笔记本电路基础最新

1、 电路基础主要内容：主要内容： 讲解元器件的认识、测量和代换；讲解元器件的认识、测量和代换； 教学目的：教学目的：1 1、使每个学员认识并会测量和替换笔记本、使每个学员认识并会测量和替换笔记本主板上的元器件；主板上的元器件； 2 2、掌握三极管、掌握三极管、MOSMOS管在电管在电 路中的作用和工作方式；路中的作用和工作方式； 3 3、了解门控芯片、精密稳压器、线性稳压、了解门控芯片、精密稳压器、线性稳压 器、运算放大比较器、门电路。器、运算放大比较器、门电路。等芯片的功能和作用；等芯片的功能和作用； 由实际元器件构成的由实际元器件构成的可将其他形式的能量转换成电能、向可将其他形式的能量转换成

2、电能、向电路提供电能的装置。电路提供电能的装置。可将电能转换成其他形式的能量、在可将电能转换成其他形式的能量、在电路中接收电能的设备。电路中接收电能的设备。电源和负载之间不可缺少的连接、电源和负载之间不可缺少的连接、控制和保护部件统称为中间环节，控制和保护部件统称为中间环节，如导线、开关及各种继电器等。如导线、开关及各种继电器等。的电路可对电信号进行传递、变的电路可对电信号进行传递、变换、储存和处理。换、储存和处理。的电路可对电能进行传输、分配的电路可对电能进行传输、分配和转换。和转换。电路的基本公式：电路的基本公式：欧姆定律：欧姆定律：I=U/R I： 电流电流 安安 A mA U： 电压电

3、压 伏伏 V mV R： 电阻电阻 欧欧 m电功率：电功率：P=IU=I2R=U2/R 电功电功: W =Pt =1千瓦千瓦1 小时小时=1千瓦时千瓦时 P: 功率功率 瓦瓦 W 1度电度电=1000瓦时瓦时死区时间, 上下管驱动信号均为低电平发光二极管的工作电流很小，为了防止其烧毁或延长电源的使用时间，要将电路的电流限制在其工作电流范围内，根据欧姆定律可以计算出R1的值。 I=V/（R1+RD）(此时的I值应该是发光二极管的工作电流值),相信不难求出电阻的值。电容器电容器：capacitor 1、符号和单位：符号： C、（TC、CT、CB、BC、CM、MC、CE、EC、CC、CN、CP）单位

4、：法（F）、微法（F=10-6F）、纳法（nF=10-9F）、皮法（pF=10-12F）电容的常用单位是微法、纳法和皮法；电容 的默认单位是微法；特性和作用：a、特性：电容是一种能够储存电能的元件，通过充电和放电来储存和释放电能；有如下特性：）充放电储存和释放能量；）通交流而隔直流；）通高频交流电而阻碍低频交流电；）电容不允许加在其两端的电压发生突变，电容的充放电需符合一定的规律，其充放电常数=RC 5）容抗：电容对交流电的阻碍作用，用Xc表示，单位为。 XC =1/（2f c)其中2为常数，f为频率，c为容量电容的作用电容的作用C1、C2是耦合电容，传输音频交流信号，C2同时有隔直流的作用，

5、防止直流烧坏扬声器；电感：电感：1、符号和单位：、符号和单位： 符号：符号：L单位：单位：1亨（亨（H）=1000 毫亨（毫亨（mH） 1mH =1000 微亨（微亨（H）作用：a、滤波：电感的滤波作用与电容非常相似，只不过电容是并联在电路中，而电感是串联在电路中，它相当于一个电源，这两个电源是串联关系。单独电感做滤波的情况比较少，一般与电容配合使用组成L型或型滤波电路，滤波效果才更佳。L型滤波和型滤波b、储能：晶振：1、符号：、符号：X、Y(晶振由压电石英晶体制成晶振由压电石英晶体制成) 2、频率：、频率：时钟时钟:14.318Mhz南桥南桥:32.768 khzI/O:32.768khz声

6、卡声卡:24.576 Mhz网卡网卡:25.00 Mhz显卡显卡:27Mhz 3、代换原则：原值代换不可偏差。同型号、代换原则：原值代换不可偏差。同型号原值代换。原值代换。3、晶振的测量：、晶振的测量：二极管：二极管：a、符号：b、分类： 按功能分：1）整流二极管： 普通、快恢复、超快恢复、肖特基 2）稳压二极管：3）开关二极管：4）发光二极管：5）光电二极管：按材料分： 硅管、锗管按封装形式分：玻璃封装、塑料封装c、特性与作用：1、特性：单向导电性：电流只能从正极流向负极而不能从负极流向正极；正向导通时有压降，普通硅管为0.6-0.7V； 普通锗管为0.2-0.3V 发光二极管的压降1-5V

7、反向电压大于定值时会击穿；如1N4001 1A 50V 1N4007 1A 100V作用：作用： 整流：把交流电变成直流电；整流：把交流电变成直流电； 限幅：限幅：限制电压幅度；限制电压幅度；稳压：稳压：稳压二极管反向连接在电路中，稳压二极管反向连接在电路中， 工作在特殊的软击穿状态，使两端电压保持稳定。工作在特殊的软击穿状态，使两端电压保持稳定。一旦电压超过其稳压值一旦电压超过其稳压值,稳压二极管就会软击穿反向导稳压二极管就会软击穿反向导通，将高出的电压对地短路掉；通，将高出的电压对地短路掉；当电压低于稳压二极管的稳压值时，稳压二极管是截止当电压低于稳压二极管的稳压值时，稳压二极管是截止的。

8、的。注意：如果所加的反向电压过大，超过了稳压二极管的注意：如果所加的反向电压过大，超过了稳压二极管的允许值，就会击穿短路、也可能烧断或者稳压电压值改允许值，就会击穿短路、也可能烧断或者稳压电压值改变。变。 LED：光源、指示、显示、传递信号；：光源、指示、显示、传递信号； 光电二极管：光传感器、光电控制；光电二极管：光传感器、光电控制； 钳位：钳位： 好坏的判断：好坏的判断： 普通二极管只有一组数值就是好的普通二极管只有一组数值就是好的 （从电路上拆下来测量）；（从电路上拆下来测量）； 常见故障为击穿或烧断；常见故障为击穿或烧断；代换：代换： 同型号代换或用同类型的、同型号代换或用同类型的、

9、参数接近的代换；参数接近的代换；n晶体三极管晶体三极管：电流控制型器件，按导电类型分为PNP管和NPN管；n电路符号及常见型号： 图中箭头的方向是发射极e加正向电压时电流的方向 NPN型三极管型号:T04、SIA、IAM、KIN、IP、IAP. PNP型三极管型号:T06、2B、2A.n工作状态：在实际电路中，主要应用了放大电路和开关电路。 1、放大电路：当基极（输入端）输入一个较小的基极电流时，其集电极（输出端）将按比例产生一个较大的集电极电流，这个比例就是三极管的电流放大系数。（VC Vb Ve）2、开关电路：三极管在电路中通常用做电子开关。在开关状态下的三极管处于饱和（导通）状态和截止状

10、态。 a、饱和（导通）状态：三极管的发射极加正向电压时，这时集电极与发射极之间的电阻很小，就像开关闭合一样，三极管处于饱和（导通）状态；（ Vb Ve ） b、截止状态：三极管的发射极加反向电压或两断电压为零时,这时集电极与发射极之间的电阻很大，就像开关断开一样，三极管处于截止状态；（Vb Ve）n三极管的作用：放大、开关和稳压作用。n三极管的检测与代换：用 档 找基极：用一个表笔接任意一脚，另一表笔分别接另外两脚，如果两次都有400600的数值，则不动的表笔接的就是基极b； 集电极与发射极：两次阻值中，较大的一次接的是发射极e，小的一次是集电极c； 红表笔接基极b，能测出两组数值的是NPN管

11、； 黑表笔接基极b，能测出两组数值的是PNP管；n在路测量时，无论表笔怎么接，所测阻值不能为0或1（）； 场管场管N沟道增强型MOSFET的结构P型衬底BSiO2N+N+SDG 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。DGSBDGSBnMOS：电压控制型器

12、件，有N沟道和P沟道之分； 衬底中箭头的方向表明是N沟道还是P沟道：箭头朝里的是N沟 道，箭头朝外的是P沟道。n实物外形：D S GB衬衬底底 N沟道增强型图符号沟道增强型图符号D S GB衬衬底底 P沟道增强型图符号沟道增强型图符号nN沟道MOS管（单管）nP沟道MOS管（单管）n复合MOS管SI4435SI48356986Sn特殊脚位MOS管G1S2G2D1D2/S14816G1S1S2G2D14814D24235n6脚中功率MOS管（有N沟道和P沟道）nN沟道MOS的导通条件：VG VS (八脚MOS管大于4.5V，三脚MOS管大于3V)nP沟道MOS的导通条件：VG VS （八脚MOS

13、管小于4.5V，三脚MOS管小于3V）nVGS VT（开启电压0.45V-3V）：MOS管工作在截止区，漏源电流IDS 0，输出电压VDS VDD ，MOS管处于“断开”状态；nVGS VT（开启电压0.45V-3V ）：MOS管处于“导通”状态， VD VS ； N沟道增强型MOSFET的工作原理 对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。 1栅源电压UGS的控制作用SDGPN+N+SiO型衬底DSUGSU2=0空穴正离子电子负离子+ 先令漏源电压UDS=0

14、，加入栅源电压UGS以后并不断增加。 UGS带给栅极正电荷，会将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，从而形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。 同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷，若电子数量较多，从而在漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层。此时若加上UDS ，就会有漏极电流ID产生。反型层0DSU 当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS ，也不能形成ID 。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。n检测与代换：用检测与代换：用 档测量档测量 N N沟道：黑表笔接沟道：黑表笔接D

15、 D，红表笔接，红表笔接S S，有，有400600400600阻值；阻值； G G和和S S，正反测都是，正反测都是“1” /1” /（） ； G G和和D D，正反测都是，正反测都是“1” /1” /（） ； P P沟道：黑表笔接沟道：黑表笔接S S ，红表笔接，红表笔接D D ，有，有400600400600阻值；阻值； G G和和S S，正反测都是，正反测都是“1” /1” /（） ； G G和和D D，正反测都是，正反测都是“1” /1” /（） ；n如果在测量时有极间短路现象，必须把三个电极相互短接（放电）如果在测量时有极间短路现象，必须把三个电极相互短接（放电）n在路测量时只要在路测量时只要G G和和S S、 G G和和D D没有短路，没有短路，MOSMOS管一般就是好的。管一般就是好的。n有部分有部分MOSMOS管测量阻值是好的，但输出的电压不正常（偏小或没管测量阻值是好的，但输出的电压不正常（偏小或没有），我们就要采取替换的方法。有），我们就要采取替换的方法。N沟道导通条件沟道导通条件: UG US典型应用电路典型应用电路16V 输入控制信号5V输出16VP沟道导通条件: UG VB;Q2为N沟道MOS管,导通条件为 UG US，当Q2导通时, VA VB,故Q1也导通,VC输出16V,当Q2截止时, VA = VB,故Q2也截止,