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1、会计学1第一第一(dy)部分晶体二极管及应用电路部分晶体二极管及应用电路第一页,共80页。第1页/共79页第二页,共80页。第2页/共79页第三页,共80页。第3页/共79页第四页,共80页。第4页/共79页第五页,共80页。第5页/共79页第六页,共80页。第6页/共79页第七页,共80页。第7页/共79页第八页,共80页。第8页/共79页第九页,共80页。第9页/共79页第十页,共80页。第10页/共79页第十一页,共80页。第11页/共79页第十二页,共80页。第12页/共79页第十三页,共80页。第13页/共79页第十四页,共80页。第14页/共79页第十五页,共80页。第15页/共7

2、9页第十六页,共80页。第16页/共79页第十七页,共80页。第17页/共79页第十八页,共80页。第18页/共79页第十九页,共80页。第19页/共79页第二十页,共80页。第20页/共79页第二十一页,共80页。第21页/共79页第二十二页,共80页。第22页/共79页第二十三页,共80页。第23页/共79页第二十四页,共80页。第24页/共79页第二十五页,共80页。第25页/共79页第二十六页,共80页。第26页/共79页第二十七页,共80页。第27页/共79页第二十八页,共80页。第28页/共79页第二十九页,共80页。第29页/共79页第三十页,共80页。第30页/共79页第三十一

3、页,共80页。第31页/共79页第三十二页,共80页。第32页/共79页第三十三页,共80页。第33页/共79页第三十四页,共80页。第34页/共79页第三十五页,共80页。第35页/共79页第三十六页,共80页。第36页/共79页第三十七页,共80页。第37页/共79页第三十八页,共80页。第38页/共79页第三十九页,共80页。第39页/共79页第四十页,共80页。第40页/共79页第四十一页,共80页。第41页/共79页第四十二页,共80页。第42页/共79页第四十三页,共80页。第43页/共79页第四十四页,共80页。第44页/共79页第四十五页,共80页。第45页/共79页第四十六页

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5、页第六十页,共80页。第60页/共79页第六十一页,共80页。第61页/共79页第六十二页,共80页。第62页/共79页第六十三页,共80页。第63页/共79页第六十四页,共80页。第64页/共79页第六十五页,共80页。第65页/共79页第六十六页,共80页。第66页/共79页第六十七页,共80页。第67页/共79页第六十八页,共80页。第68页/共79页第六十九页,共80页。第69页/共79页第七十页,共80页。第70页/共79页第七十一页,共80页。第71页/共79页第七十二页,共80页。第72页/共79页第七十三页,共80页。第73页/共79页第七十四页,共80页。第74页/共79页第七十五页,共80页。第75页/共79页第七十六页,共80页。第76页/共79页第七十七页,共80页。第77页/共79页第七十八页,共80页。第78页/共79页第七十九页,共80页。NoImage内容(nirng)总结会计学。本征浓度ni:平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数(空穴数)。在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。内建电场:由N区指向P区的电场E。(1)低频及脉冲电路中,做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换。(2)集成运放加二

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