CVD法制备硫化钼薄膜_第1页
CVD法制备硫化钼薄膜_第2页
CVD法制备硫化钼薄膜_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、精选优质文档-倾情为你奉上CVD法制备硫化钼薄膜1、 实验目的。(1)掌握CVD的基本原理;(2)熟悉管式炉的操作过程;(3)制备硫化钼薄膜;二、实验原理。气相反应物中生长晶体的复相物理-化学过程。第一步:气体传输至沉积区域。第二步:膜前驱体的形成与输运。第三步:膜前驱体的粘附与扩散。第四步:表面反应,导致膜沉积于副产物的形成。第五步:副产物的移除(表面和反应腔)。三、实验步骤。(1)称量。分别取足量的硫粉,称取约5mg的MoCl5于陶瓷舟中,并取干净的蓝宝石片。(2)放置前驱体。将装有硫粉的陶瓷舟摆放于距进气口约15cm处,装有MoCl5的陶瓷舟置于管式炉中心位置,盛有蓝宝石的石英舟紧挨着M

2、oCl5摆放于出气口一侧。(3)清洗。抽真空,并通入氩气清洗管式炉,反复两次。(4)设置参数。设置好管式炉参数。27min升温至850,并保温12min,然后自然冷却。加热带温度为120。气流量为50sccm。炉压保持在60Pa。(5)反应。管式炉工作后12min,加热带开始给硫加热。(6)实验结束。管式炉程序终止时关闭加热带电源。自然冷却至常温后,打开放气阀,并取出样品。四、思考题。(1)CVD反应的控制要点有哪些?温度与反应速率的限制:温度升高,表面反应速度增加,过程中速率最慢的环节决定整个沉积过程的速度。气压:常压下,CVD速率不会超过主气体流质量传输速率-质量传输限制沉积工艺。低压下,表面反应速度较低,沉积速度受表面反应速度限制-反应速度限制CVD工艺。CVD气体流动对沉积膜的均匀性有较大影响。要求有足够量的分子在合适的时间出现在合适的反应区域。(2) CVD最基本的特征有哪些?产生化学变化(化学反应或热分解);膜中所有材料都来源于外部的源;CVD工艺中反应物必须以气相形式参与反应。(3) CVD有哪些基本的化学反应过程?高温分解:无氧条件下加热分解化合物(化学键断裂);光分解:利用辐射能使化合物化学键断裂;还原反应:化合物分子与氢气发生的反应;氧化反应:反应物与

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论