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文档简介
1、物质熔沸点高低的比较及应用河北省宣化县第一中学 栾春武如何比较物质的熔、沸点的高低,首先分析物质所属的晶体类型,其次抓住同一类型晶体熔、沸点高低的决定因素,现总结如下供同学们参考:一、不同类型晶体熔沸点高低的比较一般来说,原子晶体离子晶体分子晶体;金属晶体(除少数外)分子晶体。例如:SiO2NaCLCO2(干冰)金属晶体的熔沸点有的很高,如钨、铂等;有的则很低,如汞、镓、铯等。二、同类型晶体熔沸点高低的比较同一晶体类型的物质,需要比较晶体内部结构粒子间的作用力,作用力越大,熔沸点越高。影响分子晶体熔沸点的是晶体分子中分子间的作用力,包括范德华力和氢键。1.同属分子晶体组成和结构相似的分子晶体,
2、一般来说相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高。例如:I2Br2Cl2F2。组成和结构相似的分子晶体,如果分子之间存在氢键,则分子之间作用力增大,熔沸点出现反常。有氢键的熔沸点较高。例如,熔点:HIHBrHFHCl;沸点:HFHIHBrHCl。相对分子质量相同的同分异构体,一般是支链越多,熔沸点越低。例如:正戊烷异戊烷新戊烷;互为同分异构体的芳香烃及其衍生物,其熔沸点高低的顺序是邻间对位化合物。组成和结构不相似的分子晶体,分子的极性越大,熔沸点越高。例如:CON2。还可以根据物质在相同的条件下状态的不同,熔沸点:固体液体气体。例如:SHgO2。2.同属原子晶体原子晶体熔沸点的高低与共价
3、键的强弱有关。一般来说,半径越小形成共价键的键长越短,键能就越大,晶体的熔沸点也就越高。例如:金刚石(CC)二氧化硅(SiO)碳化硅(SiC)晶体硅(SiSi)。3.同属离子晶体离子的半径越小,所带的电荷越多,则离子键越强,熔沸点越高。例如:MgOMgCl2,NaClCsCl。4.同属金属晶体金属阳离子所带的电荷越多,离子半径越小,则金属键越强,高沸点越高。例如:AlMgNa。三、例题分析例题1.下列各组物质熔点高低的比较,正确的是:A. 晶体硅金刚石碳化硅 B. CsClKClNaCl
4、0;C. SiO2CO2He D. I2Br2He解析:A中三种物质都是原子晶体半径CSi,则熔点:金刚石碳化硅 晶体硅,B中应为:NaClKClCsCl,因为离子的半径越小,离子键越强,熔沸点就越高。因此C、D正确。答案:C、D例题2.下列物质性质的变化规律,与共价键的键能大小有关的是:A.F2、Cl2、Br2、I2的熔
5、点、沸点逐渐升高 B.HF、HCl、HBr、HI的热稳定性依次减弱C.金刚石的硬度、熔点、沸点都高于晶体硅D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔点依次降低解析:F2、Cl2、Br2、I2形成的晶体属于分子晶体。它们的熔沸点高低决定于分子间的作用力,与共价键的键能无关,A错;HF、HCl、HBr、HI的分子内存在共价键,它们的热稳定性与它们内部存在的共价键的强弱有关,B正确;金刚石和晶体硅都是原子间通过共价键结合而成的原子晶体,其熔沸点的高低决定于共价键的键能,C正确;NaF、NaCl、NaBr、NaI都是由离子键形成的离子晶体,其内部没有共价键,D错。答案:B、C例题3.下图中每条折线表示
6、周期表AA中的某一族元素氢化物的沸点变化,每个小黑点代表一种氢化物,其中a点代表的是: A. H2S B. HCl C. PH3 D. SiH4 解析:NH3、H2O、HF分子间存在氢键,它们的沸点较高,即沸点高低关系为:NH3PH3、H2OH2S、HFHCl,对应图中上三条折线。所以a点所在折线对应第IVA族元素的气态氢化物,且a
7、点对应第三周期,所以a表示SiH4。答案:D例题4.下列各组物质中,按熔点由低到高顺序排列正确的是:A. O2 I2 Hg B. CO KCl SiO2 C. Na K Rb D. SiC NaCl SO2解析: 选项A中的O2是气体,I2是固体,Hg是液体,所以熔点由低到高的顺序是:O2 Hg I2 ;选项B中的CO固态时是分子晶体,KCl属于离子晶体, SiO2属于原子晶体,所以熔点由
8、低到高的顺序是:COKClSiO2;选项C中的Na、K、Rb都是金属晶体,原子半径不断增大,金属键不断减弱,所以熔点不断降低;选项D中的SiC属于原子晶体,NaCl属于离子晶体,SO2形成分子晶体,因此熔点不断降低。答案: B例题5(09全国卷I 29)已知周期表中,元素Q、R、W、Y与元素X相邻。Y的最高化合价氧化物的水化物是强酸。回答下列问题:(1)W与Q可以形成一种高温结构陶瓷材料。W的氯化物分子呈正四面体结构,W的氧化物的晶体类型是_;(2)Q的具有相同化合价且可以相互转变的氧化物是_;(3)R和Y形成的二元化合物中,R呈现最高化合价的化合物是化学式是_; (4)这5个元素的
9、氢化物分子中,立体结构类型相同的氢化物的沸点从高到低排列次序是(填化学式)_,其原因是_;电子总数相同的氢化物的化学式和立体结构分别是_;(5)W和Q所形成的结构陶瓷材料的一种合成方法如下:W的氯化物与Q的氢化物加热反应,生成化合物W(QH2)4和HCl气体;W(QH2)4在高温下分解生成Q的氢化物和该陶瓷材料。上述相关反应的化学方程式(各物质用化学式表示)是_。解析:本题可结合问题作答。W的氯化物为正四体型,则应为SiCl4或CCl4,又W与Q形成高温陶瓷,故可推断W为Si。(1)SiO2为原子晶体。(2)高温陶瓷可联想到Si3N4,Q为N,则有NO2与N2O4之间的相互转化关系。(3)Y的
10、最高价氧化的的水化物为强酸,且与Si、N等相邻,则只能是S。Y为O,所以R为As元素。(4)显然X为P元素。氢化物沸点顺序为NH3AsH3PH3,因为NH3分子间存在氢键,所以沸点最高。相对分子质量AsH3PH3,分子间的作用力AsH3PH3,故AsH3得沸点高于PH3。 SiH4、PH3和H2S的电子数均为18。结构分别为正四面体,三角锥和角形(V形)。(5)由题中所给出的含字母的化学式可以写出具体的物质,然后配平即可。答案:(1)原子晶体。(2)NO2和N2O4(3)As2S5。(4) NH3AsH3PH3,因为前者中含有氢键。 SiH4、PH3和H2S结构分别为正四面体,三角锥和角形(V
11、形)。(5)SiCl4 + 4NH3 Si(NH2)4 + 4HCl,3Si(NH2)4 Si3N4 + 8NH3例题6(09山东卷32)C和Si元素在化学中占有极其重要的地位。(1)写出Si的基态原子核外电子排布式。从电负性角度分析,C、Si和O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为。(2)SiC的晶体结构与晶体硅的相似,其中C原子的杂化方式为,微粒间存在的作用力是。(3)氧化物MO的电子总数与SiC的相等,则M为(填元素符号)。MO是优良的耐高温材料,其晶体结构与NaCl晶体相似。MO的熔点比CaO的高,其原因是。(4)C、Si为同一主族的元素,CO2和SiO2化学式相
12、似,但结构和性质有很大不同。CO2中C与O原子间形成键和键,SiO2中Si与O原子间不形成上述健。从原子半径大小的角度分析,为何C、O原子间能形成,而Si、O原子间不能形成上述键。解析:(1)C、Si和O的电负性大小顺序为:OCSi。(2)晶体硅中一个硅原子周围与4个硅原子相连,呈正四面体结构,所以杂化方式是sp3 。(3)SiC电子总数是20个,则氧化物为MgO;晶格能与所组成离子所带电荷成正比,与离子半径成反比,MgO与CaO的离子电荷数相同,Mg2+半径比Ca2+小,MgO晶格能大,熔点高。(4)Si的原子半径较大,Si、O原子间距离较大,p-p轨道肩并肩重叠程度较小,不能形成上述稳定的
13、键。答案:(1)1s22s22p63s23p2 OCSi (2) sp3 共价键 (3)Mg Mg2+半径比Ca2+小,MgO晶格能大 (4)Si的原子半径较大,Si、O原子间距离较大,pp轨道肩并肩重叠程度较小,不能形成上述稳定的键例题7.(09福建卷30)Q、R、X、Y、Z五种元素的原子序数依次递增。已知:Z的原子序数为29,其余的均为短周期主族元素;Y原子价电子(外围电子)排布msn mpn; R原子核外L层电子数为奇数
14、;Q、X原子p轨道的电子数分别为2和4。请回答下列问题:(1)Z2+ 的核外电子排布式是 。(2)在Z(NH3)42+离子中,Z2+的空间轨道受NH3分子提供的 形成配
15、位键。(3)Q与Y形成的最简单气态氢化物分别为甲、乙,下列判断正确的是 。a.稳定性:甲乙,沸点:甲乙 b.稳定性:甲乙,沸点:甲乙c.稳定性:甲乙,沸点:甲乙 d.稳定性:甲乙,沸点:甲乙(4) Q、R、Y三种元素的第一电离能数值由小到大的顺序为
16、160; (用元素符号作答)(5)Q的一种氢化物相对分子质量为26,其中分子中的键与键的键数之比为 。(6)五种元素中,电负性最大与最小的两种非金属元素形成的晶体属于 。答案:(1)1s22s22p63s23p63d9 (2)孤对电子(孤电子对)(3)b (4)Si < C <N (5) 3:2 (6)原子晶体解析:由题给条件知Z的原子序数为29, 29号为Cu。Y价电子:msnmpn中n只能取2,又为短周期,则Y可能为C或Si。R的核外L层为数,则可能为Li、B、N或F。Q、X的p轨道为2和4,则C(或Si)和O(或S)。因为五种元素原子序数依次递增。故可推出:Q为C,R为N,X为O,Y为Si。(1)Cu的价电子排布为3d104s1,失去两个电子,则为3d9。(2)Cu2可以与NH3形成配合物,其中NH3中N提供孤对电子,Cu提供空轨道,而形成配
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