第5章真空光电器件

1、第第5章章 真空光电器件真空光电器件5.4 光电倍增管的供电和信号输出电路光电倍增管的供电和信号输出电路5.1 光电阴极光电阴极5.2 光电管与光电倍增管光电管与光电倍增管5.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增管的主要特性参数5.5 微通道板光电倍增管微通道板光电倍增管5.6 光电倍增管的应用光电倍增管的应用见见P18真空光电器件工作原理真空光电器件工作原理真空光电探测器是基于真空光电探测器是基于外光电效应外光电效应的探测器，也称光电的探测器，也称光电子发射探测器。在光辐射照射下，探测器内的光敏材料子发射探测器。在光辐射照射下，探测器内的光敏材料的电子得到足够的能量后，就会逸出光敏材料表面而

2、进的电子得到足够的能量后，就会逸出光敏材料表面而进入外界空间，入外界空间，在空间电场的作用下便形成光电流在空间电场的作用下便形成光电流。光电倍增管光电倍增管真空光电器件的分类真空光电器件的分类光电管光电管真空型真空型充气型充气型均包括光电阴极、阳极、真空玻璃壳均包括光电阴极、阳极、真空玻璃壳 结构：结构：非成像器件非成像器件成像器件成像器件在光电管、光电倍增管、变像管、像增强器和一些摄像管等光电在光电管、光电倍增管、变像管、像增强器和一些摄像管等光电器件中，使用不同波长的辐射信号转换为电信号，均依靠光电阴器件中，使用不同波长的辐射信号转换为电信号，均依靠光电阴极，因此极，因此光电阴极光电阴极关

3、系到光电器件的光电器件的各项光电性能，关系到光电器件的光电器件的各项光电性能，是一个相当重要的光电器件是一个相当重要的光电器件5.1 光电阴极光电发射体：光电发射体：能够产生光电发射效应的物体能够产生光电发射效应的物体光电阴极：光电阴极：光电发射体常作为光电器件的阴极，故又称为光电光电发射体常作为光电器件的阴极，故又称为光电阴极，它是把光电发射体镀在金属或透明材料上就阴极，它是把光电发射体镀在金属或透明材料上就制成了光电阴极制成了光电阴极5.1.1 光电阴极的主要参数光电阴极的主要参数量子效率量子效率 光谱响应曲线光谱响应曲线 热电子发射热电子发射 灵敏度灵敏度光照灵敏度光照灵敏度色光灵敏度色

4、光灵敏度光谱灵敏度光谱灵敏度1、灵敏度、灵敏度 图图5-1光照灵敏度光照灵敏度 在一定的在一定的白光白光照射下，光电阴极的光电流与入射的白光光通量之比。所照射下，光电阴极的光电流与入射的白光光通量之比。所以也称白光灵敏度或积分灵敏度。以也称白光灵敏度或积分灵敏度。色光灵敏度色光灵敏度 就是局部波长范围的积分灵敏度。它表示就是局部波长范围的积分灵敏度。它表示在某些特定的波长区域在某些特定的波长区域，阴极，阴极光电流与入射光的光通量之比。光电流与入射光的光通量之比。一般用插入不同的滤光片来获得不同的光谱范围，滤光片的透射比不同一般用插入不同的滤光片来获得不同的光谱范围，滤光片的透射比不同(图图5-

5、1)，它又分别称为蓝光灵敏度、红光灵敏度及红外灵敏。，它又分别称为蓝光灵敏度、红光灵敏度及红外灵敏。光谱灵敏度光谱灵敏度 确定波长的单色光照射时确定波长的单色光照射时，光电阴极发出的光电流与入射的单色光通量，光电阴极发出的光电流与入射的单色光通量之比。之比。色温色温2856K的钨丝灯的钨丝灯光电阴极受特定波长的光照射时，设光电阴极受特定波长的光照射时，设阴极发射的光电子数阴极发射的光电子数 N Ne e()()与入射的光子数与入射的光子数 N Np p( () )之比，称为量子效率之比，称为量子效率: :Q Q ()= N Ne e()/ N()/ Np p()()1240)()(/ )(/

6、)()(SqhcShvqIQe式中式中单位为单位为nmnm；s(s() )为光谱灵敏度，单位为为光谱灵敏度，单位为A AW W光电阴极的光谱灵敏度与入射光波长的关系曲线，称为光谱响光电阴极的光谱灵敏度与入射光波长的关系曲线，称为光谱响应曲线。应曲线。光电阴极中有一些电子的热能有可能大于光电阴极逸出功，光电阴极中有一些电子的热能有可能大于光电阴极逸出功，因而可因而可产生热电子发射产生热电子发射,室温下典型光电阴极每秒每平方厘米发射的热电子室温下典型光电阴极每秒每平方厘米发射的热电子相当于相当于l0-16 10-17A/cm2的电流密度。的电流密度。但这些热电子发射会引起噪但这些热电子发射会引起噪

7、声。声。2、量子效率、量子效率3、光谱响应曲线、光谱响应曲线4、热电子发射、热电子发射量子效率和光谱灵敏量子效率和光谱灵敏度之间的关系如右：度之间的关系如右： 不透明阴极通常较厚，不透明阴极通常较厚，光照射到阴极上，光电子从光照射到阴极上，光电子从同一面发射出来，所以不透同一面发射出来，所以不透明光电阴极又称为明光电阴极又称为反射型阴极反射型阴极 透射型阴极通常制作在透明介质透射型阴极通常制作在透明介质上，光通过透明介质后入射到光电阴上，光通过透明介质后入射到光电阴极上。极上。 光电子则从光电阴极的另一边发光电子则从光电阴极的另一边发射出来，所以透射型阴极又称为射出来，所以透射型阴极又称为半透

8、半透明光电阴极明光电阴极 光电子的逸出深度是有限的，光电子的逸出深度是有限的，因此，所有半透明光电阴极都因此，所有半透明光电阴极都有一个有一个最佳厚度最佳厚度。5.1.2 光电阴极的分类光电阴极的分类光电阴极一般分为透射型与反射型两种。光电阴极一般分为透射型与反射型两种。 具有良好的可见和近红外响应。具有良好的可见和近红外响应。 透射型光谱响应透射型光谱响应: 300nm到到1200nm 反射型光谱响应反射型光谱响应: 300m到到1100nm Ag-O-Cs光电阴极主要光电阴极主要应用于近红外探测应用于近红外探测，也是红外波段唯一可用的经典光也是红外波段唯一可用的经典光 电发射材料。但量子效

9、率极低，暗电流大。电发射材料。但量子效率极低，暗电流大。(2)单碱锑化合物单碱锑化合物 (PEA) 以金属锑与碱金属如锂、钠、钾、铯中的一种构成的化合物，以金属锑与碱金属如锂、钠、钾、铯中的一种构成的化合物， 都是能形都是能形 成具有稳定光电发射的发射材料，成具有稳定光电发射的发射材料， CsSb最为常用，在紫外和可见光区的灵敏度最为常用，在紫外和可见光区的灵敏度最高。最高。量子效率高，在蓝光区高达量子效率高，在蓝光区高达30%比比Ag-O-Cs 高高30倍。适用于强光测量。倍。适用于强光测量。(3)多碱锑化合物多碱锑化合物 (PEA) 是指锑是指锑Sb和几种碱金属形成的化合物和几种碱金属形成

10、的化合物 包括双碱锑材料包括双碱锑材料Sb-Na-K、Sb-K-Cs和三碱锑材料和三碱锑材料Sb-Na-K-Cs等，等， Sb-Na-K-Cs是最实用的光电阴极材料，是最实用的光电阴极材料，具有高灵敏度和宽光谱响应，其红外端具有高灵敏度和宽光谱响应，其红外端可延伸到可延伸到930nm，适用于宽带光谱测量仪。，适用于宽带光谱测量仪。(4) 负电子亲合能材料负电子亲合能材料 (NEA) 它们的真空能级降到导带之下，从而使有效的电子亲和势变为负值，它们的真空能级降到导带之下，从而使有效的电子亲和势变为负值， 这种这种材料称作负电子亲和势光电阴极材料。材料称作负电子亲和势光电阴极材料。5.1.3 常用

11、光电阴极材料常用光电阴极材料(正电子亲和势正电子亲和势(PEA)类型材料类型材料)(1)Ag-O-Cs材料材料负电子亲和势负电子亲和势材料制作的光电阴极与材料制作的光电阴极与正电子亲势正电子亲势材料光电阴极相比材料光电阴极相比具有以下四点特点：具有以下四点特点：真空能级位于真空能级位于导带之上导带之上 表面区域能带弯曲，真空表面区域能带弯曲，真空能级降到导带之下能级降到导带之下 1、子效率高、子效率高 2、光谱响应率均匀、光谱响应率均匀 ，且光谱响应延伸到红外，且光谱响应延伸到红外3、热电子发射小、热电子发射小 4、光电子的能量集中、光电子的能量集中 在某些应用中，要求光电阴极材料只对所探测的

12、紫外在某些应用中，要求光电阴极材料只对所探测的紫外辐射灵敏，对可见光无响应。辐射灵敏，对可见光无响应。这种材料通常称为这种材料通常称为“日盲日盲”型光电阴极材料，也称紫型光电阴极材料，也称紫外光电阴极材料外光电阴极材料 目前实用的紫外光电阴极碲化铯目前实用的紫外光电阴极碲化铯(CsTe)和碘化铯和碘化铯(Csl)两种。两种。 长波限为长波限为0.32m长波限为长波限为0.2m（5）紫外光电阴极材料）紫外光电阴极材料良好的光电阴极材料的应具备的标准：良好的光电阴极材料的应具备的标准：（1）光吸收系数大；）光吸收系数大；（2）光电子在体内传输时受到的能量损失小，）光电子在体内传输时受到的能量损失小

13、， 使逸出深度大；使逸出深度大；（3）表面势垒低（电子亲和力小），使电子从）表面势垒低（电子亲和力小），使电子从表面逸出的概率大；表面逸出的概率大；（4）热电子发射系数小。）热电子发射系数小。 光电阴极材料的分类：光电阴极材料的分类：5.2.1 光电管光电管(PT)结构：结构：光电管主要由玻壳（光窗）、光光电管主要由玻壳（光窗）、光电阴极和阳极三部分组成电阴极和阳极三部分组成分类：分类：光电管内可以抽成真空也可以充入低光电管内可以抽成真空也可以充入低压惰性气体的不同，压惰性气体的不同， 所以有所以有真空型和充气型两真空型和充气型两种。种。5.2 光电管与光电倍增管光电管与光电倍增管工作原理：工

14、作原理：当光通过光电管壁上的窗口当光通过光电管壁上的窗口照射到光电阴极面上时，光电子就从阴照射到光电阴极面上时，光电子就从阴极发射出来，在电场作用下向阳极加速极发射出来，在电场作用下向阳极加速动，被高电位的阳极所收集，在外电路动，被高电位的阳极所收集，在外电路形成光电流。此光电流主要由阴极的光形成光电流。此光电流主要由阴极的光电灵敏度和光照强度决定。电灵敏度和光照强度决定。光电倍增管是在光电管的基础上研制出来的一种真空光电器件，光电倍增管是在光电管的基础上研制出来的一种真空光电器件，在结构上增加了电子光学系统和电子倍增极，因此极大的提高了在结构上增加了电子光学系统和电子倍增极，因此极大的提高了

15、检测灵敏度。检测灵敏度。利用外光电效应和二次电子发射相结合利用外光电效应和二次电子发射相结合 把微弱的光把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电器件。输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电器件。5.2.2 光电倍增管光电倍增管(PMT)一、光电倍增管的结构一、光电倍增管的结构 光电倍增管主要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍光电倍增管主要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极增系统和阳极五个主要部分组成五个主要部分组成。a、窗口形式：、窗口形式： 光窗通常有光窗通常有侧窗侧窗和和端窗端窗两种两种 侧窗侧窗端窗端窗1、入射窗口、入射窗口b、PMT常

16、用的窗口材料常用的窗口材料 硼硅玻璃硼硅玻璃透紫外玻璃透紫外玻璃熔融石英熔融石英蓝宝石蓝宝石MgF2透射范围从透射范围从300nm到红外到红外,降低背景噪声，应用降低背景噪声，应用与闪烁计数与闪烁计数 优点是紫外短波透射截止波长可延伸到优点是紫外短波透射截止波长可延伸到185nm ，但化学稳定性差，但化学稳定性差（熔融二氧化硅）的优点是在远紫外区有相当好（熔融二氧化硅）的优点是在远紫外区有相当好的透过率，短波截止波长可达到的透过率，短波截止波长可达到160nm ，但热，但热膨胀系数相差大，不适用于作芯柱材料，只用于膨胀系数相差大，不适用于作芯柱材料，只用于管子的头管子的头是一种是一种Al2O3

17、晶体，它的特点是紫外透过率处于熔晶体，它的特点是紫外透过率处于熔融石英和透紫外玻璃之间，但紫外截止波长比石融石英和透紫外玻璃之间，但紫外截止波长比石英玻璃还要短，可以达到英玻璃还要短，可以达到150nm。 短波透射波长可到短波透射波长可到115nm 硼硅玻璃硼硅玻璃:透紫外玻璃透紫外玻璃:熔融石英熔融石英:蓝宝石蓝宝石:MgF2：2、电子光学系统、电子光学系统 电子光学系统是指阴极到倍增系统第一倍增极之间的电极空电子光学系统是指阴极到倍增系统第一倍增极之间的电极空间其中包括光电阴极、聚焦极、加速极及第一倍增极。间其中包括光电阴极、聚焦极、加速极及第一倍增极。 2)使阴极面上各处发射的光电子在电

18、子光学系统中渡越的时间尽使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中渡越的时间尽可能相等，这样可以保证光电倍增管的快速响应，通常用可能相等，这样可以保证光电倍增管的快速响应，通常用渡越时渡越时间离散性间离散性 表示。表示。电子光学系统的主要作用有两点：电子光学系统的主要作用有两点：1)使光电阴极发射的光电子尽可能全部汇聚到第一倍增极上，而使光电阴极发射的光电子尽可能全部汇聚到第一倍增极上，而将其他部分的杂散热电子散射掉，提高信噪比。倍增极收集电将其他部分的杂散热电子散射掉，提高信噪比。倍增极收集电子的能力通常用电子子的能力通常用电子收集率收集率 表示；表示；0t电子光学系统的要求：电子光学系统的

19、要求：倍增系统是由许多倍增极组成，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成倍增系统是由许多倍增极组成，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成的，具有使一次电子倍增的能力。倍增系统决定整管灵敏度。的，具有使一次电子倍增的能力。倍增系统决定整管灵敏度。(1) 二次电子发射原理二次电子发射原理 12NN把二次发射的电子数把二次发射的电子数N2与入射的一次电子数与入射的一次电子数Nl的比值定义为该材料的的比值定义为该材料的 二次电子发射过程三个阶段二次电子发射过程三个阶段材料吸收一次电子的能量，激发体内电子到高能态，这些受激电子称为内材料吸收一次电子的能量，激发体内电子到高能态，这些受激电子称为内二次电子；

20、二次电子；内二次电子中初速指向表面的那一部分向表面运动；内二次电子中初速指向表面的那一部分向表面运动；到达界面的内二次电子中能量大于表面势垒的电子发射到真空中，到达界面的内二次电子中能量大于表面势垒的电子发射到真空中，成为二次电子。成为二次电子。1）银氧铯和锑铯两种化合物，灵敏的光电发射体和良好的二次电子发射）银氧铯和锑铯两种化合物，灵敏的光电发射体和良好的二次电子发射体。体。2）氧化物型）氧化物型: 氧化镁、氧化钡等。氧化镁、氧化钡等。3）合金型）合金型: 银镁、铝镁、铜镁、镍镁、铜铍等合金。银镁、铝镁、铜镁、镍镁、铜铍等合金。4）负电子亲合势材料）负电子亲合势材料: 铯激活的磷化镓等铯激活

21、的磷化镓等3、电子倍增极、电子倍增极（2）倍增极材料）倍增极材料(大致可分以下四类大致可分以下四类)二次发射系数为：二次发射系数为：根据电子的轨迹又可分为聚焦型和非聚焦型根据电子的轨迹又可分为聚焦型和非聚焦型所谓所谓聚焦聚焦不是指使电子束会聚于一点，而是指电子从前一级倍增极飞向后不是指使电子束会聚于一点，而是指电子从前一级倍增极飞向后一级倍增极时，在两电极间的电子运动轨迹，可能有交叉，一级倍增极时，在两电极间的电子运动轨迹，可能有交叉，加速且聚集加速且聚集。非聚焦非聚焦则是指在两电极间的电子运动轨迹是平行的则是指在两电极间的电子运动轨迹是平行的 ，只加速只加速。倍增极结构形式倍增极结构形式:(

22、3)倍增极结构及机构形式倍增极结构及机构形式(e)近贴栅网式近贴栅网式 (f)微通道板微通道板式式(c)直线聚焦直线聚焦 (d)百叶窗式百叶窗式 （a）鼠笼式）鼠笼式 (b)盒栅式盒栅式结构：结构：由几级带十五级倍增极组成由几级带十五级倍增极组成分类：分类： 磁场平行于管轴方向磁场平行于管轴方向下表为六种倍增极结构的端窗式光电倍增管的典型指标的比较下表为六种倍增极结构的端窗式光电倍增管的典型指标的比较光电倍增管的性能不仅取决于倍增极的结构类型，还取决于光电光电倍增管的性能不仅取决于倍增极的结构类型，还取决于光电阴极的尺寸和聚焦系统。阴极的尺寸和聚焦系统。 在小的在小的Ep下面有较大的下面有较大

23、的值值 热电子发射小热电子发射小 在较高温度和较大的一次电子密在较高温度和较大的一次电子密度下，发射系数保持稳定。度下，发射系数保持稳定。（4）倍增极的要求）倍增极的要求4、阳极、阳极 阳极的阳极的作用作用是收集从末级倍增极发射出的二次电子。最简单是收集从末级倍增极发射出的二次电子。最简单常用常用的阳极是栅状阳极。的阳极是栅状阳极。要求要求阳极有高的电子收集率和小的阳极有高的电子收集率和小的输出电容，阳极附近也不易产生空间电荷效应。输出电容，阳极附近也不易产生空间电荷效应。二、光电倍增管的分类二、光电倍增管的分类如右图所示：如右图所示：光子透过入射窗口入射在光电阴极光子透过入射窗口入射在光电阴

24、极K上；上；光电阴极受光照激发，表面发射光电光电阴极受光照激发，表面发射光电子；子；光电子被电子光学系统加速和聚焦后光电子被电子光学系统加速和聚焦后入射到第一倍增极入射到第一倍增极D1上，倍增极将发射出上，倍增极将发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经子经N级倍增极倍增后，光电子数就放大级倍增极倍增后，光电子数就放大N次。次。经过倍增后的二次电子由阳极经过倍增后的二次电子由阳极P收集收集起来，形成阳极光电流起来，形成阳极光电流Ip，在负载，在负载RL上产上产生信号电压生信号电压V0。 为了使光电子能有效地被各倍增极电极收集并倍增，阴极与第一倍增极、为

25、了使光电子能有效地被各倍增极电极收集并倍增，阴极与第一倍增极、各倍增极之间以及末级倍增极与阳极之间都必须施加一定的电压。最普通的形各倍增极之间以及末级倍增极与阳极之间都必须施加一定的电压。最普通的形式是在阴极和阳极之间式是在阴极和阳极之间加上适当的高压加上适当的高压，阴极接负，阳极接正，外部并接一系，阴极接负，阳极接正，外部并接一系列电阻，使各电极之间获得一定的分压，如上图所示列电阻，使各电极之间获得一定的分压，如上图所示 。三、光电倍增管的工作原理三、光电倍增管的工作原理四、光电倍增管的优缺点四、光电倍增管的优缺点1、优点：、优点：2、缺点：、缺点：体积小体积小结构紧凑结构紧凑工作电压低工作

26、电压低使用方便使用方便但其暗电流比光电倍增管的暗电流大，但其暗电流比光电倍增管的暗电流大， 相应的噪声也较大相应的噪声也较大故光电倍增管更适宜于弱光探测故光电倍增管更适宜于弱光探测5.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增管的主要特性参数灵敏度是衡量光电倍增管探测光信号能力的一个重要参数灵敏度是衡量光电倍增管探测光信号能力的一个重要参数 阴极的光谱灵敏度取决于光电阴极和窗口的材料性质。阳阴极的光谱灵敏度取决于光电阴极和窗口的材料性质。阳极的光谱灵敏度等于阴极的光谱灵敏度与光电倍增管放大极的光谱灵敏度等于阴极的光谱灵敏度与光电倍增管放大系数的乘积，而其光谱响应曲线基本上与阴极的相同。系数的乘积，而

27、其光谱响应曲线基本上与阴极的相同。KKIS(2)阴极灵敏度阴极灵敏度阴极的光照灵敏度定义为光阴极产生的光电流与入射到阴极的光照灵敏度定义为光阴极产生的光电流与入射到它上面的光通量之比，即它上面的光通量之比，即 阳极光照灵敏度表示光电倍增管在接收分布温度为阳极光照灵敏度表示光电倍增管在接收分布温度为2856K的光辐射时的光辐射时阳极输出信号电流与入射到阴极上的光通量之比，即阳极输出信号电流与入射到阴极上的光通量之比，即 PPIS与阴极灵敏度相对应，阳极灵敏度也有蓝光灵敏度、红光灵与阴极灵敏度相对应，阳极灵敏度也有蓝光灵敏度、红光灵敏度及单色灵敏度敏度及单色灵敏度 1、灵敏度、灵敏度(1)光谱响应

28、光谱响应(3)阳极灵敏度阳极灵敏度光电倍增管倍增极的光电倍增管倍增极的二次电子发射系数二次电子发射系数是倍增极间电压的函是倍增极间电压的函数，有以下关系数，有以下关系 是常数；是常数；k值与倍增极的材料和结构有关，一般为值与倍增极的材料和结构有关，一般为0.70.8。kNkNNNkAU1NUUMkNN1NA/那么放大倍数与光电倍增管所加电压那么放大倍数与光电倍增管所加电压U的关系为的关系为其中其中kN从上式可知，光电倍增管的放大倍数从上式可知，光电倍增管的放大倍数和阳极输出电流和阳极输出电流随所加电压的随所加电压的 次方指数变化次方指数变化 2、电流放大倍数、电流放大倍数 （增益）（增益） K

29、U暗电流来源可归纳为三类暗电流来源可归纳为三类：阴极或其他零件的热发射、极间欧姆漏电、残余气体以及场致发射等的再生效应。阴极或其他零件的热发射、极间欧姆漏电、残余气体以及场致发射等的再生效应。(1)热电子发射是光电倍增管暗电流的主要部分。热电子发射是光电倍增管暗电流的主要部分。 (2)欧姆漏电是指光电倍增管内支撑电极的绝缘体欧姆漏电是指光电倍增管内支撑电极的绝缘体(如玻璃芯柱、陶瓷片、塑料管基如玻璃芯柱、陶瓷片、塑料管基等等)在高电压下的漏电流。在高电压下的漏电流。 (3)当光电倍增管的工作电压很高时，电极尖端的场致发射和残余气体离子发当光电倍增管的工作电压很高时，电极尖端的场致发射和残余气体

30、离子发射可能在高电压下产生。射可能在高电压下产生。 暗电流的产生与电源电压有密切关系暗电流的产生与电源电压有密切关系，如下图所示如下图所示 在低电压时，暗电流由漏电流决定；在低电压时，暗电流由漏电流决定；电压较高时，主要是热电子发射；电压较高时，主要是热电子发射；电压再大，则导致场致发射和残余气体离子发射，电压再大，则导致场致发射和残余气体离子发射，使暗电流急剧增加，甚至可能发生使暗电流急剧增加，甚至可能发生自持放电自持放电。 实际使用中，为了得到比较高的信噪比实际使用中，为了得到比较高的信噪比S/N，所加的电源电压必须适当，所加的电源电压必须适当， 。一般工作在右图的一般工作在右图的b段段3

31、、暗电流、暗电流 光电倍增管的光电倍增管的暗电流是指暗电流是指在施加规定的电压后，在无光照情况下测定的阳在施加规定的电压后，在无光照情况下测定的阳极电流。暗电流决定了光电倍增管的极限灵敏度。极电流。暗电流决定了光电倍增管的极限灵敏度。光电倍增管的噪声主要有光电器件本身的光电倍增管的噪声主要有光电器件本身的散粒噪声和热噪声、负载电阻的散粒噪声和热噪声、负载电阻的热噪声、光电阴极和倍增极发射时的闪烁噪声等热噪声、光电阴极和倍增极发射时的闪烁噪声等。散粒噪声中一大部分是暗。散粒噪声中一大部分是暗电流被倍增引起的。减小噪声和暗电流的常用有效方法是电流被倍增引起的。减小噪声和暗电流的常用有效方法是制冷制

32、冷。制冷对降低。制冷对降低其它光电器件其它光电器件 的噪声也很有效。的噪声也很有效。光电倍增管具有很宽的动态范围，能够在很大光强变化范围内保持线性。光电倍增管具有很宽的动态范围，能够在很大光强变化范围内保持线性。但如果入射光强过大，输出信号电流就会偏离理想的线性。但如果入射光强过大，输出信号电流就会偏离理想的线性。 光电倍增管的稳定性是指在恒定光照情况下，阳极电流随时间的变化。光电光电倍增管的稳定性是指在恒定光照情况下，阳极电流随时间的变化。光电倍增管的稳定性与工作电流、极间电压、运行时间、环境条件和光照情况等许多倍增管的稳定性与工作电流、极间电压、运行时间、环境条件和光照情况等许多因素有关。

33、因素有关。 当入射光或者所加电压以阶跃函数变化时，光电倍增管并不能输出完全相同当入射光或者所加电压以阶跃函数变化时，光电倍增管并不能输出完全相同的阶跃函数信号，这种现象称为的阶跃函数信号，这种现象称为“滞后滞后”。 滞后效应滞后效应主要由于电子偏离设计的轨迹以及倍增极的陶瓷支架和玻壳等静主要由于电子偏离设计的轨迹以及倍增极的陶瓷支架和玻壳等静电作用引起的。电作用引起的。 4、噪声、噪声5、线性、线性6、稳定性、稳定性 7、滞后效应、滞后效应 (2)当入射光通量一定时，阳极电流与最后一级倍增极和阳极之间当入射光通量一定时，阳极电流与最后一级倍增极和阳极之间电压电压(简称阳极电压简称阳极电压UP)

34、的关系称为的关系称为阳极伏安特性阳极伏安特性，右上图为不同，右上图为不同光通量下测得的阳极伏安特性。图中，当阳极电压大于一定值后光通量下测得的阳极伏安特性。图中，当阳极电压大于一定值后阳极电流趋向饱和，与入射到阴极面上的光通量阳极电流趋向饱和，与入射到阴极面上的光通量 成线性关系。成线性关系。 (1)当入射光通量一定时，阴极光电流与阴极和第一倍增极之间电当入射光通量一定时，阴极光电流与阴极和第一倍增极之间电压压(简称为阴极电压简称为阴极电压UK)的关系称为的关系称为阴极伏安特性阴极伏安特性，左下左下图为不同光图为不同光通量下测得的阴极伏安特性。从图可见，当阴极电压大于一定值通量下测得的阴极伏安

35、特性。从图可见，当阴极电压大于一定值(几十伏几十伏)后，阴极电流开始趋向饱和，饱和电流与入射光通量后，阴极电流开始趋向饱和，饱和电流与入射光通量 成成线性关系线性关系 8、伏安特性、伏安特性光电倍增管的光电倍增管的时间响应时间响应主要是由从光阴极发射光电子、经过倍增极放大主要是由从光阴极发射光电子、经过倍增极放大到到达阳极的渡越时间，以及由每个光电子之间的渡越时间差决定的。到到达阳极的渡越时间，以及由每个光电子之间的渡越时间差决定的。光电倍增管的时间响应通常用光电倍增管的时间响应通常用阳极输出脉冲的上升、下降时间、电子的渡阳极输出脉冲的上升、下降时间、电子的渡 越时间及渡越时间离散来表示。越时

36、间及渡越时间离散来表示。 几乎所有的光电倍增管都会受到周围环境磁场的影响。磁场会使本来由静几乎所有的光电倍增管都会受到周围环境磁场的影响。磁场会使本来由静电场确定的电子轨迹产生偏移。电场确定的电子轨迹产生偏移。这种现象在阴极到第一倍增极区域最为这种现象在阴极到第一倍增极区域最为明显明显，因为在这一区域，因为在这一区域，电子路径电子路径最大最大。在磁场的作用下电子运动偏离正常轨迹，引起光电倍增管灵敏度下。在磁场的作用下电子运动偏离正常轨迹，引起光电倍增管灵敏度下降，噪声增加。降，噪声增加。 目前由于分别采用目前由于分别采用了近贴栅网和微通道板代替普通的倍增极结构，这些类了近贴栅网和微通道板代替普

37、通的倍增极结构，这些类型的光电倍增管抗磁场干扰能力得到很大的加强，故可在强磁场强度的环型的光电倍增管抗磁场干扰能力得到很大的加强，故可在强磁场强度的环境中使用。境中使用。9、时间特性、时间特性 10、磁场特性、磁场特性5.4 光电倍增管的供电和信号输出电路光电倍增管的供电和信号输出电路为了使光电倍增管能正常工作，通常在阴极为了使光电倍增管能正常工作，通常在阴极(K)和阳极（和阳极（P）之间加上近千伏）之间加上近千伏的高压。为保证光电子能被有效地收集，光电流通过倍增系统能得到有效放的高压。为保证光电子能被有效地收集，光电流通过倍增系统能得到有效放大，还需将高压在阴极、聚焦极、倍增极和阳极之间按一

38、定规律进行分配。大，还需将高压在阴极、聚焦极、倍增极和阳极之间按一定规律进行分配。1、高压电源、高压电源 光电倍增管必修工作在高压状态下，一般电源电压的稳定性应比光电光电倍增管必修工作在高压状态下，一般电源电压的稳定性应比光电倍增管所要求的稳定性约高倍增管所要求的稳定性约高10倍。在精密的光辐射测量中，通常要求电源倍。在精密的光辐射测量中，通常要求电源电压的稳定度达到电压的稳定度达到0.010.05。 目前，光电倍增管常用的一种体积小巧的高压电源模块，如左下图所目前，光电倍增管常用的一种体积小巧的高压电源模块，如左下图所示。输入直流电压一般为示。输入直流电压一般为+15伏，可获得上千伏的负高压

39、输出，电压稳定伏，可获得上千伏的负高压输出，电压稳定度为度为0.02%0.05%。调节控制端的电阻或电压值，输出的电压可以在。调节控制端的电阻或电压值，输出的电压可以在-200伏至伏至-1200伏之间变化，如右下图所示。可变电阻一般为伏之间变化，如右下图所示。可变电阻一般为10 k的精密的精密电阻。也可以通过微机编程自动设定高压，根据测量的光信号强度可自动电阻。也可以通过微机编程自动设定高压，根据测量的光信号强度可自动调整光电倍增管测量系统灵敏度。调整光电倍增管测量系统灵敏度。光电倍增管工作时，需要在阴极和阳极之间加上光电倍增管工作时，需要在阴极和阳极之间加上5001000V的高压。该电压将以

40、适当的高压。该电压将以适当的比例分配给聚焦极、倍增极和阳极，保证光电子能被有效地收集，光电流通的比例分配给聚焦极、倍增极和阳极，保证光电子能被有效地收集，光电流通过倍增系统得到放大。过倍增系统得到放大。 实际应用中各极间的电压都是由连接于阳极与阴极之间的分压电阻所提供的，这实际应用中各极间的电压都是由连接于阳极与阴极之间的分压电阻所提供的，这一电路被称为一电路被称为高压分压电路高压分压电路。 如下图所示，多数情况下采用如下图所示，多数情况下采用阳极接地、阴极接负高压方式阳极接地、阴极接负高压方式(图图5-16a)。此方案消。此方案消除了外部电路与阳极之间的电压差，便于电流计或电流除了外部电路与

41、阳极之间的电压差，便于电流计或电流电压转换运算放大器直接与电压转换运算放大器直接与光电倍增管相连接。但在这种阳极接地的方案中，由于靠近光电倍增管玻壳的金属支光电倍增管相连接。但在这种阳极接地的方案中，由于靠近光电倍增管玻壳的金属支架或磁屏蔽套管接地，它们与阴极和倍增极之间存在比较高的电位差，结果会使某些架或磁屏蔽套管接地，它们与阴极和倍增极之间存在比较高的电位差，结果会使某些光电子打到玻壳内侧，产生玻璃闪烁现象，从而导致噪声的显著增加光电子打到玻壳内侧，产生玻璃闪烁现象，从而导致噪声的显著增加 2、高压分压电路、高压分压电路(1)高压分压电路高压分压电路(2)高压分压电路的接地方式高压分压电路

42、的接地方式阳极接地、阴极接地阳极接地、阴极接地流经分压电路的电流流经分压电路的电流Jo被称为分压电流，被称为分压电流，该电流与光电倍增管输出电流的线性有着该电流与光电倍增管输出电流的线性有着密切关系。分压电流约等于供电电压除以密切关系。分压电流约等于供电电压除以各分压电阻阻值的和。无论是阳极还是阴各分压电阻阻值的和。无论是阳极还是阴极接地，无论是直流还是脉冲信号工作，极接地，无论是直流还是脉冲信号工作，当入射到光电倍增管光阴极的光通量增加当入射到光电倍增管光阴极的光通量增加时，输出电流也随着相应增加。如下图所时，输出电流也随着相应增加。如下图所示，入射光通量与阳极电流的理想的线性示，入射光通量

43、与阳极电流的理想的线性关系从一个特定的电流值关系从一个特定的电流值(B段段)开始发生变开始发生变化，并最终使光电倍增管的输出饱和化，并最终使光电倍增管的输出饱和(C段段)。3、分压电流与输出线性的关系、分压电流与输出线性的关系 (一一)用负载电阻实现电流用负载电阻实现电流-电压转换电压转换 电路的负载电路的负载电阻为电阻为RLPMT阳极与包含诸如导线阳极与包含诸如导线 电容杂散电容在内的其他各极间的总电容为电容杂散电容在内的其他各极间的总电容为Cs 那么截止频率可以由下面的等式给出：那么截止频率可以由下面的等式给出：LscRC21f(1)在频响要求比较高的场合，负载电阻应尽可能小一些。在频响要

44、求比较高的场合，负载电阻应尽可能小一些。(2)当输出信号的线性要求较高时，选择的负载电阻应使信号电流在它上面产生当输出信号的线性要求较高时，选择的负载电阻应使信号电流在它上面产生的压降在几伏以下。的压降在几伏以下。(3)负载电阻应比放大器的输入阻抗小得多。负载电阻应比放大器的输入阻抗小得多。4、信号输出方式、信号输出方式 选择负载电阻时要注意三点：选择负载电阻时要注意三点：下图为一个由运算放大器构成的电流下图为一个由运算放大器构成的电流电压转换电路。电压转换电路。 为了防止光电倍增管输出端发出高压，采用如下图所示的由一只电阻为了防止光电倍增管输出端发出高压，采用如下图所示的由一只电阻RP和和稳

45、稳压二极管压二极管VDl及及VD2组成的保护电路可以防止前置放大器被损坏。这两个稳压组成的保护电路可以防止前置放大器被损坏。这两个稳压二极管应有最小的漏电流和结电容，通常采用一个小信号放大晶体管或二极管应有最小的漏电流和结电容，通常采用一个小信号放大晶体管或FET的的G-S结。结。 (二二)用运算放大器实现电流用运算放大器实现电流-电压转换电压转换如果用微通道板代替一般光电倍增管中的电子倍增器，就构成微通道板光电倍增如果用微通道板代替一般光电倍增管中的电子倍增器，就构成微通道板光电倍增管管(MCP光电倍增管光电倍增管)。这种新颖的光电倍增管尺寸大为缩小，电子渡越时间很短，阳极电流的上升时间这种

46、新颖的光电倍增管尺寸大为缩小，电子渡越时间很短，阳极电流的上升时间几乎降低了一个数量级，有可能响应更窄的脉冲或更高频率的辐射几乎降低了一个数量级，有可能响应更窄的脉冲或更高频率的辐射 5.5 微通道板光电倍增管微通道板光电倍增管 左下图左下图 所示，所示，微通道是一根根很细的玻璃管微通道是一根根很细的玻璃管。它的内壁镀有高阻的二次发射。它的内壁镀有高阻的二次发射材料，施加高电压后内壁将出现电位梯度，光电阴极发出的一次电子轰击微通材料，施加高电压后内壁将出现电位梯度，光电阴极发出的一次电子轰击微通道的一端，发射出的二次电子因电场加速而轰击另一处，再发射二次电子，这道的一端，发射出的二次电子因电场

47、加速而轰击另一处，再发射二次电子，这样连续多次发射二次电子，可获得约样连续多次发射二次电子，可获得约104的增益。的增益。微通道板微通道板是由成千上万根直径为是由成千上万根直径为1540m、长度为、长度为0.61.6mm的微通道排成的微通道排成的二维列阵，如右上图所示，的二维列阵，如右上图所示，简称简称MCP。 MCP工作在真空状态。工作在真空状态。 为了获得较高的增益，通道的长度不能太长。由于通道中为了获得较高的增益，通道的长度不能太长。由于通道中存在残余离子，这些正离子与电子的移动方向相反，撞击管壁存在残余离子，这些正离子与电子的移动方向相反，撞击管壁时将释放出更多的二次电子，有可能产生雪

48、崩击穿；或者在负时将释放出更多的二次电子，有可能产生雪崩击穿；或者在负端离开通道，破坏光电阴极。所以一般将通道制成端离开通道，破坏光电阴极。所以一般将通道制成人字形或人字形或z形形的折线通道的折线通道，以减小离子自由飞行的路程，和由离子轰击发射，以减小离子自由飞行的路程，和由离子轰击发射的二次电子。带有两个串联的的二次电子。带有两个串联的MCP光电倍增管的基本电路如下光电倍增管的基本电路如下图所示图所示 为什么呀为什么呀?5.6 光电倍增管的应用光电倍增管的应用光电倍增管具有灵敏度高和响应迅速等特点，目前它仍然是最常用的光电探光电倍增管具有灵敏度高和响应迅速等特点，目前它仍然是最常用的光电探测器之一，而且在许多场合还是唯一适用的