晶闸管,场效应管

1、常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管常常 用用 电电 子子 元元 器器 件件 - -二极管二极管常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管的应用场合？晶闸管，场效应管的应用场合？晶闸管，场效应管型号命名？晶闸管，场效应管型号命名？晶闸管，场效应管表示符号？晶闸管，场效应管表示符号？晶闸管，场效应管主要参数？晶闸管，场效应管主要参数？晶闸管，场效应管的种类？晶闸管，场效应管的种类？晶闸管，场效应管的检测方法？晶闸管，场效应管的检测方法？资讯：资讯：常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管 常用电子元器

2、件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管G P1P2N1N2常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管P1P2N1N2K GAKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管 T1T2G2Bii 1BG22Ciii 在极短时间内使两在极短时间内使两个三极管均饱和导通，个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。此过程称触发导通。211CCii 2BG21ii EGEA+_RGi2BiG21iG2i常用电子元器

3、件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管GEA+_R T1T2Gi2BiGi21Gi2EGG2Bii 1BG22Ciii 211CCii 2BG21ii 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管 必须使可控硅阳极电流减小必须使可控硅阳极电流减小, ,直到直到正反馈正反馈效应不能维效应不能维持。持。 将阳极电源断开或者在晶闸管的将阳极电源断开或者在晶闸管的常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管 ( (1)1)反向阻断：晶闸管加反向电压（即阳极反向阻断：晶闸管加反向电压（即阳极a a接电源接电源负极，阴极负极，阴极b b接正极），

4、晶闸管不导通。接正极），晶闸管不导通。k+LUgsga-反向阻断反向阻断常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管k+LUgga-S正向阻断正向阻断(2)(2)正向阻断：晶闸管加正向电压（即阳极正向阻断：晶闸管加正向电压（即阳极a a接电源正极，阴极接电源正极，阴极b b接接负极），但开关负极），但开关S S断开时，控制极断开时，控制极g g无触发电压，灯不亮，说明晶无触发电压，灯不亮，说明晶闸管不导通。闸管不导通。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管k+LUgga-S触发导通触发导通(3)(3)触发导通：晶闸管加正向电压，且开关触发导通：

5、晶闸管加正向电压，且开关S S闭合，即在闭合，即在控制极控制极g g加正向触发电压，灯亮，说明晶闸管导通。加正向触发电压，灯亮，说明晶闸管导通。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管（4 4）导通后控制失去控制作用）导通后控制失去控制作用一旦晶闸管触发导通后，即使将开关一旦晶闸管触发导通后，即使将开关S S断开，移去触发电断开，移去触发电压，晶闸管仍保持导通状态。要使晶闸管断开，必须在阳压，晶闸管仍保持导通状态。要使晶闸管断开，必须在阳极和阴极之间外加反向电压，或者将正向电压降低到一定极和阴极之间外加反向电压，或者将正向电压降低到一定数值，使流过晶闸管的电流很小而关

6、断。数值，使流过晶闸管的电流很小而关断。k+LUgga-S导通后控制极失控导通后控制极失控常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管额定电压额定电压, ,用百位或千位数表示用百位或千位数表示取取UFRM或或URRM较小者较小者额定正向平均电流额定正向平均电流( (IF) 晶闸管晶闸管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示额定正向平均电流为额定正向平均电流为5A, ,额定电压为额定电压为700V。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管晶闸管的主要参数有：晶闸管的主要参数有：（1

7、）正向阻断峰值电压）正向阻断峰值电压VFRM在控制极开路和正向阻断的条件下，允许重复加在晶闸管在控制极开路和正向阻断的条件下，允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。两端的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。（2）反向阻断峰值电压）反向阻断峰值电压VRRM在控制极开路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，在控制极开路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。称为反向阻断峰值电压。VFRM和和VRRM在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压。通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定值电压。通常把其中较小的那

8、个数值作为该型号器件上的额定电压值，用电压值，用VN表示。表示。由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的额定电由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的额定电压压VN应选为正常工作峰值电压的应选为正常工作峰值电压的1.52倍，以确保安全。例如，倍，以确保安全。例如，如果用市电如果用市电 220 V向一个晶闸管供电，则应选用标称额定电压向一个晶闸管供电，则应选用标称额定电压VN值为值为 468625 V的晶闸管为宜。的晶闸管为宜。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管（3）额定正向平均电流）额定正向平均电流IF在规定的标准散热条件和环境温度（在规定的标准散热条件

9、和环境温度（40C）下，晶闸管的阳极和阴）下，晶闸管的阳极和阴极间允许连续通过的工频正弦半波电流的平均值，称为额定正向平均电极间允许连续通过的工频正弦半波电流的平均值，称为额定正向平均电流。流。由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的少应大于正常工作平均电流的1.52倍，以留有一定的余地。倍，以留有一定的余地。（4）维持电流）维持电流IH在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流。当正向电流小于称为维持电

10、流。当正向电流小于IH值时，晶闸管就自行关断。值时，晶闸管就自行关断。IH值一般值一般为几十至一百多毫安。为几十至一百多毫安。（5）控制极触发电压）控制极触发电压VG、触发电流、触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流在室温下，阳极加正向电压为直流6V时，使晶闸管由阻断变为导通时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。VG一般为一般为3.55V，IG约为几十至几百毫安。实际应用时，加到控制极的触约为几十至几百毫安。实际应用时，加到控制极的触发电压和电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。发

11、电压和电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管A1A2G应用：灯光的控制，温度的调整）应用：灯光的控制，温度的调整）常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管可以在可以在 400Hz400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为小，其开通时间为4 48 8微秒，关断时间为微秒，关断时间为10106060微秒微秒。主要用于较高频率的整流、逆变和变频电路，如激。主要用于较高频率的整流、逆变和变频

12、电路，如激光电源，电脉冲加工电源的电路中）光电源，电脉冲加工电源的电路中） 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，因而属于全但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，因而属于全控型器件，它能弥补普通晶阐管一旦导通后，门极失控型器件，它能弥补普通晶阐管一旦导通后，门极失去控制作用的不足，能很方便地控制通和断去控制作用的不足，能很方便地控制通和断应用：做无触点开关。应用：做无触点开关。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管门极可关断晶闸管（门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off ThyristorGTO）也

13、）也是晶闸管（是晶闸管（Thyristor）的一种派生器件，但可以通过在门）的一种派生器件，但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，因而属于全控型器件；它和普通极施加负脉冲使其关断，因而属于全控型器件；它和普通晶闸管一样，也是晶闸管一样，也是PNPN四层结构，外部引出三个极，阳四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极；工作条件同普通晶闸管；其主要用于兆极，阴极和门极；工作条件同普通晶闸管；其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。瓦级以上的大功率场合。 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管万用表测试晶闸管万用表测试晶闸管1.晶闸管极性的判断晶闸管极性的判断对晶闸管的电极有的

14、可从外形封装加以判断。如外壳就对晶闸管的电极有的可从外形封装加以判断。如外壳就是阳极，阴极引线比门极引线长。是阳极，阴极引线比门极引线长。从外形无法判断时，就可以用万用表判断。从外形无法判断时，就可以用万用表判断。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管 将万用表拨至将万用表拨至R R* *1 1或或R R* *100100档，分别测量各引脚档，分别测量各引脚间的正反向电阻，如测得某两引脚之间的电阻较大，间的正反向电阻，如测得某两引脚之间的电阻较大，（约（约80K80K）左右，再将两表笔对调，重新测这两引脚）左右，再将两表笔对调，重新测这两引脚之间的电阻，如阻值较小（

15、大约之间的电阻，如阻值较小（大约2K2K）左右，这时黑）左右，这时黑表笔所接触的引脚为门极表笔所接触的引脚为门极G G，红表笔所接触的引脚为，红表笔所接触的引脚为阴极，剩余的一个引脚就是阳极。阴极，剩余的一个引脚就是阳极。 在测量中如正反向电阻都很大，则应更换引脚在测量中如正反向电阻都很大，则应更换引脚位置重新测量，直到出现上述的情况为止。位置重新测量，直到出现上述的情况为止。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管 场效应晶体管（场效应晶体管（Field Effect TransistorField Effect Transistor缩写缩写(FET)(FET)）简

16、称场效应管）简称场效应管. .由多数载流子参与导电由多数载流子参与导电, ,也称为也称为单极型晶体管单极型晶体管. .它属于电压控制型半导体器件它属于电压控制型半导体器件. .特点特点: :具有输入电阻高（具有输入电阻高（10000000010000000010000000001000000000）、）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点, ,现已成现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. .常用电子元器件常用

17、电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管作用作用: :场效应管可应用于放大场效应管可应用于放大. .由于场效应管放大器的输入阻由于场效应管放大器的输入阻抗很高抗很高, ,因此耦合电容可以容量较小因此耦合电容可以容量较小, ,不必使用电解电容器不必使用电解电容器. .场效应管可以用作电子开关场效应管可以用作电子开关. .场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换. .常用于常用于多级放大器的输入级作阻抗变换多级放大器的输入级作阻抗变换. .场效应管可以用作可变电场效应管可以用作可变电阻

18、阻. .场效应管可以方便地用作恒流源场效应管可以方便地用作恒流源. . 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管结型场效应管结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种场效应管有两种:常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管N基底基底 ：N型半导体型半导体PP两边是两边是P区区G(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极一、结构一、结构1.5.1 结型场效应管结型场效应管:导电沟道导电沟道常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管NPPG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极N沟道结型场效应管沟道结型场效应

19、管DGSDGS常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管PNNG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极P沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGS常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号一、结构和电路符号PNNGSDP型基底型基底两个两个N区区SiO2绝缘层绝缘层导电沟道导电沟道金属铝金属铝GSDN沟道增强型沟道增强型常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管N 沟道耗尽型沟道耗尽型PNNGSD预埋了导预埋了导电沟道电沟道 GSD常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应

20、管晶闸管，场效应管NPPGSDGSDP 沟道增强型沟道增强型常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管P 沟道耗尽型沟道耗尽型NPPGSDGSD预埋了导电沟道预埋了导电沟道 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管场效应管的主要参数场效应管的主要参数1性能参数性能参数（1）开启电压）开启电压UGS(th)和夹断电压和夹断电压UGS(off)它指它指uDS一定时，使漏极电流一定时，使漏极电流iD等于某一微小电流时栅、等于某一微小电流时栅、源之间所加的电压源之间所加的电压uGS，对于增强型，对于增强型MOS管称为开启电压管称为开启电压UGS(th)

21、，对于耗尽型，对于耗尽型MOS管称为夹断电压管称为夹断电压UGS(off)。（2）饱和漏极电流）饱和漏极电流IDSS它是耗尽型管子的参数，指工作在饱和区的耗尽型场效应它是耗尽型管子的参数，指工作在饱和区的耗尽型场效应管在管在uGS0时的饱和漏极电流。时的饱和漏极电流。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管（3）直流输入电阻）直流输入电阻RGS指漏、源极间短路时，栅、源之间所加直流电压与栅极直指漏、源极间短路时，栅、源之间所加直流电压与栅极直流电流之比。一般流电流之比。一般JFET的的RGS，而，而MOS管的管的RGS。（4）低频跨导）低频跨导(互导互导)gm当当uD

22、S为某定值时，漏极电流为某定值时，漏极电流iD的变化量和引起它变化的的变化量和引起它变化的uGS变化量之比，即变化量之比，即 常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管2极限参数极限参数（1）最大漏极电流）最大漏极电流IDM IDM是指管子在工作时允许的最大漏极电流。是指管子在工作时允许的最大漏极电流。（2）最大耗散功率）最大耗散功率PDM 最大耗散功率最大耗散功率PDMuDS iD，其值受管子的最高工作温，其值受管子的最高工作温度的限制。度的限制。（3）漏源击穿电压）漏源击穿电压U（BR）DS 它是漏、源极间所能承受的最大电压，即它是漏、源极间所能承受的最大电压，即u

23、DS增大到使增大到使iD开始急剧上升开始急剧上升(管子击穿管子击穿)时的时的uDS值。值。（4）栅源击穿电压）栅源击穿电压U（BR）GS 它是指栅、源极间所能承受的最大电压。它是指栅、源极间所能承受的最大电压。uGS值超过此值值超过此值时，栅源间发生击穿。时，栅源间发生击穿。常用电子元器件常用电子元器件- -晶闸管，场效应管晶闸管，场效应管1.结型场效应晶体管栅极的判断结型场效应晶体管栅极的判断2. 场效应晶体管好坏的判断场效应晶体管好坏的判断 先用先用MF10型万用表型万用表R*100K挡（内置有挡（内置有15V电池），电池），把负表笔（黑）接栅极（把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表偏转。再该用万用表R*1挡，将负表笔接漏极（挡，将负表笔接漏极（D），），正表笔接源极（正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。明场效应管是好的。常