电磁兼容之电磁干抑制屏蔽技术ppt课件

1、第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术3.1 概述概述3.2 电屏蔽电屏蔽 3.3 磁屏蔽磁屏蔽3.1 概述概述3.2 电屏蔽电屏蔽 3.3 磁屏蔽磁屏蔽第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 限制内部能量走漏出内部区域限制内部能量走漏出内部区域 自动屏蔽自动屏蔽3.1 概述概述屏蔽的含义：屏蔽的含义：3. 原理：原理：电子设备电子设备用导电或导磁资料制成的屏蔽体将用导电或导磁资料制成的屏蔽体将电磁干扰能量限制在一定范围内。电磁干扰能量限制在一定范围内。2. 目的：目的：防止外来的干扰能量进入某一区域被动屏蔽防止外来的干扰能量进入某一区域被动

2、屏蔽 二次场实际一次场作用下，产生极化、磁化构成二次场二次场实际一次场作用下，产生极化、磁化构成二次场); 反射衰减实际反射衰减实际第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术4. 屏蔽的分类按任务原理屏蔽的分类按任务原理 电场屏蔽：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽利用良好接地电场屏蔽：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽利用良好接地 的金属导体制造的金属导体制造 磁场屏蔽：静磁屏蔽、低频交变磁场屏蔽利用高导磁率磁场屏蔽：静磁屏蔽、低频交变磁场屏蔽利用高导磁率 资料构成低磁阻通路资料构成低磁阻通路 电磁屏蔽：用于高频电磁场的屏蔽利用反射和衰减来隔电磁屏蔽：用于高频电磁场的屏蔽利用反射和衰减

3、来隔 离电磁场的耦合离电磁场的耦合第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术01ESEE01HSEH01(dB)20 logESEE01(dB)20 logHSEH屏蔽效能屏蔽效能( SE )屏蔽效能：屏蔽体的性质的定量评价。屏蔽效能：屏蔽体的性质的定量评价。定义：定义：或或或或电屏蔽效能电屏蔽效能磁屏蔽效能磁屏蔽效能E0、H0 未加屏蔽时空间中某点的电磁场；未加屏蔽时空间中某点的电磁场；E1、H1 加屏蔽后空间中该点的电磁场；加屏蔽后空间中该点的电磁场；第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术衰减量与屏蔽效能的关系衰减量与屏蔽效能的关系第第3 3

4、章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术屏蔽效能的要求屏蔽效能的要求第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 分类：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽分类：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽3.2 电场屏蔽电场屏蔽 静电屏蔽静电屏蔽 电场屏蔽的作用：防止两个设备元件、部件间的电容性电场屏蔽的作用：防止两个设备元件、部件间的电容性 耦合干扰耦合干扰原理：静电平衡原理：静电平衡要求：完好的屏蔽导体和良好接地要求：完好的屏蔽导体和良好接地第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术2. 低频交变电场屏蔽低频交变电场屏蔽目的：抑制低频电容性耦合干扰目的：抑制低

5、频电容性耦合干扰00001/SRSSNSRRRSRCUUUCCCC1未加屏蔽未加屏蔽21221/PPNRRC UUUCCCC2 2 加屏蔽忽略加屏蔽忽略CSR1CSR1的影响的影响11322/()SpRRCUUCCC CCC未加屏蔽的耦合未加屏蔽的耦合SRCSR0CRUS UN0 加屏蔽的耦合加屏蔽的耦合SRCSR1CRUS UN1 C1C2C3Up 分析方法：运用电路实际分析分析方法：运用电路实际分析第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术讨论讨论:1屏蔽体不接地，假设屏蔽体不接地，假设3C 2屏蔽体接地屏蔽体接地31CC、221/()RRC CCCCpSUU2122

6、11/SNSRRC UUUCCCC10NU21221/PPNRRC UUUCCCC11322/()SpRRCUUCCC CCC屏蔽体接地屏蔽体接地SRCSR1CRUS UN1 C1C2第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术111212SRSSRSNRSRRCUCUUCCCCC3屏蔽体接地时，屏蔽体接地时，CSR1的影响的影响屏蔽效能屏蔽效能:01(dB)20lgNNUSEUCSRCRUS UNP C2等效电路等效电路第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术屏蔽体的资料以良导体为好，对厚度无什么要求屏蔽体的资料以良导体为好，对厚度无什么要求屏蔽体

7、的外形对屏蔽效能有明显的影响屏蔽体的外形对屏蔽效能有明显的影响屏蔽体要接近受维护的设备屏蔽体要接近受维护的设备屏蔽体要有良好的接地屏蔽体要有良好的接地第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术3.3 磁场屏蔽磁场屏蔽1原理原理 高频磁场屏蔽高频磁场屏蔽高频磁场高频磁场金属板金属板涡流涡流反磁场反磁场 低频磁场屏蔽低频磁场屏蔽f 100kHz 利用高导磁率的铁磁资料如利用高导磁率的铁磁资料如铁、硅钢片、坡莫合金，对干扰铁、硅钢片、坡莫合金，对干扰磁场进展分路。磁场进展分路。 利用低电阻的良导体中利用低电阻的良导体中构成的涡电流产生反向磁通构成的涡电流产生反向磁通抑制入射磁场

8、。抑制入射磁场。第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术mmUlRS2屏蔽效能计算屏蔽效能计算 解析方法：圆柱腔、球壳的屏蔽效能计算解析方法：圆柱腔、球壳的屏蔽效能计算 近似方法：运用磁路的方法。近似方法：运用磁路的方法。 如：长为如：长为l 、横截面为、横截面为 S 的一段屏蔽资料，那么其磁阻为的一段屏蔽资料，那么其磁阻为磁阻：磁阻：mUH磁压降：磁压降：mUHlBSHS磁通：磁通：第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术mU的方程的方程22mmm2211()0UUUrrrrr外磁场外磁场 的磁标位的磁标位0Hm00cosUH r r am11

9、cosUArarb2m22()cosBUA rrrb3m30()cosBUH rr (1) 圆柱形腔的磁屏蔽效能圆柱形腔的磁屏蔽效能mU方法：磁标位方法：磁标位内半径为内半径为a 、外半径为、外半径为b，磁导率为，磁导率为 ，外加均匀磁场，外加均匀磁场0H0Hab第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术边境条件：边境条件：ra时，时， m1m2UUrb时，时，m2m3UUm3m20UUrr解得：解得：20122224(1)(1)rrrb HAba 20222222(1)(1)(1)rrrb HAba 220222222(1)(1)(1)rrra b HBba 22220

10、32222(1)()(1)(1)rrrabb HBba 220012222222244cos(1)(1)(1)(1)rrmmrrrrb Hb UUrbaba 2011122224(1)(1)rmxxrrb HHUee Hbam1m20UUrr故故第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术假设假设 ，那，那么么 1r201(1)(1)2(1)20lg20lg4rrrHppSEHp令令 、 tba()/2Rab，假设，假设t t0 0，即，即222abR那么那么224(2/)20lg20lg(1)20lg(1)422rrrRt aRttSEaR(1)2(1)(1 1/ )2(

11、1 1/ )20lg20lg44rrppppSEp屏蔽效能屏蔽效能22/pba第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 球形腔体的屏蔽效能球形腔体的屏蔽效能 非球形腔体的屏蔽效能非球形腔体的屏蔽效能220lg(1)3rtSER3330.624cVRV220lg(1)3rctSER第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术例：长方体屏蔽盒尺寸为：例：长方体屏蔽盒尺寸为： 、壁厚、壁厚 。 试计算用钢板试计算用钢板 和坡莫合金和坡莫合金 作屏蔽作屏蔽 资料时的资料时的SE 。3150 200 200mm2mmt 1(1000)r2(10000)r30.

12、62 150 200 200112.66mmcR 12t20lg(1)22.17dB3rcSER22t20lg(1)41.54dB3rcSER第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术矩形截面屏蔽体：矩形截面屏蔽体： 、厚度、厚度 ，a bt(2 )at2SSSHt101(2 )H at总磁通：总磁通： ，那么，那么000H a01s00012(2 )SSH aH tH at外磁场外磁场 ；屏蔽体内；屏蔽体内 ；腔内；腔内 SH0H1Htba0H第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术磁通为磁通为(,)ta tb1/ 44mSSSaaRtt/2SS

13、StH1124mSSSmSRH aU22mSSSbtbRtt/ 2SSStH222mSSmSSRUH b212()2mSmSmSSaUUUHb1002(2 )mbtbRata1111mmURH b2SSStH101aHtba0H1P1Q2P2QCSC1第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术1mSmUU000101222rbtH aHH aba 420lg1(2)rbtSEaba1(2)2Sba HbH122SbHHba0141(2)rHbtHabaab2420lg1rbtSEaab220lg1rtSEa01s第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽

14、技术屏蔽体应选用高导磁率的资料，但应防止磁饱和屏蔽体应选用高导磁率的资料，但应防止磁饱和被屏蔽物体不要紧贴在屏蔽体上被屏蔽物体不要紧贴在屏蔽体上留意屏蔽体的构造设计，缝隙或长条通风孔循着磁场留意屏蔽体的构造设计，缝隙或长条通风孔循着磁场方向分布方向分布对于强磁场的屏蔽可采用多层屏蔽，防止发生磁饱和对于强磁场的屏蔽可采用多层屏蔽，防止发生磁饱和尽量缩短磁路长度，添加屏蔽体的截面积厚度尽量缩短磁路长度，添加屏蔽体的截面积厚度对于多层屏蔽，应留意磁路上的彼此绝缘对于多层屏蔽，应留意磁路上的彼此绝缘第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术t第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽

15、技术电磁干扰抑制的屏蔽技术(1)mjZjfcjjjj (dB)SERAB(1)jjjf,cjZj()cj第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术00120377wZ012weZfr 02wmZfr211221ZZZZ12121 12第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术01E 211221ZZZZ12121 2212312212312(e)eettt12312(e)t2312(e),t22323212312211223(e)ettte 2322321231212232123(e)eettt tx213第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电

16、磁干扰抑制的屏蔽技术12112232123enntn 31(21)12231223212312232123ee()ettnntT 221122321232123e1e()tttne 1223221231e1ett 2122312231120lg20lg20lg e20lg 1ettTSE 总总透透射射场场强强22120 lg 1() e1tKBK12232420lg20lg(1)KRK 20 lg etA31ZZ21/KZZ第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术20lg e20lg erttA20lge8.980.131(dB)rrtttf r75.82 10 S/m

17、tr良导体良导体第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术22()(1)20lg20lg20lg444wwmwmmZZZKRKZ ZZ72/3.69 10/mrrZff 波阻抗波阻抗wmZZw120 377Z 012weZfr 02wmZfr23321.7 10lg()rerRr f168.1 10lg(/)wrrRf媒质本媒质本征阻抗征阻抗频率升高，反射损耗减小频率升高，反射损耗减小214.5610lg()rmrRr f频率升高，反射损耗添加频率升高，反射损耗添加第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术反射损耗与频率的关系反射损耗与频率的关系第第

18、3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术2 1222eeeejtttjt20.1e10tA/20(20lgee10)ttAA0.12ln100.23AtA2()1mwmwZZZZ20.10.2320lg 1() 10eAjAmwmwZZBZZwmZZ当当 时，时，0.220lg 1 10e10lg1 2 10cos(0.23 ) 10AjAAABA 10dBA当当 时，通常可忽略时，通常可忽略B。20.10.23e10etAjA11mwmwZZKKZZ第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术168.1 10lg(/)wrrRf23

19、321.7 10lg(/)errRr f214.5610lg(/)mrrRr f0.220lg 1() 10e10lg12 10cos(0.23 )10AjAmwmwAAZZBZZAwmZZ 8.980.131(dB)rrAttf (dB)SERAB第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术屏蔽效能的频率特性屏蔽效能的频率特性综合屏蔽效能综合屏蔽效能(0.5mm(0.5mm铝板铝板) )良导体对电场的屏蔽性能优于对平面波良导体对电场的屏蔽性能优于对平面波良导体对平面波的屏蔽性能优于对磁场良导体对平面波的屏蔽性能优于对磁场第第3 3章章: :电磁干扰抑

20、制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术41.5 10 mcf例例1 1 有一个大功率线圈的任务频率为有一个大功率线圈的任务频率为20kHz 20kHz ，在离线圈，在离线圈0.5m0.5m处处 置一铝板置一铝板 以屏蔽线圈对设备的影响。以屏蔽线圈对设备的影响。设铝板厚度设铝板厚度 为为0.5mm 0.5mm 。试计算其屏蔽效能。试计算其屏蔽效能。(0.61)r1 ,0.61,rr214.56 10lg()14.5634.8449.4(dB)rmrRr f0.1317.24(dB)rrAtf 第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术020.08wmmZfrZ+ +49.4+7

21、.24 1.8154.83dBmSERA B0.10.210lg 12 10cos(0.23 ) 101.81dBAABA 753.69 10/6.68 10 mrrZf第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术2+ +SEA R B121112220.1310.131rrrrAAAtftf 12221212(1)(1)20lg20lg44RRRkkkk总反射损耗总反射损耗多次反射修正多次反射修正总吸收损耗总吸收损耗t2x21t1d第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术1212,wwmmZZKKZZ102(1)0.23212(1)0.232020

22、lg 1e20lg 1e20lg 1ejAjdjABNNN空气层中的多次反射空气层中的多次反射2212121211,11KKNNKK102( )( )wmwwmwZZZZ dNZZZZ dt2x21t1d第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术022020lg 1ejdBN120.262rrAAtf 21(1)240 log4KRRK022020lg 1ejdBN第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术3薄膜屏蔽：薄膜屏蔽：工程塑料机箱具有外型美观、加工方便、质量轻等优点。工程塑料机箱具有外型美观、加工方便、质量轻等优点。如何使机箱具有屏蔽作用？

23、如何使机箱具有屏蔽作用？经过喷涂、真空堆积以及粘贴等技术在机箱上包裹一层导电经过喷涂、真空堆积以及粘贴等技术在机箱上包裹一层导电薄膜。薄膜。设薄膜厚度为设薄膜厚度为t，电磁波在薄膜中的波长为，电磁波在薄膜中的波长为 ，当，当 ，称这种屏蔽层为薄膜屏蔽。称这种屏蔽层为薄膜屏蔽。t4tt由于薄膜屏蔽导电层很薄，吸收损耗可以忽略，屏蔽效能由于薄膜屏蔽导电层很薄，吸收损耗可以忽略，屏蔽效能主要由反射损耗和多次反射修正因子确定，可以按金属平主要由反射损耗和多次反射修正因子确定，可以按金属平板屏蔽的相关公式进展计算。板屏蔽的相关公式进展计算。第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术

24、铜薄膜屏蔽层屏蔽效能铜薄膜屏蔽层屏蔽效能第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术2. 孔缝对屏蔽效能的影响孔缝对屏蔽效能的影响实践机箱上有许多走漏源实践机箱上有许多走漏源:信号线的出入口，电流线的出入信号线的出入口，电流线的出入口，通风散热孔，接缝处的缝隙等。口，通风散热孔，接缝处的缝隙等。第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术屏蔽腔上孔的影响屏蔽腔上孔的影响FDTDFDTD仿真仿真第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术屏蔽腔上孔的影响屏蔽腔上孔的影响(f=300MHz)(f=300MHz)第第3 3章章: :电磁干扰

25、抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术020log()iiESEE(1,2, )iSE in设各走漏要素的屏蔽效能为设各走漏要素的屏蔽效能为 ，即，即/200120log()20log(10)inSEiESEE / 2001110innSEiiiEEE/20010iSEiEE第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术110/20101/2092/2088/2083/2020lg(1010101010) SE5555520lg(0.32 100.89 102.51 103.98 107.08 10 ) 20 5l

26、g(0.320.892.51 3.987.08) 76.6(dB)第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 /0et gpEE020log()20loge27.3(dB)ppEttSEEgg 设金属屏蔽体上有一缝隙，其设金属屏蔽体上有一缝隙，其间隙为间隙为g ，屏蔽板厚度为，屏蔽板厚度为t ，入射波，入射波电场为电场为 E0，经缝隙走漏到屏蔽体中，经缝隙走漏到屏蔽体中的场为的场为Ep ，当，当g 10/3 时，有时，有gt第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术0.5mm ,g 当当0.25mm ,g 当当0.1mm ,g 当当54.6pSE 2

27、7.3pSE 136.5pSE 54.83/2027.3/2020lg(1010)27.2dBSE 54.83/2054.6/2020lg(1010)48.8dBSE 54.83/20136.5/2020lg(1010)54.8dBSE 第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术缝隙的处置缝隙的处置衬垫的种类：金属丝网衬垫衬垫的种类：金属丝网衬垫( (带橡胶芯的和空心的带橡胶芯的和空心的) ) 导电橡胶导电橡胶( (不同导电填充物的不同导电填充物的) ) 指形簧片指形簧片( (不同外表涂覆层的不同外表涂覆层的) ) 螺旋管衬垫螺旋管衬垫( (不锈钢的和镀锡铍铜的不锈钢的和

28、镀锡铍铜的) ) 导电布导电布第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术alllDW 电磁波频率远低电磁波频率远低于波导的最低截止频于波导的最低截止频率，因此产生很大的率，因此产生很大的衰减。衰减。第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术9220lge20lge8.691.823 101 ( /) dBlccSElllfff2(2 / )1 (/)ccc fff27.3dBlSEa32.0dBlSED27.3dBlSEW第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 不能有金属资料穿过截止波导管不能有金属资料穿过截止波导管 当有金

29、属资料穿过截止波导管时，会导致严重的电磁走漏。当有金属资料穿过截止波导管时，会导致严重的电磁走漏。需求留意的是有些光缆的内部加有金属加强筋，这时将光缆穿过需求留意的是有些光缆的内部加有金属加强筋，这时将光缆穿过截止波导时也会引起走漏。截止波导时也会引起走漏。 波导管的安装波导管的安装 最可靠的方法是焊接，在屏蔽体上开一个尺寸与波导管截面最可靠的方法是焊接，在屏蔽体上开一个尺寸与波导管截面一样的孔，然后将波导管的周围与屏蔽体延续焊接起来。一样的孔，然后将波导管的周围与屏蔽体延续焊接起来。 假设波导管本身带法兰盘，利用法兰盘来将波导管固定在屏假设波导管本身带法兰盘，利用法兰盘来将波导管固定在屏蔽体

30、上，需求在法兰盘与屏蔽体基体之间安装电磁密封衬垫。蔽体上，需求在法兰盘与屏蔽体基体之间安装电磁密封衬垫。第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 截止波导通风窗截止波导通风窗27.320lgdBlSENW第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术 截止波导通风窗的设计截止波导通风窗的设计第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术13 18920.7mm27.327.3a SEl120lg9594189 dBSESEN第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干

31、扰抑制的屏蔽技术4 4、 金属孔板的屏蔽效能金属孔板的屏蔽效能第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术2(1)20 lg20 lg()44wwmmZKRZZKZmwZKZ00223.682mrmmcZjfWZZjfD0001201/( 2)2wwwewmZZZjfrZjfr第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术20.10.23120lg 1() 10e1AjAKBK110lgKan 2.3220lg 135Kp 320lg 1 tanh(8.686)KA第第3 3章章: :电磁干扰

32、抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术2(1)20lg20lg31.2dB44KKRK2001121.45 103.682120mcwZKjfDjZ0.23120lg 1() 10e120lg 1 10e0.47dBAjAAjAKBK 第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术110lg10lg(0.196 0.37) 11.39dBKan2.3220lg 1350Kp 320lg 1/ tanh(12.8/8.686)0.91dBK 22(1.870.5)(1.8 80.5)390 cm2144/3900.37 1/cmn332(185) 1013 1015.163.5 10rpf第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术5、通风孔上覆盖金属丝网、通风孔上覆盖金属丝网焊接式安装焊接式安装压紧式安装压紧式安装第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术操作器件的处置操作器件的处置器件调谐孔的屏蔽设计器件调谐孔的屏蔽设计第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术显示窗的处置显示窗的处置第第3 3章章: :电磁干扰抑制的屏蔽技术电磁干扰抑制的屏蔽技术第