电力电子技术-西安交通大学王兆安第五版第章电力电子器件 ppt课件

1、第第2章章 电力电子器件电力电子器件 2.1 电力电子器件概述电力电子器件概述 2.2 不可控器件不可控器件电力二极电力二极管管 2.3 半控型器件半控型器件晶闸管晶闸管 2.4 典型全控型器件典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件 2.6 功率集成电路与集成电力功率集成电路与集成电力电子模块电子模块 本章小结本章小结 引言引言模拟和数字电子电路的根底模拟和数字电子电路的根底 晶体管和集成电晶体管和集成电路等电子器件路等电子器件 电力电子电路的根底电力电子电路的根底 电力电子器件电力电子器件本章主要内容：本章主要内容： 对电力电子器件的概念、特点和分类等问题对电力电子

2、器件的概念、特点和分类等问题作了简要概述作了简要概述 。 分别引见各种常用电力电子器件的任务原理、分别引见各种常用电力电子器件的任务原理、根本特性、主要参数以及选择和运用中应留意的根本特性、主要参数以及选择和运用中应留意的一些问题。一些问题。 2.1 2.1 电力电子器件概述电力电子器件概述 2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征 2.1.2 运用电力电子器件的系统组成运用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类 2.1.4 本章内容和学习要点本章内容和学习要点2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念电

3、力电子器件的概念 电力电子器件电力电子器件Power Electronic Device是是指可直接用于处置电能的主电路中，实现电能的指可直接用于处置电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。变换或控制的电子器件。 主电路：在电气设备或电力系统中，直接主电路：在电气设备或电力系统中，直接承当电能的变换或控制义务的电路。承当电能的变换或控制义务的电路。 广义上电力电子器件可分为电真空器件和广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征电力电子器件的特征

4、电力电子器件的特征 所能处置电功率的大小，也就是其接受电压和所能处置电功率的大小，也就是其接受电压和电流的才干，是其最重要的参数，普通都远大于电流的才干，是其最重要的参数，普通都远大于处置信息的电子器件。处置信息的电子器件。 为了减小本身的损耗，提高效率，普通都任务为了减小本身的损耗，提高效率，普通都任务在开关形状。在开关形状。 由信息电子电路来控制由信息电子电路来控制 ,而且需求驱动电路。而且需求驱动电路。 本身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，本身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其任务时普通都需求安装散热器。在其任务时普通都需求安装散热器。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力

5、电子器件的概念和特征通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而能够成为器件功率损耗的主要要素。大而能够成为器件功率损耗的主要要素。 通态损耗通态损耗断态损耗断态损耗开关损耗开关损耗开通损耗开通损耗关断损耗关断损耗电力电子器件的功率损耗电力电子器件的功率损耗2.1.2 运用电力电子器件的系统组成运用电力电子器件的系统组成电力电子器件在实践运用中，普通是由控制电路、驱动电力电子器件在实践运用中，普通是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为中心的主电路组成一个系统。电路和以电

6、力电子器件为中心的主电路组成一个系统。 电气隔离图图2-1 电力电子器件在实践运用中的系统组成电力电子器件在实践运用中的系统组成2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照可以被控制电路信号所控制的程度按照可以被控制电路信号所控制的程度 半控型器件半控型器件 主要是指晶闸管主要是指晶闸管Thyristor及其大部分派生器件。及其大部分派生器件。 器件的关断完全是由其在主电路中接受的电压和电器件的关断完全是由其在主电路中接受的电压和电流决议的。流决议的。 全控型器件全控型器件 目前最常用的是目前最常用的是 IGBT和和Power MOSFET。 经过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其

7、关经过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。断。 不可控器件不可控器件 电力二极管电力二极管Power Diode 不能用控制信号来控制其通断。不能用控制信号来控制其通断。2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照驱动信号的性质按照驱动信号的性质 电流驱动型电流驱动型 经过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。经过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 电压驱动型电压驱动型 仅经过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导仅经过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。通或者关断的控制。按照驱动信号的波形电力二极管除外按照驱

8、动信号的波形电力二极管除外 脉冲触发型脉冲触发型 经过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开经过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。通或者关断的控制。 电平控制型电平控制型 必需经过继续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电必需经过继续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通形状或者关断并维持在阻断形状。流信号来使器件开通并维持在导通形状或者关断并维持在阻断形状。 2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照载流子参与导电的情况按照载流子参与导电的情况 单极型器件单极型器件 由一种载流子参与导电。由一种载流

9、子参与导电。 双极型器件双极型器件 由电子和空穴两种载流子参与导电。由电子和空穴两种载流子参与导电。 复合型器件复合型器件 由单极型器件和双极型器件集成混合而成，由单极型器件和双极型器件集成混合而成， 也称混合型器件。也称混合型器件。 2.1.4 本章内容和学习要点本章内容和学习要点本章内容本章内容 按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它新型器件的顺序，分别引见各种电力电子器件的任务它新型器件的顺序，分别引见各种电力电子器件的任务原理、根本特性、主要参数以及选择和运用中应留意的原理、根本特性、主要参数以及选择和运用中应留意的一些问题。一些

10、问题。学习要点学习要点 最重要的是掌握其根本特性。最重要的是掌握其根本特性。 掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和特性掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和特性曲线的运用方法。曲线的运用方法。 了解电力电子器件的半导体物理构造和根本任务原理。了解电力电子器件的半导体物理构造和根本任务原理。 了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。2.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管 2.2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理 2.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的

11、主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型2.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管引言引言电力二极管电力二极管Power Diode自自20世纪世纪50年代初期就获得年代初期就获得运用，但其构造和原理简单，任务可靠，直到如今电力二运用，但其构造和原理简单，任务可靠，直到如今电力二极管依然大量运用于许多电气设备当中。极管依然大量运用于许多电气设备当中。在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可短少在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可短少的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基二极管，具有不可替代的位

12、置。二极管，具有不可替代的位置。 整流二极管及模块整流二极管及模块AKAKa)IKAPNJb)c)AK2.2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理电力二极管是以半电力二极管是以半导体导体PNPN结为根底的结为根底的, ,实践上是由一个面积实践上是由一个面积较大的较大的PNPN结和两端引结和两端引线以及封装组成的。线以及封装组成的。从外形上看，可以有从外形上看，可以有螺栓型、平板型等多螺栓型、平板型等多种封装。种封装。图图2-2 电力二极管的外形、构造和电气图形符号电力二极管的外形、构造和电气图形符号 a) 外形外形 b) 根本构造根本构造 c) 电气图形符号电气图形符号2.

13、2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理二极管的根本原理二极管的根本原理PN结的单导游电性结的单导游电性 当当PN结外加正向电压正向偏置时，在外电路上那结外加正向电压正向偏置时，在外电路上那么构成自么构成自P区流入而从区流入而从N区流出的电流，称为正向电流区流出的电流，称为正向电流IF，这就是这就是PN结的正导游通形状。结的正导游通形状。 当当PN结外加反向电压时反向偏置时，反向偏置的结外加反向电压时反向偏置时，反向偏置的PN结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截止形状。止形状。 PN结具有一定的反向耐压才干，但当施加的

14、反向电压结具有一定的反向耐压才干，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏过大，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截结反向偏置为截止的任务形状，这就叫反向击穿。止的任务形状，这就叫反向击穿。 按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种方式按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种方式 。 反向击穿发生时，采取了措施将反向电流限制在一反向击穿发生时，采取了措施将反向电流限制在一定范围内，定范围内，PN结仍可恢复原来的形状。结仍可恢复原来的形状。 否那么否那么PN结因过热而烧毁，这就是热击穿。结因过热而烧毁，这就是热击穿。 2.2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理PN

15、结的电容效应结的电容效应 称为结电容称为结电容CJ，又称为微分电容，又称为微分电容 按其产活力制和作用的差别分为势垒电容按其产活力制和作用的差别分为势垒电容CB和分散电和分散电容容CD 势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。在正向偏置时，当正频率越高，势垒电容作用越明显。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主。向电压较低时，势垒电容为主。 分散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时，分散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时，分散电容为结电容主要成分。分散电容为结电容主要成分。 结电容影响结电容影响PN结

16、的任务频率，特别是在高速开关的形结的任务频率，特别是在高速开关的形状下，能够使其单导游电性变差，甚至不能任务。状下，能够使其单导游电性变差，甚至不能任务。2.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性静态特性静态特性 主要是指其伏安特性主要是指其伏安特性 正向电压大到一定值门槛正向电压大到一定值门槛 电压电压UTO ，正向电流才开场，正向电流才开场 明显添加，处于稳定导通形状。明显添加，处于稳定导通形状。 与与IF对应的电力二极管两端的对应的电力二极管两端的 电压即为其正向电压降电压即为其正向电压降UF。 接受反向电压时，只需少子接受反向电压时，只需少子 引起的微小而数值恒定的反向引起的

17、微小而数值恒定的反向 漏电流。漏电流。IOIFUTOUFU图图2-5 电力二极管的伏安特性电力二极管的伏安特性2.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性a)IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdtub)UFPiiFuFtfrt02V 图图2-6 电力二极管的动态过程波形电力二极管的动态过程波形 正向偏置转换为反向偏置正向偏置转换为反向偏置 零偏置转换为正向偏置零偏置转换为正向偏置 动态特性动态特性 由于结电容的存在，电压由于结电容的存在，电压电流特性是随电流特性是随时间变化的，这就是电力二极管的动态特性，时间变化的，这就是电力二极管的动态特性，并且

18、往往专指反映通态和断态之间转换过程的并且往往专指反映通态和断态之间转换过程的开关特性。开关特性。 由正向偏置转换为反向偏置由正向偏置转换为反向偏置 电力二极管并不能立刻关断，而是须经电力二极管并不能立刻关断，而是须经过一段短暂的时间才干重新获得反向阻断才干，过一段短暂的时间才干重新获得反向阻断才干，进入截止形状。进入截止形状。 在关断之前有较大的反向电流出现，并在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。伴随有明显的反向电压过冲。 延迟时间：延迟时间：td=t1-t0 电流下降时间：电流下降时间：tf =t2- t1 反向恢复时间：反向恢复时间：trr=td+ tf 恢复特性的

19、软度：恢复特性的软度： tf /td，或称恢复系，或称恢复系 数，用数，用Sr表示。表示。t0:正向正向电流降电流降为零的为零的时辰时辰t1:反向电反向电流达最大流达最大值的时辰值的时辰t2:电流变电流变化率接近化率接近于零的时于零的时辰辰2.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性UFPuiiFuFtfrt02V由零偏置转换为正向偏置由零偏置转换为正向偏置 先出现一个过冲先出现一个过冲UFP，经，经过过一段时间才趋于接近稳态压降一段时间才趋于接近稳态压降的某个值如的某个值如2V。 正向恢复时间正向恢复时间tfr 出现电压过冲的缘由出现电压过冲的缘由:电电导调制效应起作用所需的大量导调

20、制效应起作用所需的大量少子需求一定的时间来储存，少子需求一定的时间来储存，在到达稳态导通之前管压降较在到达稳态导通之前管压降较大；正向电流的上升会因器件大；正向电流的上升会因器件本身的电感而产生较大压降。本身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，电流上升率越大，UFP越高。越高。 图图2-6 电力二极管的动态过程波形电力二极管的动态过程波形 b) 零偏置转换为正向偏置零偏置转换为正向偏置 2.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数正向平均电流正向平均电流IF(AV) 指电力二极管长期运转时，在指定的管壳温度简称指电力二极管长期运转时，在指定的管壳温度简称壳温，用壳温，用TC表示和散热

21、条件下，其允许流过的最大工表示和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，运用时应按是按照电流的发热效应来定义的，运用时应按有效值相等的原那么来选取电流定额，并应留有一定的有效值相等的原那么来选取电流定额，并应留有一定的裕量。裕量。正向压降正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。向电流时对应的正向压降。反向反复峰值电压反向反复峰值电压URRM 指对电力二极管所能反复施加的反向最顶峰值电压。指对电力二极管所能反复施加的反向最顶峰

22、值电压。 运用时，该当留有两倍的裕量。运用时，该当留有两倍的裕量。 2.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数最高任务结温最高任务结温TJM 结温是指管芯结温是指管芯PN结的平均温度，用结的平均温度，用TJ表示。表示。 最高任务结温是指在最高任务结温是指在PN结不致损坏的前提下结不致损坏的前提下所能接受的最高平均温度。所能接受的最高平均温度。 TJM通常在通常在125175C范围之内。范围之内。反向恢复时间反向恢复时间trr浪涌电流浪涌电流IFSM 指电力二极管所能接受最大的延续一个或几个指电力二极管所能接受最大的延续一个或几个工频周期的过电流。工频周期的过电流。2.2.4 电力二极

23、管的主要类型电力二极管的主要类型按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同，引见几种常用能，特别是反向恢复特性的不同，引见几种常用的电力二极管。的电力二极管。 普通二极管普通二极管General Purpose Diode 又称整流二极管又称整流二极管Rectifier Diode，多，多用于开关频率不高用于开关频率不高1kHz以下的整流电路中。以下的整流电路中。 其反向恢复时间较长，普通在其反向恢复时间较长，普通在5s以上以上 。 其正向电流定额和反向电压定额可以到达其正向电流定额和反向电压定额可以到达很高。很高。 2.2.4 电

24、力二极管的主要类型电力二极管的主要类型快恢复二极管快恢复二极管Fast Recovery DiodeFRD 恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短一恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短一般在般在5s以下以下 。 快恢复外延二极管快恢复外延二极管 Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED ，采用外延型，采用外延型P-i-N构造构造 ，其，其反向恢复时间更短可低于反向恢复时间更短可低于50ns，正向压降也很，正向压降也很低低0.9V左右。左右。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者那级。

25、前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者那么么在在100ns以下，甚至到达以下，甚至到达2030ns。2.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型肖特基二极管肖特基二极管Schottky Barrier DiodeSBD 属于多子器件属于多子器件 优点在于：反向恢复时间很短优点在于：反向恢复时间很短1040ns，正向恢，正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此，况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此，其开关损耗和正导游通损耗都比快速二极管还要小，效率其开关损耗和正导

26、游通损耗都比快速二极管还要小，效率高。高。 弱点在于：当所能接受的反向耐压提高时其正向压降弱点在于：当所能接受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必需更严厉地限制其任务温度。能忽略，而且必需更严厉地限制其任务温度。2.3 半控型器件半控型器件晶闸管晶闸管 2.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理 2.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参

27、数 2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件2.3 2.3 半控器件半控器件晶闸管晶闸管引言引言晶闸管晶闸管Thyristor是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器Silicon Controlled RectifierSCR，以前被简称为可控硅。，以前被简称为可控硅。 1956年美国贝尔实验室年美国贝尔实验室Bell Laboratories发明了晶闸管，到发明了晶闸管，到1957年美国通用电气公司年美国通用电气公司General Electric开发出了世界上第一只开发出了世界上第一只晶闸管产品，并于晶闸管产品，并于1958年使其商业化。年使其商业

28、化。由于其能接受的电压和电流容量依然是目前电力电子器件中最高由于其能接受的电压和电流容量依然是目前电力电子器件中最高的，而且任务可靠，因此在大容量的运用场所依然具有比较重要的地的，而且任务可靠，因此在大容量的运用场所依然具有比较重要的地位。位。晶闸管及模块晶闸管及模块2.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造晶闸管的构造 从外形上来看，晶闸从外形上来看，晶闸管也主要有螺栓型和管也主要有螺栓型和平板型两种封装构造平板型两种封装构造 。 引出阳极引出阳极A、阴极、阴极K和门极控制端和门极控制端G三个联接端。三个联接端。 内部是内部是PNPN四层半四层半导体构造。导体构造。

29、 图图2-7 晶闸管的外形、构造和电气图形符号晶闸管的外形、构造和电气图形符号 a) 外形外形 b) 构造构造 c) 电气图形符号电气图形符号 2.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理图图2-8 晶闸管的双晶体管模型及其任务原理晶闸管的双晶体管模型及其任务原理 a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) 任务原理任务原理 晶闸管的任务原理晶闸管的任务原理 按照晶体管任务原理，按照晶体管任务原理，可列出如下方程：可列出如下方程：111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII2-22-12-32-4式中式中1和和2分别是晶体分别是晶体管管V1和和V2的共基极电流

30、增的共基极电流增益；益；ICBO1和和ICBO2分别分别是是V1和和V2的共基极漏电流。的共基极漏电流。2.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理晶体管的特性是：在低发射极电流下晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而当是很小的，而当发射极电流建立起来之后，发射极电流建立起来之后， 迅速增大。迅速增大。在晶体管阻断形状下，在晶体管阻断形状下，IG=0，而，而1+2是很小的。由是很小的。由上式上式可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管漏电流之和。漏电流之和。 假设注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致假设注入

31、触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于趋近于1的话，流过晶闸管的电流的话，流过晶闸管的电流IA阳极电流阳极电流将将趋近于无穷大，从而实现器件饱和导通。趋近于无穷大，从而实现器件饱和导通。由于外电路负载的限制，由于外电路负载的限制，IA实践上会维持有限值。实践上会维持有限值。 )(121CBO2CBO1G2AIIII 由以上式由以上式2-12-4可得可得(2-5)2.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理除门极触发外其他几种能够导通的情况除门极触发外其他几种能够导通的情况 阳极电压升高至相当高的数值呵斥雪崩效应阳极电压升高至相当高的数值呵斥雪崩效应 阳极电压上升率阳极

32、电压上升率du/dt过高过高 结温较高结温较高 光触发光触发这些情况除了光触发由于可以保证控制电路与这些情况除了光触发由于可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而运用于高压电力设备中主电路之间的良好绝缘而运用于高压电力设备中之外，其它都因不易控制而难以运用于实际。只之外，其它都因不易控制而难以运用于实际。只有门极触发是最准确、迅速而可靠的控制手段。有门极触发是最准确、迅速而可靠的控制手段。 2.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性静态特性静态特性 正常任务时的特性正常任务时的特性 当晶闸管接受反向电压时，不论门极能否有触发电当晶闸管接受反向电压时，不论门极能否有触发电流，晶闸管都不会导通流

33、，晶闸管都不会导通 。 当晶闸管接受正向电压时，仅在门极有触发电流的当晶闸管接受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才干开通情况下晶闸管才干开通 。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制造用，不论门极晶闸管一旦导通，门极就失去控制造用，不论门极触发电流能否还存在，晶闸管都坚持导通触发电流能否还存在，晶闸管都坚持导通 。 假设要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压假设要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。一数值以下。 2.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性晶闸管的伏安特性晶闸管

34、的伏安特性 正向特性正向特性 当当IG=0时，假设在器件时，假设在器件两端施加正向电压，那么两端施加正向电压，那么晶闸管处于正向阻断形状，晶闸管处于正向阻断形状，只需很小的正向漏电流流只需很小的正向漏电流流过。过。 假设正向电压超越临界假设正向电压超越临界极限即正向转机电压极限即正向转机电压Ubo，那么漏电流急剧增大，器那么漏电流急剧增大，器件开通件开通 。 随着门极电流幅值的增随着门极电流幅值的增大，正向转机电压降低，大，正向转机电压降低，晶闸管本身的压降很小，晶闸管本身的压降很小，在在1V左右。左右。 假设门极电流为零，并假设门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零且阳极电流降至接近于零的某

35、一数值的某一数值IH以下，那么以下，那么晶闸管又回到正向阻断形晶闸管又回到正向阻断形状，状，IH称为维持电流。称为维持电流。 图图2-9 晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性 IG2 IG1 IG 正向转正向转机电压机电压Ubo正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+2.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性反向特性反向特性 其伏安特性类似二极管的其伏安特性类似二极管的反向特性。反向特性。 晶闸管处于反向阻断形状晶闸管处于反向阻断形状时，只需极小的反向漏电流经时，只需极小的反向漏电流经过。过。 当反向电压超越一定限制，当反向电压超越

36、一定限制，到反向击穿电压后，外电路如到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，那么反向漏电流无限制措施，那么反向漏电流急剧增大，导致晶闸管发热损急剧增大，导致晶闸管发热损坏。坏。 图图2-9 晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG正向正向转机转机电压电压Ubo正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+2.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性动态特性动态特性 开经过程开经过程 由于晶闸管内部的正反响由于晶闸管内部的正反响 过程需求时间，再加上外电路过程需求时间，再加上外电路 电感的限制，晶闸管遭到触发电感的限制，晶闸管遭到

37、触发 后，其阳极电流的增长不能够后，其阳极电流的增长不能够 是瞬时的。是瞬时的。 延迟时间延迟时间td (0.51.5s) 上升时间上升时间tr (0.53s) 开通时间开通时间tgt=td+tr 延迟时间随门极电流的增延迟时间随门极电流的增 大而减小大而减小,上升时间除反映晶上升时间除反映晶 闸管本身特性外，还遭到外电闸管本身特性外，还遭到外电 路电感的严重影响。提高阳极路电感的严重影响。提高阳极 电压电压,延迟时间和上升时间都延迟时间和上升时间都 可显著缩短。可显著缩短。 图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形阳极电流稳阳极电流稳态值的态值的90%100%90%10%uAKttO0tdtr

38、trrtgrURRMIRMiA阳极电流稳阳极电流稳态值的态值的10%2.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性关断过程关断过程 由于外电路电感的存在，原处由于外电路电感的存在，原处于导通形状的晶闸管当外加电压突于导通形状的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其阳极电流然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。在衰减时必然也是有过渡过程的。 反向阻断恢复时间反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间正向阻断恢复时间tgr 关断时间关断时间tq=trr+tgr 关断时间约几百微秒。关断时间约几百微秒。 在正向阻断恢复时间内假设重在正向阻断恢复时间内假设重新对晶闸管施加正向电压，

39、晶闸管新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正导游通，而不是受门极电会重新正导游通，而不是受门极电流控制而导通。流控制而导通。图图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的开通和关断过程波形100%反向恢复反向恢复电流最大电流最大值值尖峰电压尖峰电压90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数电压定额电压定额 断态反复峰值电压断态反复峰值电压UDRM 是在门极断路而结温为额定值时，允许反复加在器件上的正向是在门极断路而结温为额定值时，允许反复加在器件上的正向 峰值电压见图峰值电压见图2-9。 国标规定断态反复峰值电压国标规定断态反

40、复峰值电压UDRM为断态不反复峰值电压即为断态不反复峰值电压即 断态最大瞬时电压断态最大瞬时电压UDSM的的90%。 断态不反复峰值电压应低于正向转机电压断态不反复峰值电压应低于正向转机电压Ubo。 反向反复峰值电压反向反复峰值电压URRM 是在门极断路而结温为额定值时，允许反复加在器件上的反向是在门极断路而结温为额定值时，允许反复加在器件上的反向 峰值电压见图峰值电压见图2-8。 规定反向反复峰值电压规定反向反复峰值电压URRM为反向不反复峰值电压即反向为反向不反复峰值电压即反向 最大瞬态电压最大瞬态电压URSM的的90%。 反向不反复峰值电压应低于反向击穿电压。反向不反复峰值电压应低于反向

41、击穿电压。2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 通态峰值电压通态峰值电压UTUT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电的瞬态峰值电 压。压。 通常取晶闸管的通常取晶闸管的UDRMUDRM和和URRMURRM中较小的标值作为该器件中较小的标值作为该器件的额定电压。的额定电压。 选用时，普通取额定电压为正常任务时晶闸管所接受峰选用时，普通取额定电压为正常任务时晶闸管所接受峰值电压值电压2323倍。倍。电流定额电流定额 通态平均电流通态平均电流 IT(AV IT(AV 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为国标规定通态平均电流为晶

42、闸管在环境温度为4040C C和规定的冷和规定的冷 却形状下，稳定结温不超越额定结温时所允许流过的最却形状下，稳定结温不超越额定结温时所允许流过的最大工频正弦半大工频正弦半 波电流的平均值。波电流的平均值。 按照正向电流呵斥的器件本身的通态损耗的发按照正向电流呵斥的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。热效应来定义的。 普通取其通态平均电流为按发热效应相等即普通取其通态平均电流为按发热效应相等即有效值相等的有效值相等的 原那么所得计算结果的原那么所得计算结果的1.521.52倍。倍。 2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数维持电流维持电流IH 维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流

43、，维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流，普通为几十到几百毫安。普通为几十到几百毫安。 结温越高，那么结温越高，那么IH越小。越小。 擎住电流擎住电流 IL 擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。后，能维持导通所需的最小电流。 约为约为IH的的24倍倍 浪涌电流浪涌电流ITSM 指由于电路异常情况引起的并使结温超越额定结温的指由于电路异常情况引起的并使结温超越额定结温的不反复性最大正向过载电流。不反复性最大正向过载电流。2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数动态参数动态参数 开通时间开通时间tgt和

44、关断时间和关断时间tq 断态电压临界上升率断态电压临界上升率du/dt 在额定结温暖门极开路的情况下，不导致晶闸管从在额定结温暖门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。断态到通态转换的外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通管误导通 。 通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dt 在规定条件下，晶闸管能接受而无有害影响的最大在规定条件下，晶闸管能接受而无有害影响的最大通态电流上升率。通态电流上升率。 假设电流上升太快，能够呵斥部分过热而使晶闸管假设电流上升太快，能够呵斥部分过热而使晶闸

45、管损坏。损坏。2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件快速晶闸管快速晶闸管Fast Switching ThyristorFST 有快速晶闸管和高频晶闸管。有快速晶闸管和高频晶闸管。 快速晶闸管的开关时间以及快速晶闸管的开关时间以及du/dt和和di/dt的耐量都有了的耐量都有了明显改善。明显改善。 从关断时间来看，普通晶闸管普通为数百微秒，快速从关断时间来看，普通晶闸管普通为数百微秒，快速晶闸管为数十微秒，而高频晶闸管那么为晶闸管为数十微秒，而高频晶闸管那么为10s左右。左右。 高频晶闸管的缺乏在于其电压和电流定额都不易做高。高频晶闸管的缺乏在于其电压和电流定额都不易做高。 由于任务频率

46、较高，选择快速晶闸管和高频晶闸管的由于任务频率较高，选择快速晶闸管和高频晶闸管的通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。 2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件a)b)IOUIG=0GT1T2双向晶闸管双向晶闸管Triode AC SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristor 可以以为是一对反并联联可以以为是一对反并联联 接的普通晶闸管的集成。接的普通晶闸管的集成。 门极使器件在主电极的正门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通，在第反两方向均可触发导通，在第和第和第III象限有对称的伏安特象限有

47、对称的伏安特性。性。 双向晶闸管通常用在交流双向晶闸管通常用在交流电路中，因此不用平均值而用电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。有效值来表示其额定电流值。图图2-11 双向晶闸管的电气图形双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性符号和伏安特性a) 电气图形符号电气图形符号 b) 伏安特性伏安特性 2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件a)KGAb)UOIIG=0逆导晶闸管逆导晶闸管Reverse Conducting ThyristorRCT 是将晶闸管反并联一个是将晶闸管反并联一个二极控制造在同一管芯上二极控制造在同一管芯上的功率集成器件，不具有的功率集成器件，不具有接受反向

48、电压的才干，一接受反向电压的才干，一旦接受反向电压即开通。旦接受反向电压即开通。 具有正向压降小、关断具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额时间短、高温特性好、额定结温高等优点，可用于定结温高等优点，可用于不需求阻断反向电压的电不需求阻断反向电压的电路中。路中。 图图2-12 逆导晶闸管的电气图形符号逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性和伏安特性 a) 电气图形符号电气图形符号 b) 伏安特性伏安特性 2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件AGKa)AK光强度强弱b)OUIA光控晶闸管光控晶闸管Light Triggered ThyristorLTT 是利用一定波长的光是利用一定波长的

49、光照信号触发导通的晶闸管。照信号触发导通的晶闸管。 由于采用光触发保证由于采用光触发保证了主电路与控制电路之间了主电路与控制电路之间的绝缘，而且可以防止电的绝缘，而且可以防止电磁干扰的影响，因此光控磁干扰的影响，因此光控晶闸管目前在高压大功率晶闸管目前在高压大功率的场所。的场所。图图2-13 光控晶闸管的电气图形符光控晶闸管的电气图形符 号和伏安特性号和伏安特性 a) 电气图形符号电气图形符号 b) 伏安特性伏安特性 2.4 典型全控型器件典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 2.4.4 绝

50、缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管2.4 典型全控型器件典型全控型器件引言引言门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。20世纪世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。崭新时代。典型代表典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。电力电力MOSFETIGBT单管及模块单管及模块2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器件，但晶闸管的一种派生器件，但可以经过在门极施加负的脉冲可以经过在门极施加负的脉冲电流使

51、其关断，因此属于全控电流使其关断，因此属于全控型器件。型器件。 GTO的构造和任务原理的构造和任务原理 GTO的构造的构造 是是PNPN四层半导体结四层半导体结 构。构。 是一种多元的功率集成是一种多元的功率集成 器件，虽然外部同样引出个器件，虽然外部同样引出个 极，但内部那么包含数十个极，但内部那么包含数十个甚甚 至数百个共阳极的小至数百个共阳极的小GTO 元，这些元，这些GTO元的阴极和门元的阴极和门 极那么在器件内部并联在一极那么在器件内部并联在一同。同。 图图2-14 GTO的内部构造和电气图形符号的内部构造和电气图形符号各单元的阴极、门极间隔陈列的图形各单元的阴极、门极间隔陈列的图形

52、 并联单元构造断面表示图并联单元构造断面表示图 电气图形符号电气图形符号 2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 图图2-8 晶闸管的双晶体管模型晶闸管的双晶体管模型 及其任务原理及其任务原理 a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) 任务原理任务原理GTO的任务原理的任务原理 依然可以用如图依然可以用如图2-8所示的双晶体所示的双晶体管模型来分析，管模型来分析，V1、V2的共基极电流的共基极电流增益分别是增益分别是1、2。1+2=1是是器件临界导通的条件，大于器件临界导通的条件，大于1导通，导通，小于小于1那么关断。那么关断。 GTO与普通晶闸管的不同与普通晶闸管的不同 设计设计2较大，使

53、晶体管较大，使晶体管V2控制控制 灵敏，易于灵敏，易于GTO关断。关断。 导通时导通时1+2更接近更接近1，导通时，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。但导通时管压降增大。 多元集成构造，使得多元集成构造，使得P2基区横向基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。电阻很小，能从门极抽出较大电流。 2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的导经过程与普通晶闸管是一样的，的导经过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时饱和程度较浅。只不过导通时饱和程度较浅。 而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，当

54、两个晶体管发射极电流出电流，当两个晶体管发射极电流IA和和IK的的减小使减小使1+21时，器件退出饱和而关断。时，器件退出饱和而关断。 GTO的多元集成构造使得其比普通晶闸管的多元集成构造使得其比普通晶闸管开经过程更快，接受开经过程更快，接受di/dt的才干加强。的才干加强。 2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的动态特性的动态特性 开经过程与普通晶闸管开经过程与普通晶闸管类似。类似。 关断过程关断过程 储存时间储存时间ts 下降时间下降时间tf 尾部时间尾部时间tt 通常通常tf比比ts小得多，而小得多，而tt比比ts要长。要长。 门极负脉冲电流幅值门极负脉冲电流幅值越大，前沿

55、越陡，越大，前沿越陡， ts就越就越短。使门极负脉冲的后沿短。使门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在缓慢衰减，在tt阶段仍能阶段仍能坚持适当的负电压，那么坚持适当的负电压，那么可以缩短尾部时间。可以缩短尾部时间。图图2-15 GTO的开通和关断过程电流波形的开通和关断过程电流波形 Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6抽取饱和导通时抽取饱和导通时储存的大量载流储存的大量载流子的时间子的时间等效晶体管从饱等效晶体管从饱和区退至放大区，和区退至放大区，阳极电流逐渐减阳极电流逐渐减小时间小时间 残存残存载流载流子复子复合所合所需时需时间间 2.4.1 门极可

56、关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的主要参数的主要参数 GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义一样。的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义一样。 最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流IATO 用来标称用来标称GTO额定电流。额定电流。 电流关断增益电流关断增益off 最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值与门极负脉冲电流最大值IGM之比。之比。 off普通很小，只需普通很小，只需5左右，这是左右，这是GTO的一个主要缺陷。的一个主要缺陷。 开通时间开通时间ton 延迟时间与上升时间之和。延迟时间与上升时间之和。 延迟时间普通约延迟时间普通约12s，上升时间那么随

57、通态阳极电流值的增大，上升时间那么随通态阳极电流值的增大而而 增大。增大。 关断时间关断时间toff 普通指储存时间和下降时间之和，而不包括尾部时间。普通指储存时间和下降时间之和，而不包括尾部时间。 储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间普通小于储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间普通小于2s。不少不少GTO都制呵斥逆导型，类似于逆导晶闸管。当需求接受反向电都制呵斥逆导型，类似于逆导晶闸管。当需求接受反向电压时，应和电力二极管串联运用。压时，应和电力二极管串联运用。 2.4.2 电力晶体管电力晶体管电力晶体管电力晶体管Giant TransistorGTR按英文直译为巨型晶体管，是一种耐

58、高电压、按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管大电流的双极结型晶体管Bipolar Junction TransistorBJT GTR的构造和任务原理的构造和任务原理 与普通的双极结型晶体管根本原理是一与普通的双极结型晶体管根本原理是一样的。样的。 最主要的特性是耐压高、电流大、开关最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好。特性好。 GTR的构造的构造 采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元构造，并采用集采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元构造，并采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。成电路工艺将许多这种单元并联而成。 GTR是由三层半导体分别引出集电极、

59、基极和发射极构成是由三层半导体分别引出集电极、基极和发射极构成的两个的两个PN结集电结和发射结构成，多采用结集电结和发射结构成，多采用NPN构造。构造。2.4.2 电力晶体管电力晶体管图图2-16 GTR的构造、电气图形符号和内部载流子的流动的构造、电气图形符号和内部载流子的流动a) 内部构造断面表示图内部构造断面表示图 b) 电气图形符号电气图形符号 c) 内部载流子的流动内部载流子的流动+表示高表示高掺杂浓掺杂浓度，度，-表表示低掺示低掺杂浓度杂浓度 2.4.2 电力晶体管电力晶体管Iiiceobc空穴流电子流c)EbEcibic=ibie=(1+ )ib图图2-16 c) 内部载流子的流

60、动内部载流子的流动 iibc在运用中，在运用中，GTR普通采用共发射极接普通采用共发射极接法。集电极电流法。集电极电流ic与基极电流与基极电流ib之比为之比为 称为称为GTR的电流放大系数，它反映了的电流放大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制才干。当基极电流对集电极电流的控制才干。当思索到集电极和发射极间的漏电流思索到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，时，ic和和ib的关系为的关系为 单管单管GTR的的 值比处置信息用的小值比处置信息用的小功率晶体管小得多，通常为功率晶体管小得多，通常为10左右，采左右，采用达林顿接法可以有效地增大电流增益。用达林顿接法可以有效地增大电流增益。(2-9