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文档简介

1、P1硅中的点缺陷、线缺陷的种类；硅中杂质的类型；杂质的固溶度；第1章 单晶硅特点P2多晶硅的制备过程；单晶硅的制备方法（3种）；直拉法制备单晶硅的设备、原理、特点；分凝现象、分凝系数；硅锭的掺杂方法（3种），以及液相掺杂的计算；第2章 硅片的制备P3外延的概念、分类（工艺、材料、温度、电阻率、结构）；硅气相外延的两个过程以及基本原理；外延掺杂的两种效应：自掺杂、互扩散；第3章 外延P4二氧化硅的用途；二氧化硅掩蔽的条件；热氧化的分类及其特点；硅的热氧化模型以及氧化层生长的两个阶段、计算氧化层厚度；热氧化中杂质的分凝效应；氧化层厚度的测量方法；氧化层中的电荷类型；第4章 热氧化P5扩散机理：三种

2、扩散机构；菲克第一、第二定律，扩散系数；两种扩散方式以及杂质的分布函数，会计算结深；两步扩散工艺原理；结深的测量方法；第5章 扩散P6离子注入的基本原理、几个概念（射程、投影射程等）；离子注入的两种能量损失机制（LSS理论）；核阻止和电子阻止与注入离子能量的关系；离子注入的纵向分布函数；离子注入的沟道效应，减小沟道效应的方法；退火的概念、工艺、目的；列举离子注入的几个应用；第6章 离子注入P7CVD的概念；多晶硅薄膜淀积的基本步骤以及两个过程；温度对薄膜淀积速率的影响；薄膜的台阶覆盖特性；低压化学气相淀积的气缺现象以及解决方法；CVD二氧化硅中磷的作用；钨的主要用途，覆盖淀积钨的工艺流程；Ti

3、N的主要用途；第7章 化学气相淀积P8PVD的概念；真空蒸镀概念、基本过程；蒸汽压、平衡蒸汽压、蒸发温度、成核、成膜的概念；溅射的概念、基本过程；溅射率概念；溅射与蒸镀薄膜质量的比较；改善溅射薄膜的保形覆盖特性的方法；铝的“尖楔”现象，解决方法；第8章 物理气相淀积P9光刻、分辨率、焦深的概念；基本光刻工艺流程及其目的；第9章 光刻工艺P10光刻胶及其组成、分类；正胶和负胶的特点；几种光学分辨率增强技术；几种光刻机接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分布重复投影光刻机、步进扫描投影光刻机的原理、特点；第10章 光刻技术P11刻蚀技术的概念，对刻蚀技术的要求；湿法刻蚀的概念、特点；干法刻蚀的概念、特点；刻蚀的选择比；刻蚀的终点检测方法；第11章 刻蚀技术P12欧姆接触；铝的电迁移现象，以及减小方法；化学机械抛光（CMP）；铜的镶嵌工艺（双大马士革工艺）；局部氧化工艺、浅槽隔离工艺；鸟嘴现象；曲

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