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文档简介

1、 潘华勇潘华勇1）介绍等离子体刻蚀在刻蚀方法中的位置）介绍等离子体刻蚀在刻蚀方法中的位置2）刻蚀参数）刻蚀参数3）刻蚀的微观机理）刻蚀的微观机理4）具体的仪器原理介绍（）具体的仪器原理介绍（RIE、ICP和和ECR）5）具体实验参数对刻蚀的影响）具体实验参数对刻蚀的影响6）本实验室刻蚀仪器的介绍（）本实验室刻蚀仪器的介绍（TRION TECHNOLOGY MINILOCK IIIICP）（1）外观，结构，实验参数，一些材料的刻蚀工艺参数，）外观，结构，实验参数，一些材料的刻蚀工艺参数，厂家提供的一些刻蚀材料的情况；（厂家提供的一些刻蚀材料的情况；（2）实验步骤；）实验步骤；7）作业）作业8)

2、参考文献参考文献1.干法刻蚀的定义：除湿法以外的刻蚀方法。湿法是指使用液体物质刻蚀目标。 狭义的干法： 等离子放电产生的物理和化学过程对材料的加工； 广义的干法：除湿法以外的刻蚀方法，如等离子刻蚀、 激光加工、火花放电加工、化学蒸汽加工以及喷粉加工等。ICP MatchingNetworkRIE MatchingNetworkHelium Coolant InletVacuum PortChuckProcess Gas InletChamber BlockView Port WindowICP CeramicTube and CoilFigure 2. - Overall Process Ch

3、amber w/ICPPlaten PowerPlasma DensityICPRIEIon Density (x 1010 /cm3) versus coil power. Probe is located at the centre of the chamber. Pressure = 5 mTorr, Bias = 100V硅的高深宽比刻蚀成为可能的工艺的两个技术，一个是ICP，另一个是 “Bosch”工艺。Bosch 工艺就是在反应离子刻蚀过程中不断在边壁上沉积抗刻蚀层，或边壁钝化（side wall passivation）。刻蚀气体是SF6，钝化气体为C4F8，C4F8在等离子体中能够形成氟化碳类高分子聚合物，它沉积在硅表面能够阻止氟离子与硅反应。刻蚀与钝化5-15s转换一个周期。各向同性刻蚀通过离子轰击去除底部钝化各向同性刻蚀最后形成的刻蚀剖面侧壁钝化“Bosch” 工艺过程反应室结构图反应室结构图下面是厂家提供的一些材料的刻蚀情况 45464748 4950 Gases: CF/O2/He ICP / DC bias Etch rate: 800 2000 A/min Selectivity to PR:

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