《半导体器件物理》复习题

1、半导体器件物理复习思考题（1）提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会增大,p-n结的势垒厚度将会增大如果重掺杂，使半导体达到高度简并时，p-n结的势垒高度将会减小。（增大；减小；不变）（2）当环境温度升高时，p-n结的势垒高度将会减小，p-n结的势垒厚度将会减小,p-n结的正向压降将会减小。（增大；减小；不变）（3）半导体耗尽层就是其中不存在有任何载流子的区域。（任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电荷）（4）线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要高于突变p-n结的击穿电压。（高于；低于；等于）（5）同时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量是扩散长度。（迁移率；扩散系数；扩散长度

2、）（6）决定通过p-n结电流大小的主要因素是少数载流子扩散的浓度梯度（少数载流子扩散的浓度梯度；多数载流子的浓度；载流子的漂移速度；势垒区中的电场）；限制p-n结电流大小的主要区域是势垒区两边的中性扩散区（存在有电场的势垒区；势垒区两边的中性扩散区；势垒区和扩散区以外的中性区）（7）通过p+-n结的电子电流小于空穴电流。（大于；小于；等于）（8）对于Si的p-n结，其反向电流主要是势垒区中复合中心的产生电流。（在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合中心的产生电流；势垒区中的漂移电流）温度升高时，Sip-n结的反向电流将指数增加。（线性增加；指数增加；快速下降；不变）（9）p-n结在正向电压

3、下呈现出的电容，有势垒电容和扩散申，容。（势垒电容；扩散电容；势垒电容和扩散电容）（10）由金属-半导体接触构成的Schottky二极管，是多数载流子器件。（少数载流子器件；多数载流子器件）与p-n结二极管相比，Schottky二极管具有较低的正向电压。（较高；较低；相等）（11）对于放大状态的n+-p-n晶体管，通过基极的电流分量包括有在基区复合的电子电流，在发射区注入空穴的扩散电流，在基区抽取的电子的扩散电流，发射结势垒区中复合中心的电流_。（12）BJT的ICE0要比ICB0约大虫倍。（a；B）000（13）BJT的发射极电流集边效应是由于基区扩展电阻而产生的。（发射极串联电阻；基区扩展

4、电阻；基区展宽效应；基区电导调制效应）（14）Early效应是由集电结电压变化所引起的，其基本涵义是；Kirk效应是由大的发射极电流所引起的，其基本的涵义是。（发射结电压变化；集电结电压变化；高的集电结电压；大的发射极电流；大的基极电流）（15）BJT的集电结与单独的p-n结相比（在可类比的情况下），它通过的电流要大_,其击穿电压要低。（大；小；高；低）（16）影响双极型晶体管耗散功率的主要因素是热阻。（基极电阻；击穿电压；集电极最大允许工作电流；热阻）（17）BJT的开关时间一般主要决定于基区和集电区中过量存储电荷消失的时间。（发射结的充放电时间；基区和集电区中过量存储电荷消失的时间；集电结

5、的充放电时间）（18）与双极型晶体管不同，场效应晶体管是电压控制器件（电压控制；电流控制）是多数载流子器件（多数；少数）。（19）MOSFET的阈值电压基本上包含有栅氧化层卜的电压，使半导体表面产牛强反型层所需要的电压，平带电压包含金属-半导体的功函数差和SiO一/Si系统内部和界面的电荷几个部2分的电压。（20）MOSFET的阈值电压随着温度的升高将下降_（下降；增大；不变）。（21）对于长沟道场效应晶体管，其电流饱和的机理是沟道夹断；而对于短沟道沟道场效应晶体管，其电流饱和的机理是速度饱和。（沟道夹断；速度饱和；迁移率下降）（22）场效应晶体管的跨导g是反映栅极电压变化引起源-漏电流变化的

6、大小_（栅极电压变化引起源-漏m电流变化的大小；源-漏电压变化引起源-漏电流变化的大小），它表征着场效应晶体管的放大性能（输出电阻；输入电阻；放大性能）。（23，对于场效应晶体管，其饱和区的跨导要大于线性区的跨导（大于；小于；等于）并且饱和区的跨导等于线性区的漏电导_（饱和区的漏电导；线性区的漏电导；衬底的跨导）。（24）场效应晶体管的特征频率（截止频率）f是根据输出交流电流等于输入交流电流来确定的（输T出交流电流等于输入交流电流；输出阻抗等于输入阻抗；输出电压等于输入电压）；短沟道MOSFET的f，T往往决定于栅极回路时间常数，它与沟道长度之间具有平方反比关系（正比；反比；无关；平方反比）。

7、（25）MOSFET表面沟道中载流子的迁移率要低于埋沟中载流子的迁移率（高于：低于：等于）,并且在室温下迁移率随着温度的升高将下降（下降；增大；不变）。（26）MOSFET源-漏之间所能加的最高电压（击穿电压）决定于漏结的击穿申，压和源-漏穿通申，压源结的击穿电压；漏结的击穿电压；栅氧化层的耐压；源-漏穿通电压）。(27)MOSFET的亚阈状态是不出现沟道的一种工作模式(出现；不出现)；亚阈电流与栅极电压之间有指数关系(有指数；有线性；没有)(28) 限制着小尺寸MOSFET进一步缩小尺寸的DIBL效应，将使得漏极电流增大，和使得阈值电压减小。(增大；减小；不变)(29) 小尺寸MOSFET的

8、LDD(轻掺杂漏区)结构，其主要特点是可防止热电子效应_。(短沟道效应；热电子效应；源-漏穿通效应)(30) 浮置栅雪崩注入MOS(FAMOS)器件和叠栅雪崩注入MOS(SAMOS)器件都是利用-沟道雪崩注入效应来工作的一种存贮器件。(雪崩击穿效应；沟道雪崩注入效应；载流子速度饱和效应)(31) 双极型集成电路中器件的缩小规则适宜于采用恒定电压(CV)缩小规则，而MOS-VLSI数字集成电路中器件的缩小规则适宜于采用恒定亚阈特性缩小规则。(恒定电场(CE)缩小规则；恒定电压(CV)缩小规则；恒定亚阈特性缩小规则)(32) 对于CMOS-E/E静态反向器，最低电平是地电位,最高电平是电源电压。(

9、电源电压；地电位；电源电压减去阈值电压；电源电压减去栅-源电压)(33) CMOS反向器的逻辑阈值电压一般选取为电源电压的一半_(电源电压；电源电压的一半；驱动管的阈值电压)；在这时驱动管和负载管都处于饱和状态状态(截止状态；饱和状态；放大状态)。(34) 对于CMOS，采用SOI衬底的最大好处之一是可有效地消除“自锁”效应。(可有效地消除“自锁”效应；可防止热电子效应；可提高击穿电压)(35) 对于VLSI中的小尺寸MOSFET，其沟道区域一般都需要进行掺杂，它的目的主要是防止源-漏穿通和控制阈值电压。(消除热电子效应；防止源-漏穿通；控制阈值电压；减弱短沟道效应)(36) 实际短沟道MOS

10、FET的输出伏安特性曲线，在饱和区的电流并不饱和，其主要原因是D!BL>应和沟道长度调制效应。(DIBL效应；沟道长度调制效应；速度饱和效应：热载流子效应)一、填空(共32分，每空2分)1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产牛于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V产生影响，具体地，对于短沟道器件对V的影响为TT下降，对于窄沟道器件对V的影响为上升。T3、在NPN型BJT中其集电极电流I受J电压控制，其基极电流I受电压控制。CBEB

11、BE4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄牛参数小，响应速度快等。5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V>6E/q。Bg当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。一、选择填空（22分）1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（B），对应的有效质量（C），称该能带中的空穴为（E）。A. 曲率大；B.曲率小；C.大；D.小；E.重空穴；F.轻空穴2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质

12、称为（F）。A.施主B.受主C.复合中心D.陷阱F.两性杂质3、在通常情况下，6&“呈（A）型结构，具有（C），它是（F）半导体材料。A.纤锌矿型；B.闪锌矿型；C.六方对称性；D.立方对称性；E.间接带隙；F.直接带隙。4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数&是乙的3/4，m*/m值是乙的2倍,rn0那么用类氢模型计算结果是（D）。A. 甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B. 甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C. 甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.

13、甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/85、.一块半导体寿命t=15As，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30旧后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（C）。A.1/4；B.1/e；C.1/e26、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n/N-N/iDA时，半导体具有（B）半导体的导电特性。A.非本征B.本征7、在室温下，非简并Si中电子扩散系数D与N有如下图（C）所示的最恰当的依赖关系:nD8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A）移动；当掺杂浓度一定时，温度从室温逐步增加，费

14、米能级向（C）移动。A.Ev；B.Ec；C.Ei；D.EF9、把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（D）。A.改变禁带宽度；B.产生复合中心；C.产生空穴陷阱；D.产生等电子陷阱。10、对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（C）。A. 非平衡载流子浓度成正比；B.平衡载流子浓度成正比；C.非平衡载流子浓度成反比；D.平衡载流子浓度成反比。11、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（B）。A.变大，变小；B.变小，变大；C.变小，变小；D.变大，变大。12、如在半导体的禁带

15、中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（B）空穴的俘获率，它是（D）。A.大于；B.等于；C.小于；D.有效的复合中心；E.有效陷阱。13、在磷掺杂浓度为2X10i6cm-3）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A）°A.In（W=3.8eV）；mB. Cr（W=4.6eV）；C.Au（W=4.8eV）；D.Al（W=4.2eV）。mmm14、在硅基MOS器件中，硅衬底和Si0界面处的固定电荷是（B），它的存在使得半导体表面的能带（C）2弯曲，在C-V曲线上造成平带电压（F）偏移。A.钠离子；B.过剩的硅离子；C.向下；D.向上；E.向正向电压方向；F.向负向电压方

16、向。第1章思考题和习题A,求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。5. 证明本征半导体的本征费米能级E位于禁带中央。i6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。7. 室温下硅的有效态密度Nc=X10i9cm-3,kTeVeV,如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：(a) 计算77K、300K、473K3个温度下的本征载流子浓度。(b) 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/Vs和500cm2/Vs,计

17、算本征硅的电阻率是多少？8. 某硅棒掺有浓度分别为10i6/cm3和10is/cm3的磷，求室温下的载流子浓度及费米能级E的位置(分别从导带底和本征费米能级算起)。FN9. 某硅棒掺有浓度分别为10i5/cm3和10i7/cm3的硼，求室温下的载流子浓度及费米能级E的位置(分别从价带顶和本征费米能级算起)。FP10. 求室温下掺磷为10i7/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。11. 掺有浓度为3X10i6cm-3的硼原子的硅，室温下计算：(a)光注入n二p=3X10i2cm-3的非平衡载流子，是否为小注入？为什么？(b)附加光电导率厶。为多少？(c)画出光注入下的准费米能级E'和E&#

18、39;FN(E为参考)的位置FPi示意图。(d)画出平衡下的能带图，标出E、EEE能级的位置，在CV、FP、i此基础上再画出光注入时，E'和E',并说明偏离E的程度是不同FPFNFP的。12. 室温下施主杂质浓度N=4X1015cm-3的N型半导体，测得载流子D迁移率卩=1050cm2/Vs,u=400cm2/Vs,kT/q=V,求相应的扩np散系数和扩散长度为多少？第2章思考题和习题1. 简述PN结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。2. 画出平衡PN结，正向PN结与反向PN结的能带图，并进行比较。3. 如图2-69所示，试分析正向小注入时，电子与空穴在5个区域中的运动情况。

19、4. 仍如图2-69为例试分析PN结加反向偏压时，电子与空穴在5个区域中的运动情况。pN+中扩中性势塞区性区区区图2-695试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图，写出边界少子浓度及少子浓度分布式，并给予比较。6. 用平衡PN结的净空穴等于零的方法，推导出突变结的接触电动势差表达式。7. 简述正反向PN结的电流转换和传输机理。8何为正向PN结空间电荷区复合电流和反向PN结空间电荷区的产生电流。9. 写出正、反向电流_电压关系表达式，画出PN结的伏安特性曲线,并解释pN结的整流特性特性。10. 推导硅突变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。并画出示意图。11. 推导线性缓变变结空间电荷区电场分布

20、及其宽度表达式。并画出示意图。12. 什么叫PN结的击穿与击穿电压，简述PN结雪崩击穿与隧道击穿的机理，并说明两者之间的不同之处。13. 如何提高硅单边突变结的雪崩击穿电压？14. 如何提高线性缓变结的雪崩击穿电压？15. 如何减小PN结的表面漏电流？16. 什么叫PN结的电容效应、势垒电容和扩散电容？17. 什么叫做二极管的反向恢复过程和反向恢复时间？提高二极管开关速度的途径有哪些？18. 以N型硅片为衬底扩硼制备PN结，已知硼的分布为高斯函数分布，衬底浓度N=1X10i5/cm3,在扩散温度为1180°CX10-i2cm2/s，扩D散时间t=30min,扩散结深Xumo试求：扩散

21、层表面杂质浓度N?js结深处的浓度梯度a?接触电势差U?jD19. 有两个硅PN结，其中一个结的杂质浓度Np-5x1015cm-3,NA=5x1017cm-3；另一个结的N口-5x1019cm-3,NA=5x1017cm-3，求室温下两个PN结的接触电动势差。并解释为什么杂质浓度不同，接触电动势差的大小也不同。20. 计算一硅PN结在300K时的内建电场，NA=10】8cm-3,ND=1015cm-3。21. 已知硅PN结：N=5x1016cm-3,N=1016cm-3D=21cm2/s,ADnDp=10cm2/s,tp二tn二5x10-7s,截面积A二2x0-4cm2，求 理想饱和电流J0?

22、 外加正向电压为0.5V时的正向电流密度J?电子电流与空穴电流的比值？并给以解释。T_T_T22. 仍以上题的条件为例，假设g=np'计算4V反向偏压时的产生电流密度。23. 最大电场强度（T=300K）?求反型电压300v时的最大电场强度。24. 对于一个浓度梯度为1020cm-4的硅线性缓变结，耗尽层宽度为0.5卩m。计算最大电场强度和结的总电压降。25. 一硅P+N结，其NA=1019cm-3,N=1015cm-3，面积A二1x10-3cm2,计算AD反向偏压U分别等于5V和10V的么势垒电容CT、空间电荷区宽度Xm和最大电场强度em。26. 计算硅P+N结的击穿电压，其ND=1

23、016cm-3（利用简化式）。27. 在衬底杂质浓度ND=5x1016cm-3的n型硅晶片上进行硼扩散，形成PN结,硼扩散后的表面浓度NS=1018cm-3,结深Xj=5卩m。试求结深处的浓度梯度aj，施加反向偏压5V时的单位面积势垒电容和击穿电压UB。28. 设计一P+N突变结二极管。其反向电压为130V，且正向偏压为0.7V时的正向电流为2.2mA。并假设工旳=10-7s。29. 一硅P+N结，ND=1015cm-3，求击穿时的耗尽层宽度，若N区减小到和m计算击穿电压并进行比较。30. 一个理想的硅突变结NA=1018cm-3,ND=1015cm-3，求计算250K、300K、400K、5

24、00K下的内建电场UD，并画出UD对温度t的关系曲线。用能带图讨论所得结果。求300K下零偏压的耗尽层宽度和最大电场。第3章思考题和习题1. 画出PNP晶体管在平衡和有源工作模式下的能带图和少子分布示意图。2. 画出正偏置的NPN晶体管载流子输运过程示意图，并解释电流传输和转换机理。3. 解释发射效率Y和基区输运系数B*的物理意义。004. 解释晶体管共基极直流电流放大系数a，共发射极直流电流放大0系数B的含义，并写出a、B、y和B*的关系式。000005. 什么叫均匀基层晶体管和缓变基区晶体管？两者在工作原理上有什么不同？6. 画出晶体管共基极、共发射机直流输出、输出特性曲线、并讨论它们之间

25、的异同。7. 晶体管的反向电流I、1、1是如何定义的？写出ICBOEBOCEOC与I之间的关系式并加以讨论。EOCBO8. 晶体管的反向击穿电压BU、BU、BU是如何定义CBOCEOEBO的？写出BU与BU之间的关系式，并加以讨论。CEOCBO9. 高频时晶体管电流放大系数下降的原因是什么？10. 描写晶体管的频率参数主要有哪些？它们分别的含义是什么？11. 影响特征频率f的因素是什么？如何特征频率f?TT12. 画出晶体管共基极高频等效电路图和共发射极高频等效电路图。13. 大电流时晶体管的B、f下降的主要原因是什么？0T14. 简要叙述大注入效应、基区扩展效应、发射极电流集边效应的机理。1

26、5. 什么叫晶体管最大耗散功率P?它与哪些因素有关？如何减CM少晶体管热阻R?T16. 画出晶体管的开关波形，图中注明延迟时间T、上升时间t、dr储存时间t、下降时间t，并解释其物理意义。sf17. 解释晶体管的饱和状态、截止状态、临界饱和和深饱和的物理意义。18. 以NPN硅平面为例，当发射结正偏、集电结反偏状态下，分别说明从发射极进入的电子流，在晶体管的发射区、发射结势垒区、基区、集电结势垒和集电区的传输过程中，以什么运动形式（指扩散或漂移）为主。19. 试比较f、f、f的相对大小。aBT20. 画出晶体管饱和态时的载流子分布，并简述超量存储电荷的消失过程。21. 画出普通晶闸的基本结构图

27、，并简述其基本工作原理。22. 有一低频小功率合金晶体管，用N型Ge作基片，其电阻率为Qcm，用烧铟合金方法制备发射区和集电区，两区掺杂浓度约为3X1018/cma，求r（已知W=50口m，L=5助）。obne23. 某一对称的P+NP+锗合金管，基区宽度为5pm，基区杂质浓度为5X1015cm-3，基区空穴寿命为10ps（A二A=10-3cm2）。计算在U=0.26V、ECEBU=-50V时的基极电流i?求出上述条件下的a和B（rl）。CBB00024. 已知均匀基区硅NPN晶体管的Y二0.99，BU=150V,Wpm，基区0CBObm中电子寿命t=1us（若忽略发射结空间电荷区复合和基区表

28、面复b合），求a、B、B*和BU（设D=35cm2/s）.000CEOn25. 已知NPN双扩散外延平面晶体管，集电区电阻率PQcm，集电c区厚度W=10um，硼扩散表面浓度N=5X10i8cm-3，结深X财。求集cBSjc电极偏置电压分别为25V和2V时产生基区扩展效应的临界电流密度。26. 已知P+NP晶体管，其发射区、基区、集电区德杂质浓度分别为5X10i8cm-3、2X10i6cm-3、lX10i5cm-3，基区宽度W2,当发射结上的正向偏压为0.5V,集电结反向偏压为5V时，计算：（1）中性基区宽度？（2）发射结少数载流子浓度？27. 对于习题26中的晶体管，少数载流子在发射区、基区

29、、集电区德扩散系数分别为52cm2/s、40cm2/s、115cm2/s，对应的少数载流寿命分别为10-8S、10-7S、10-6S,求晶体管的各电流分量？28. 利用习题26、习题27所得到的结果，求出晶体管的端点电流I、EI和I。求出晶体管的发射效率、基区输运系数、共基极电流增益CB和共发射极电流增益，并讨论如何改善发射效率和基区运输系数？29. 判断下列两个晶体管的最大电压的机构是否穿通：晶体管1:BU=105V；BU=96V；BU=9V；BU=105VCBOCEOEBOCES（BU为基极发射极短路时的集电极发射极击穿电压）CES晶体管2：BU=75V；BU=59V；BU=6V。CBOC

30、EOEBO30. 已知NPN晶体管共发射极电流增益低频值B=100，在20MHz下0测得电流增益|B|=60。求工作频率上升到400MHz时，B下降到多少？计算出该管的/和于。BT31. 分别画出NPN晶体管小注入和大注入时基区少子分布图，简述两者的区别于原因。32. 硅NPN平面晶体管，其外延厚度为10um，掺杂浓度N=10i5.cm-3,计算|U|=20V时，产生有效基区扩展效应的临界电流密度。CB33. 晶体管处于饱和状态时I=1+1的关系式是否成立？画出少子的ECB分布与电流传输图，并加以说明。34. 对于具有同样几何形状、杂质分布和少子寿命的硅和锗PNP、NPN管，哪一种晶体管的开关

31、速度最快？为什么？35. 硅NPN平面管的基区杂质为高斯分布，在发射区表面的受主浓度为1019cm-3uum，集电区杂质浓度为1015cm-3，试求其最大集电极电流浓度？36. 硅晶体管的集电区总厚度为100um，面积为10-4cm2，当集电极电压为10V电流为100mA时，其结温与管壳温度之差为几度（忽略其他介质的热阻）？37. 硅NPN晶体管的基区平均杂质浓度为5X1017cm-3,基区宽度为2,发射极条宽为12um，P=50,如果基区横向压降为kT/q，求发射极最大电流密度。38. 在习题37中晶体管的/为800MHz，工作频率为500MHz，如果通T过发射极的电流浓度为3000A/cm

32、2，则其发射极有效条宽应为多少？第4章思考题和习题1. 试画出U=0时，P衬底的Si0栅极的MOS二级管能带图。G22. 试画出P型衬底的理想MOS二极管不同偏压下对应截流子积累、耗尽及强反型的能带图及电荷分布示意图。3. 试画出SiOSi系统的电荷分布图。24. N沟和P沟MOS场效应晶体管有什么不同？概述其基本工作原理。5. 制作N沟增强型MOS管衬底材料的电阻率与制作N沟耗尽型MOS管衬底的电阻率，哪个选的应高一些，为什么？6. MOS场效应晶体管的阈值电压U值电压受那些因素的影响？其中T最重要的是哪个？7. MOS场效应晶体管的输出特性曲线可分为哪几个区？每个区所对应的工作状态是什么？

33、8. 用推导N沟MOS器件漏电流表示式的方法，试推导出P沟MOS器件的漏电流表示式。9. 为什么MOS场效应晶体管的饱和电流并不完全饱和？10. MOS场效应晶体管跨导的物理意义是什么？11. 如何提高MOS场效应晶体管的频率特性？12. MOS场效应晶体管的开关特性与什么因素有关？如何提高其开关速度？13. 短沟道效应对MOS场效应晶体管特性产生什么影响？14. 已知P沟MOS器件的衬底杂质浓度N=5X1015cm-3,栅氧化层厚度Dt=100nm，栅电极材料为金属铝，测得器件的值电压U=-2.5V。试OXg计算SiO中的正电荷密度Q；若加上衬底偏置电压U=10V,值电2OXBS压漂移多少？分别计算U为0V、10V时最大耗尽层宽度？BS15. 已知N沟MOS器件的衬底杂质浓度N=5X1015cm-3