LED芯片制造工艺流程

1、 LED芯片制造的工艺流程芯片制造的工艺流程LED芯片制造的工艺流程芯片制造的工艺流程属属LED上游产业上游产业靠设备靠设备内容内容 一、一、LED芯片制造设备芯片制造设备 二、二、LED芯片衬底材料的选用芯片衬底材料的选用 三、三、LED外延片的制作外延片的制作 四、四、LED对外延片的技术要求对外延片的技术要求 五、五、LED芯片电极芯片电极P极和极和N极的制作极的制作 六、六、LED外延片的切割成芯片外延片的切割成芯片一、LED芯片制造用设备芯片制造用设备 外延片的制备：外延片的制备： MOCVDMOCVD：是制作：是制作LEDLED芯片的最重要技术。芯片的最重要技术。 MOCVDMOC

2、VD外延炉：是制造外延炉：是制造LEDLED最重要的设备。最重要的设备。一台外延炉要一台外延炉要100100多万美元，投资最大多万美元，投资最大的环节。的环节。 电极制作设备：光刻机、刻蚀机、离子电极制作设备：光刻机、刻蚀机、离子注入机等。注入机等。 衬底加工设备：减薄机、划片机、检测衬底加工设备：减薄机、划片机、检测设备等。设备等。1、MOCVD设备设备 MOCVD金属有机物化学气相淀积（金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition） 2、光刻机、光刻机3、刻蚀机、刻蚀机4、离子注入机、离子注入机5、清洗机、清洗机6、划片机、划片机同

3、一功能有不同型号设备选择7、芯片分选机、芯片分选机LED芯片的制造芯片的制造 从以上的的仪器设备可以看出，从以上的的仪器设备可以看出，LED芯片的制芯片的制造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。 LED芯片质量依赖于这些设备和操作这些设备芯片质量依赖于这些设备和操作这些设备的人员。的人员。 设备本身的制造也是设备本身的制造也是LED生产的上游产业，一生产的上游产业，一定程度上反映国家的光电子的发展水平。定程度上反映国家的光电子的发展水平。二、二、LED芯片衬底材料的选用芯片衬底材料的选用 LED芯片首要考虑的问题：衬底材料的选用。芯片首要考虑的问题：衬

4、底材料的选用。 选择衬底依据：根据设备和选择衬底依据：根据设备和LED器件的要求进器件的要求进行选择。行选择。 三种衬底材料三种衬底材料目前市面上一般有三种材料可作为衬底目前市面上一般有三种材料可作为衬底 蓝宝石（蓝宝石（Al2O3） 硅硅 (Si) 碳化硅（碳化硅（SiC） 除了以上三种常用的衬底材料之外，还有除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。等材料。 下面分别介绍三种材料的特点下面分别介绍三种材料的特点 1、蓝宝石衬底、蓝宝石衬底 蓝宝石衬底的优点：蓝宝石衬底的优点： 生产技术成熟、器件质量好；生产技术成熟、器件质量好； 稳定性很好，能够运用在高温生长过程

5、；稳定性很好，能够运用在高温生长过程； 机械强度高，易于处理和清洗。机械强度高，易于处理和清洗。 1、蓝宝石衬底、蓝宝石衬底蓝宝石衬底应用蓝宝石衬底应用 GaN基材料和器件的外延层。基材料和器件的外延层。 对应对应LED：蓝光（材料决定波长）：蓝光（材料决定波长）1、蓝宝石作为衬底的、蓝宝石作为衬底的LED芯片芯片 芯片也叫晶粒芯片也叫晶粒1、蓝宝石作为衬底存的一些问题、蓝宝石作为衬底存的一些问题 （1）晶格失配和热应力失配，这会在外延层中）晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。成困难。 （2）无法制作垂直结

6、构的器件，因为蓝宝石是）无法制作垂直结构的器件，因为蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011cm。 1、蓝宝石作为衬底存的一些问题、蓝宝石作为衬底存的一些问题 （3）成本增加：）成本增加： 通常只能在外延层上表面制作通常只能在外延层上表面制作n型和型和p型电极。在型电极。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低。结果使材料利用率降低。 GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不基材料的化学性能稳定、机械强

7、度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备。的设备。 蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从对它进行减薄和切割（从400nm减到减到100nm左左右）。右）。 1、蓝宝石作为衬底存的一些问题、蓝宝石作为衬底存的一些问题 （4）导热性能不是很好）导热性能不是很好（在（在100约为约为25W/（mK）。 为了克服以上困难，很多人试图将为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件光电器件直接生长

8、在硅衬底上，从而改善导热和导电性直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。能。 2、硅衬底、硅衬底 硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。从而延长了器件的寿命。 电极制作：硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，电极制作：硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是分别是L接触接触（Laterial-contact ,水平接触）和水平接触）和V接触接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为，垂直接触），以下简称为L型电型电极和极和V型电极。通过这两种接触方式，型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内

9、部芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，的发光面积，从而提高了从而提高了LED的出光效率。的出光效率。 2、硅衬底、硅衬底 应用：目前有部分应用：目前有部分LED芯片采用硅衬底芯片采用硅衬底 ，如上面提到，如上面提到的的GaN材料的蓝光材料的蓝光LED3、碳化硅衬底、碳化硅衬底 美国的美国的CREE公司专门采用公司专门采用SiC材料作为衬底材料作为衬底3、碳化硅衬底特点、碳化硅衬底特点 电极：电极：L型电极设计，电流是纵向流动的，两个型电极设计，电流是纵向

10、流动的，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。这样又提高了出光效率。 导热：碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系导热：碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为数为490W/(mK)）要比蓝宝石衬底高出）要比蓝宝石衬底高出10倍以倍以上。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能上。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。都

11、非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。 成本：但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本：但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。4、蓝宝石衬底与碳化硅衬底的、蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片芯片4、三种衬底的性能比较、三种衬底的性能比较 三、三、LED外延片的制作外延片的制作外延片制作技术分类外延片制作技术分类 1 1、液相外延：红色、绿色、液相外延：红色、绿色LEDLED外延片。外延片。 2 2、气相外延：黄色、橙色、气相外延：黄色、橙色LEDLED外延片。外延片。 3 3、分子束外延、分子束外延 4 4

12、、金属有机化学气相沉积外延、金属有机化学气相沉积外延MOCVDMOCVD1、MOCVD设备工作原理设备工作原理载流气体载流气体金属有机反应源金属有机反应源 反应腔反应腔 反应通气装置反应通气装置真空泵真空泵阻断装置阻断装置压力控制压力控制2、MOCVD设备工作原理说明设备工作原理说明MOCVD成长外延片过程成长外延片过程载流气体通过金属有机反应源的容器载流气体通过金属有机反应源的容器时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它反应气体混合，然后在被加中与其它反应气体混合，然后在被加热的基板上面发生化学反应促成薄膜热的基板上面发生化学反应促成薄膜的成长。的成长。 因此

13、是一种镀膜技术，是因此是一种镀膜技术，是镀膜过程。镀膜过程。MOCVD方法方法 影响蒸镀层的生长速率和性质的因素：影响蒸镀层的生长速率和性质的因素： 温度温度 压力压力 反应物种类反应物种类 反应物浓度反应物浓度 反应时间反应时间 衬底种类衬底种类 衬底表面性质等衬底表面性质等 参数由参数由MOCVD软件计算，自动控制完成，同时要实软件计算，自动控制完成，同时要实验修正摸索。验修正摸索。MOCVD方法方法外延片生长中不可忽视的微观动力学问题外延片生长中不可忽视的微观动力学问题 反应物扩散到衬底表面反应物扩散到衬底表面 衬底表面的化学反应衬底表面的化学反应 固态生长物的沉积固态生长物的沉积 气态

14、产物的扩散脱离气态产物的扩散脱离MOCVD方法方法 反应气体在衬底的吸附反应气体在衬底的吸附 表面扩散表面扩散 化学反应化学反应 固态生成物的成核和生长固态生成物的成核和生长 气态生成物的脱附过程等气态生成物的脱附过程等 注意：反应速率最慢的过程是控制反应速率的步骤，注意：反应速率最慢的过程是控制反应速率的步骤，也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键。也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键。MOCVD反应系统结构反应系统结构 进料区进料区 反应室反应室 废气处理系统废气处理系统MOCVD反应系统的技术要求反应系统的技术要求 提供洁静的环境。提供洁静的环境。 反应物抵达衬底之前应充分混合，以确保

15、外延反应物抵达衬底之前应充分混合，以确保外延层的成分均匀。层的成分均匀。 反应物气流需在衬底的上方保持稳定的流动，反应物气流需在衬底的上方保持稳定的流动，以确保外延层厚度均匀。以确保外延层厚度均匀。 反应物提供系统应切换迅速，以长出上下层接反应物提供系统应切换迅速，以长出上下层接口分明的多层结构。口分明的多层结构。MOCVD参数实例参数实例南京大学省光电信息功能材料重点实验室使用南京大学省光电信息功能材料重点实验室使用MOCVD参数实例参数实例系统简介系统简介 本系统为英国本系统为英国Thomas Swan公司制造，具有世界公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源气相外延先进水平的商用金属有

16、机源气相外延(MOCVD)材料生材料生长系统，可用于制备以长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材为代表的第三代半导体材料。在高亮度的蓝光发光二极管料。在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器、激光器(LD)、日盲紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功日盲紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率 电 子 器 件 领 域 中 具 有 广 泛 的 应 用 。率 电 子 器 件 领 域 中 具 有 广 泛 的 应 用 。 MOCVD参数实例参数实例 该设备承担并完成国家该设备承担并完成国家“863”、国防、国防“973”计划项目和江苏省自然科学基金等多项研究任计划项目和江苏省自然科

17、学基金等多项研究任务。首次用务。首次用MOCVD方法在方法在LiAlO2衬底上实现衬底上实现非极化非极化GaN/InGaN量子阱生长和量子阱生长和LED器件制备，器件制备，成果达到同期国际水平；研制的新型半导体成果达到同期国际水平；研制的新型半导体InN材料其相关技术达到国际先进水平；制备高质材料其相关技术达到国际先进水平；制备高质量的用于紫外探测器结构材料性能指标达到国量的用于紫外探测器结构材料性能指标达到国际先水平。际先水平。MOCVD参数实例参数实例 设备参数和配置：设备参数和配置： 外延片外延片32 英寸英寸/炉炉 反应腔温度控制：反应腔温度控制：1200 压力控制：压力控制：0800

18、Torr（1 Torr133.32Pa ） 激光干涉在位生长监测系统激光干涉在位生长监测系统 反应气体：氨气，硅烷（纯度：反应气体：氨气，硅烷（纯度：6N=99.9999% ） 载气：氢气，氮气；（纯度：载气：氢气，氮气；（纯度：6N） MOCVD源：三甲基镓源：三甲基镓(TMGa)，三甲基铟，三甲基铟(TMIn), 三甲基铝三甲基铝(TMAl)，二茂基镁，二茂基镁(Cp2Mg)国产国产MOCVD设备设备 中国电子科技集团公司第四十八研究所中国电子科技集团公司第四十八研究所l上游产业上游产业2、国产、国产MOCVD设备指标设备指标 产品描述：产品描述：GaN-MOCVD设备是集精密机械、电子、

19、设备是集精密机械、电子、物理、光学、计算机多学科为一体，是一种自动化程物理、光学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端电子专用设备，度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端电子专用设备，用于用于GaN系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫色色LED芯片的制造，是国家半导体照明（白光芯片的制造，是国家半导体照明（白光LED）工程实施中最为关键的芯片制造设备，也是光电子行工程实施中最为关键的芯片制造设备，也是光电子行业最有发展前景的专用设备。业最有发展前景的专用设备。2、国产、国产MOCVD设备指标设备指标 生产能力：生产能力：2（1

20、英寸英寸=25.4mm）基）基片，片，6片片/批；批； 基片温度及精度：基片温度及精度：30012001； 升温速度：升温速度：10 /s； 载片台转速：载片台转速：10200rpm（转数（转数/分）；分）； 反应室压控范围：反应室压控范围：0.010.13Mpa； 界面友好，操作简单。界面友好，操作简单。2、MOCVD设备操作培训与就业设备操作培训与就业 2008年年7月月24日，中国（深圳）国际半导体照明展览日，中国（深圳）国际半导体照明展览会期间，会期间， “MOCVD技术国际短期培训班技术国际短期培训班”。最新的。最新的MOCVD技术。技术。 “GaN基发光二极管结构表征方法基发光二极

21、管结构表征方法” “基于基于MOCVD生产的高功率光电子器生产的高功率光电子器” “MOCVD硬件及维护硬件及维护” “用于产品监测的光学在位测量技术发展近况用于产品监测的光学在位测量技术发展近况”设备的操作与维护及其重要设备的操作与维护及其重要3、重要的、重要的MOCVD MOCVD已经成为工业界主要使用的镀膜技术。已经成为工业界主要使用的镀膜技术。 使用使用MOCVD这种镀膜技术制作这种镀膜技术制作LED的外延片，即在的外延片，即在衬底上镀多层膜。衬底上镀多层膜。 外延片是外延片是LED生产的上游产业，在光电产业中扮演重生产的上游产业，在光电产业中扮演重要的角色。要的角色。 有些专家经常用

22、一个国家或地区拥有有些专家经常用一个国家或地区拥有MOCVD外延炉外延炉的数量来衡量这个国家或地区的光电行业的发展规模。的数量来衡量这个国家或地区的光电行业的发展规模。四、四、LED对外延片的技术要求对外延片的技术要求 1、外延材料具有适合的禁带宽度、外延材料具有适合的禁带宽度 2、外延材料的发光复合几率大、外延材料的发光复合几率大 3、 p型型n型两种外延材料的电导率要高型两种外延材料的电导率要高 4、外延层的完整性、外延层的完整性1、外延材料具有适合的禁带宽度、外延材料具有适合的禁带宽度 禁带宽度决定发射波长：禁带宽度决定发射波长： =1240/Eg LED的峰值发射波长（的峰值发射波长（

23、nm） Eg外延材料的禁带宽度（外延材料的禁带宽度（eV） Eg由材料性质决定，可以通过调节外延材料的由材料性质决定，可以通过调节外延材料的组分调整组分调整Eg。2、外延材料的发光复合几率大、外延材料的发光复合几率大 LED的发光原理：的发光原理：pn结处的空穴和电子的复合结处的空穴和电子的复合发光，同时伴有热产生，复合几率大，则发光发光，同时伴有热产生，复合几率大，则发光效率高。效率高。 InGaAlP材料，调整材料，调整Ga-Al组分，改变组分，改变Eg，得，得到黄绿到深红的到黄绿到深红的LED波长。但改变组分的同时波长。但改变组分的同时使得直接跃迁半导体材料变为间接跃迁，影响使得直接跃迁

24、半导体材料变为间接跃迁，影响发光效率。发光效率。3、 p型型n型两种外延材料的电导率要高型两种外延材料的电导率要高 影响电导率的因素：掺杂浓度、温度、均匀性。影响电导率的因素：掺杂浓度、温度、均匀性。 掺杂浓度：不应小于掺杂浓度：不应小于11017/cm3 参杂温度：参杂温度：MOCVD反应腔温度及材料特性反应腔温度及材料特性 参杂均匀型：参杂均匀型： MOCVD气流平稳、气压气流平稳、气压4、外延层的完整性、外延层的完整性 外延层的完整性：晶体的错位和空位缺陷，氧外延层的完整性：晶体的错位和空位缺陷，氧气等杂质。气等杂质。 影响完整性的因素：不同的外延技术、同一外影响完整性的因素：不同的外延

25、技术、同一外延技术不同的设备，同一设备不同的操作人员。延技术不同的设备，同一设备不同的操作人员。5、外延片检测、外延片检测 表面平整度表面平整度 厚度的均匀性厚度的均匀性 径向电阻分布径向电阻分布5、外延片检测、外延片检测外延片（晶圆）外延片（晶圆） 抽取九个点做参数测试抽取九个点做参数测试 5、SSP3112-W LED外延片光色电参数测试仪外延片光色电参数测试仪 杭州星谱光电科技有限公司杭州星谱光电科技有限公司 5、SSP3112-W LED外延片光色电参数测试仪外延片光色电参数测试仪五、五、LED芯片电极芯片电极P极和极和N极制作极制作 1.1引脚封装结构中，看到引脚封装结构中，看到LED结构有内部电极结构有内部电极和外部电极。和外部电极。 更一般的情况，任何半导体器件最终都要通过更一般的情况，任何半导体器件最终都要通过电极引线与外部电路相连接。电极引线与外部电路相连接。1、欧姆接触电阻、欧姆接触电阻 定义：电极金属与半导体接触部分定义：电极金属与半导体接触部分电极，电极，电流电流-电压（电压（I-V）呈现线性关系，线性关系比）呈现线性关系，线性关