市场，打造具有区域调拨中心功能的新型物流基地。推进智慧物流平台建设，完善城乡物流配送体系，支持关系居民日常生活的商贸流通设施改造升级。加快建立储备充足、反应迅速、抗击能力强的应急物流体系。全面推动消费升级。顺应消费趋势，提升传统消费，培育新型消费，适当增加公共消费。以质量品牌为重点，促进消费向绿色、健康、安全发展。推动线上线下消费有机融合，培育在线教育、在线医疗、在

37、线文娱等消费新模式新业态，建设智慧超市、智慧商圈、智慧街区等一批高品质消费集聚区，打造省级示范特色商圈。加大力度打造高端城市综合体，推进韩江新城消费平台建设，形成城市中央商务区。建立健全供给与需求相互促进、投资与消费良性互动的长效机制，打通生产、分配、流通、消费各个环节，畅通经济循环，助力形成强大国内消费市场。五、 坚持创新驱动发展，激发全社会创造活力强化科技创新引领。全面贯彻落实国家和省关于创新驱动发展的新部署、新要求，以产业转型升级为创新驱动导向，大力实施企业技术改造。瞄准电子元器件、新材料、生物医药、智能制造、现代农业等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的重大科技项目。发挥韩江实验室等

38、平台作用，开展关键核心技术攻关，主动承接省级以上重点研发任务，实现更多从“0”到“1”的突破，形成一批标志性成果。加快凤泉湖高新区创建国家级高新区和潮安经济开发区创建省级高新区步伐，推动高新区成为高质量创新发展的示范区。深化科技体制改革，优化科技专项运行机制，推动科技政策与产业、财政、金融等政策有机衔接，更加高效、更加合理配置有限科技资源。整合财政科技资金，完善研发投入持续增长激励机制，支持企业扩大研发投入，提高全社会研发支出占生产总值比重。加大知识产权保护，完善知识产权创造、运用、交易政策，提高科技成果转移转化成效。培育一批瞪羚企业、独角兽企业和“专精特新”中小企业。调动创新主体活力。强化企

39、业创新主体地位，促进各类创新要素向企业集聚。推进产学研深度融合，鼓励有条件的企业自建研发机构，系统构建多层次、广覆盖的区域自主研发体系。发挥大企业引领支撑作用，支持创新型中小微企业成长为创新重要发源地，加强共性技术平台建设，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新，持续推动高新技术企业“增量提质”。大力弘扬企业家精神，营造崇尚创新的社会氛围，发挥优秀企业家示范带动作用，培树民营企业家标杆。深入实施人才发展战略。落实人才强省建设意见和行动方案，贯彻尊重劳动、尊重知识、尊重人才、尊重创造的方针，深化人才发展体制机制改革。加强创新型、应用型、技能型人才培养，实施人才工程、知识更新工程、技能提升行动。创

40、新人才引进柔性机制，多渠道精准引进一批符合高质量发展需求的科技领军人才、青年科技人才和高水平创新团队，壮大高水平工程师和高技能人才队伍。健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系和激励机制。优化提升人才管理服务，形成具有竞争力的人才制度优势和环境优势。探索新型智库建设，打造一支充分支撑科技自立自强的综合人才队伍。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需

41、求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称：潮州功率器件项目项目单位：xx集团有限

42、公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约89.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求，对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证，以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。四、 编制依据和技术

43、原则（一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”

44、设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模（一）项目背景相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET

45、功率器件的两倍左右。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积59333.00（折合约89.00亩），预计场区规划总建筑面积110536.40。其中：生产工程72130.88，仓储工程19930.91，行政办公及生活服务设施10175.59，公共工程8299.02。项目建成后，形成年产xx件功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目所选生产工艺及规模符合国家产业政策，在严格采取环评报告规定的环境保护对策后

46、，各污染源所排放污染物可以达标排放，对环境影响较小，仅从环保角度来看本项目建设是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资37248.40万元，其中：建设投资29448.69万元，占项目总投资的79.06%；建设期利息618.08万元，占项目总投资的1.66%；流动资金7181.63万元，占项目总投资的19.28%。（二）建设投资构成本期项目建设投资29448.69万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用25929.26万元，工程建设其他费用2906.45万元，预备费612.98万元。九、

47、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入64400.00万元，综合总成本费用52762.96万元，纳税总额5577.12万元，净利润8507.50万元，财务内部收益率15.52%，财务净现值661.49万元，全部投资回收期6.62年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积59333.00约89.00亩1.1总建筑面积110536.401.2基底面积36786.461.3投资强度万元/亩326.652总投资万元37248.402.1建设投资万元29448.692.1.1工程费用万元25929.262.1.2其他费用万元2

48、906.452.1.3预备费万元612.982.2建设期利息万元618.082.3流动资金万元7181.633资金筹措万元37248.403.1自筹资金万元24634.633.2银行贷款万元12613.774营业收入万元64400.00正常运营年份5总成本费用万元52762.96""6利润总额万元11343.33""7净利润万元8507.50""8所得税万元2835.83""9增值税万元2447.58""10税金及附加万元293.71""11纳税总额万元5577.12&quo

49、t;"12工业增加值万元19572.66""13盈亏平衡点万元24576.62产值14回收期年6.6215内部收益率15.52%所得税后16财务净现值万元661.49所得税后十、 主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。第五章 建筑工程可

50、行性分析一、 项目工程设计总体要求（一）设计依据1、根据中国地震动参数区划图（GB18306-2015），拟建项目所在地区地震烈度为7度，本设计原料仓库一、罐区、流平剂车间、光亮剂车间、化学消光剂车间、固化剂车间抗震按8度设防，其他按7度设防。2、根据拟建建构筑物用材料情况，所用材料当地都能解决。特殊建材（如：隔热、防水、耐腐蚀材料）也可根据需要就地采购。3、施工过程中需要的的运输、吊装机械等均可在当地解决，可以满足施工、设计要求。4、当地建筑标准和技术规范5、在设计中尽量优先选用当地地方标准图集和技术规定，以及省标、国标等，因地制宜、方便施工。（二）建筑设计的原则1、应遵守国家现行标准、规范

51、和规程，确保工程安全可靠、经济合理、技术先进、美观实用。2、建筑设计应充分考虑当地的自然条件，因地制宜，积极结合当地的材料、构件供应和施工条件，采用新技术、新材料、新结构。建筑风格力求统一协调。3、在平面布置、空间处理、构造措施、材料选用等方面，应根据工程特点满足防火、防爆、防腐蚀、防震、防噪音等要求。二、 建设方案（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用C30级，基础混凝土垫层为

52、C15级，基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、埋件钢板采用Q235钢、Q345钢，吊钩用HPB235。4、钢材连接所用焊条及方式按相应标准及规范要求。（三）隔墙、围护墙材料本工程框架结构的填充墙采用符合环境保护和节能要求的砌体材料（多孔砖），材料强度均应符合GB50003规范要求：多孔砖强度MU10.00，砂浆强度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保护层1、水泥选用标准：水

53、泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建（构）筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂。2、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）规定执行。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积110536.40，其中：生产工程72130.88，仓储工程19930.91，行政办公及生活服务设施10175.59，公共工程8299.02。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程20968.2872130.8810077.551.11#生产车间6290.4821639.263023.261.22#生产车间5242.07

54、18032.722519.391.33#生产车间5032.3917311.412418.611.44#生产车间4403.3415147.482116.292仓储工程7725.1619930.911606.392.11#仓库2317.555979.27481.922.22#仓库1931.294982.73401.602.33#仓库1854.044783.42385.532.44#仓库1622.284185.49337.343办公生活配套2291.8010175.591576.933.1行政办公楼1489.676614.131025.003.2宿舍及食堂802.133561.46551.934公共

55、工程5885.838299.02946.84辅助用房等5绿化工程8514.29156.59绿化率14.35%6其他工程14032.2545.767合计59333.00110536.4014410.06第六章 产品方案分析一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积59333.00（折合约89.00亩），预计场区规划总建筑面积110536.40。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx件功率器件，预计年营业收入64400.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。产品规划方案一览表序号产品（服务