大学化学2期末考试复习

1、 大化复习提纲大化复习提纲12Chapter 1一一. 四个重要的状态函数四个重要的状态函数 U H S G 单质单质fHm=0 Sm fGm = 0 U rHm rSm rGm 第一定律第一定律 自发性判据自发性判据 QV=UQP=H U = Q-WrGm Ks 有沉淀生成有沉淀生成溶度积规则：溶度积规则： I = Ks 饱和溶液饱和溶液 I H2ONH3 H与与O、F、N等易形成氢键等易形成氢键四四. 配合物的价键理论配合物的价键理论键键 “头碰头头碰头” s-s s-p px-px键键 “肩并肩肩并肩” py-py pz- pz14Chapter 111. 线性非结晶高聚物三种力学状态线

2、性非结晶高聚物三种力学状态 Tg、Tf l 塑料塑料Tg比室温高，室温处于玻璃态比室温高，室温处于玻璃态 ；Tg是其上限温度，是其上限温度， Tg越高越高Tf 越低越有利于加工越低越有利于加工l 橡胶橡胶Tg比室温低，室温处于高弹态比室温低，室温处于高弹态 ；Tg是其下限温度，是其下限温度， Tg越低越低Tf越高（即两者之间的差值越大）越高（即两者之间的差值越大） 橡胶的耐热耐寒性能越好橡胶的耐热耐寒性能越好2. 影响机械性能的因素：影响机械性能的因素：n（分子量）、氢键、结晶度（分子量）、氢键、结晶度杂质缺陷和信息材料：杂质缺陷和信息材料：单晶硅具有金刚石晶体结构，单晶硅具有金刚石晶体结构，

3、Si为为SP3杂化杂化 单晶硅中参杂单晶硅中参杂Ga（镓）（镓） 形成形成P型半导体（空穴导电）型半导体（空穴导电） 单晶硅中参杂单晶硅中参杂As （砷）（砷） 形成形成N型半导体（电子导电）型半导体（电子导电）玻璃态玻璃态高弹态高弹态粘流态粘流态Chapter 9 一一.大气的主要污染物大气的主要污染物颗粒物质颗粒物质 SO2 CO NOX 碳氧化合物碳氧化合物HCl 煤燃烧产生的大气污染物煤燃烧产生的大气污染物 : SO2 SO3 CO SO2去除措施：去除措施：1.NH3法；法；2.钠法（钠法（NaOH); 3.钙法钙法l 汽车尾气主要成分：汽车尾气主要成分： NOX 、碳氧化合物、碳氧

4、化合物HC 、含铬化合物、含铬化合物 、烟黑、烟黑 .综合性大气污染现象：综合性大气污染现象： 光化学烟雾光化学烟雾 氧化型，主要成分：氧化型，主要成分：O3、PAN、醛类、醛类、NOX 酸雨酸雨臭氧层耗减臭氧层耗减温室效应温室效应 三水质评价指标三水质评价指标四水污染四水污染水体富营养化水体富营养化五工业废水处理技术五工业废水处理技术物理法物理法化学法化学法物化法物化法生物法生物法l水中污染物去除的化学法：中和法，氧化还原法，凝聚沉淀水中污染物去除的化学法：中和法，氧化还原法，凝聚沉淀 电解法电解法l水中污染物去除的物理法：离子交换法，电渗析和反渗透水中污染物去除的物理法：离子交换法，电渗析

5、和反渗透题型及其分值题型及其分值一一.判断题（判断题（ 10分，分，+、-）二二.选择题（选择题（20分，分，混选）混选）三三.填空题（填空题（30分分）四四.计算题（计算题（40分，分，5小题）小题）祝各位考出好成绩！祝各位考出好成绩！感谢大家的配合！感谢大家的配合！课堂练习：1.已知在823K和标态时，（1）CoO(s)+H2(g)=Co(s)+H2O(g) （2）CoO(s)+CO(g)=Co(s)计算在该各条件下，下述反应(3)的rGm (3)CO2(g)+H2(g)=CO(g)+H2O(g)解：因为 (1)(2)=(3) 得 K3 = K1 /K2=67/490=0.137rGm =-RTln K3 = 8.31 823 ln0.137=13.6KJ.mol-12.在一定温度和100Kpa时，H2O存在如下平衡H2O(g)=H2O(l)，试利用下表热力学数据求H2O的沸点（设rH和rS不随温度而变） H2O(