LJY_第8章MCS51单片机扩展存储器的设计

1、44/1第第8 8章章 MCS-51MCS-51单片机扩展存储器的设计单片机扩展存储器的设计8.1 8.1 概述概述片内的资源如不满足需要，需外扩存储器和片内的资源如不满足需要，需外扩存储器和I/OI/O功功能部件：能部件：系统扩展系统扩展问题，内容主要有：问题，内容主要有：(1)(1)外部存储器的扩展外部存储器的扩展（外部存储器又分为外部程（外部存储器又分为外部程序存储器和外部数据存储器）序存储器和外部数据存储器）(2) I/O(2) I/O接口部件的扩展接口部件的扩展。本章介绍本章介绍MCS MCS 51 51单片机如何扩展外部存储器，单片机如何扩展外部存储器，I/OI/O接口部件的扩展下

2、一章介绍。接口部件的扩展下一章介绍。44/2 系统扩展结构如下图系统扩展结构如下图: :MCS-51MCS-51单片机外部存储器结构单片机外部存储器结构: :哈佛结构哈佛结构 。MCS-51MCS-51数据存储器和程序存储器的数据存储器和程序存储器的最大扩展空间各为最大扩展空间各为64KB64KB。系统扩展首先要系统扩展首先要构造系统总线构造系统总线。44/38.2 8.2 系统总线及总线构造系统总线及总线构造8.2.1 8.2.1 系统总线系统总线按其功能通常把系统总线分为三组：按其功能通常把系统总线分为三组： 1.1.地址总线地址总线（Adress Bus,Adress Bus,简写简写A

3、BAB） 2.2.数据总线数据总线(Data Bus(Data Bus，简写，简写DB)DB) 3. 3.控制总线控制总线（Control BusControl Bus，简写，简写CBCB） 8.2.2 8.2.2 构造系统总线构造系统总线系统扩展的首要问题系统扩展的首要问题: : 构造系统总线，然后再往系统总线上构造系统总线，然后再往系统总线上“挂挂”存储器存储器芯片或芯片或I/OI/O接口芯片，接口芯片，“挂挂”存储器芯片就是存储器存储器芯片就是存储器扩展，扩展，“挂挂”I/OI/O接口芯片就是接口芯片就是I/OI/O扩展。扩展。44/4MCS-51MCS-51由于引脚数目限制，数据线和低

4、由于引脚数目限制，数据线和低8 8位地址线复用。位地址线复用。为了将它们分离出来，需要为了将它们分离出来，需要外加地址锁存器外加地址锁存器，从而构成与，从而构成与一般一般CPUCPU相类似的片外三总线。相类似的片外三总线。44/5 地址锁存器一般采用地址锁存器一般采用74LS37374LS373，采用，采用74LS37374LS373的地的地址总线的扩展电路如下图址总线的扩展电路如下图( (图图8-3)8-3)。 1.1.以以P0P0口作为低口作为低8 8位地位地址址/ /数据总线。数据总线。 2 2以以P2P2口的口线作高口的口线作高位地位地 址线。址线。 3.3.控制信号线。控制信号线。A

5、LE, PSENALE, PSEN* *, EA, EA* *, RD, RD* *和和WRWR* *尽管尽管MCS-51MCS-51有有4 4个并行个并行I/OI/O口，共口，共3232条口线，但由于系统扩条口线，但由于系统扩展需要，真正作为数据展需要，真正作为数据I/OI/O使用的，就剩下使用的，就剩下P1P1口和口和P3P3口的口的部分口线。部分口线。44/68.2.3 8.2.3 单片机系统的串行扩展技术单片机系统的串行扩展技术优点：优点：串行接口器件体积小，与单片机接口时串行接口器件体积小，与单片机接口时需要的需要的I/OI/O口线很少（仅需口线很少（仅需3-43-4根），提高可靠根

6、），提高可靠性。性。 SPISPI（Serial PeriperalInterfaceSerial PeriperalInterface）I I2 2C C公用双总线公用双总线缺点缺点: :串行接口器件速度较慢串行接口器件速度较慢( (现也很快现也很快）在大多数应用的场合，还是并行扩展占主导地在大多数应用的场合，还是并行扩展占主导地位。位。( (仪表行业仪表行业串行占主要）串行占主要） 44/78.3 8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器8.3.1 8.3.1 存储器扩展的读写控制存储器扩展的读写控制RAMRAM芯片：芯片：读写控制引脚，记为读写

7、控制引脚，记为/ /OEOE和和/ /WEWE ，与，与MCS-51MCS-51 的的/RD/RD和和/WR/WR相连。相连。EPROMEPROM芯片：芯片：只能读出，故只有读出引脚，记为只能读出，故只有读出引脚，记为/ /OEOE ，该，该引脚与引脚与MCS-51MCS-51的的/PSEN/PSEN相连。相连。44/88.3 8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器8.3.2 8.3.2 存储器地址空间分配存储器地址空间分配MCS-51MCS-51发出的地址发出的地址: :用来用来选择某个存储器单元进行读写，选择某个存储器单元进行读写，要完成这种功

8、能，必须进行两种选择：要完成这种功能，必须进行两种选择： “片选片选”和和 “单元选择单元选择”。存储器空间分配考虑地址线连接，存储器空间分配考虑地址线连接，各存储器芯片在各存储器芯片在整个存储空间中所占据的地址范围。整个存储空间中所占据的地址范围。常用的存储器地址分配的方法有两种：常用的存储器地址分配的方法有两种：线性选择法（线性选择法（简称线选法）简称线选法）地址译码法地址译码法（简称译码法）。（简称译码法）。44/91. 1. 线选法线选法 直接利用直接利用系统的高位地址线系统的高位地址线作为存储器芯片（或作为存储器芯片（或I/OI/O接接口芯片）的片选信号。口芯片）的片选信号。例例 某

9、一系统，需要外扩某一系统，需要外扩8KB8KB的的EPROMEPROM（2 2片片27322732），），4KB4KB的的RAMRAM（2 2片片61166116），这些芯片与），这些芯片与MCS-51MCS-51单片机地址分配单片机地址分配有关的地址线连线，电路如下图。有关的地址线连线，电路如下图。地址映射表（高位）：地址映射表（高位）：2732(1):0111xxxxB2732(1):0111xxxxB2732(2):1011xxxxB2732(2):1011xxxxB6116(1):1101xxxxB6116(1):1101xxxxB6116(2):1110 xxxxB6116(2):1

10、110 xxxxB44/102. 2. 译码法译码法 常用的译码器芯片：常用的译码器芯片：74LS13874LS138（3-83-8译码器）译码器）74LS13974LS139（双（双2 - 42 - 4 译 码 器 ）译 码 器 ） 7 4 L S 1 5 47 4 L S 1 5 4 （ 4 - 1 64 - 1 6 译 码 器 ）译 码 器 ） 。全译码：全译码：全部高位地址线都参加译码；全部高位地址线都参加译码；部分译码：部分译码：仅部分高位地址线参加译码。仅部分高位地址线参加译码。(1)74LS138(1)74LS138（3 38 8译码器）译码器）44/11( 2) 74LS139

11、( 2) 74LS139（双（双2-42-4译码器）译码器）引脚如下图。真值表如表引脚如下图。真值表如表8-28-2（P168P168）所示。）所示。44/12全地址译码方式，每次只能选中一个存储单元。同全地址译码方式，每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。类存储器间不会产生地址重叠的问题。例例 要扩要扩8 8片片8KB8KB的的RAM 6264RAM 6264，如何通过，如何通过74LS13874LS138把把64KB64KB（地址地址）空间分配给各个芯片？）空间分配给各个芯片？44/13如果如果用用74LS13874LS138把把64K64K空间全部划分为每块空间全

12、部划分为每块4KB4KB，如何，如何划分？划分？44/148.3.3 8.3.3 外部地址锁存器外部地址锁存器常用的地址锁存器芯片有常用的地址锁存器芯片有: 74LS373: 74LS373、82828282、74LS57374LS573等。等。44/153 3锁存器锁存器74LS573 74LS573 输入的输入的D D端和输出的端和输出的Q Q端也是依次排在芯片的两侧，与锁存端也是依次排在芯片的两侧，与锁存器器82828282一样，为绘制印刷电路板时的布线提供了方便。一样，为绘制印刷电路板时的布线提供了方便。44/168.4 8.4 程序存储器程序存储器EPROMEPROM的扩展的扩展只读

13、存储器，非易失性。只读存储器，非易失性。（1 1）掩膜）掩膜ROMROM：在制造过程中编程。成本较高，因在制造过程中编程。成本较高，因此只适合于大批量生产。此只适合于大批量生产。（2 2）可编程）可编程ROMROM（PROMPROM）：）：OTP(one time OTP(one time programmable)ROMprogrammable)ROM用独立的编程器写入。但用独立的编程器写入。但PROMPROM只只能写入一次能写入一次，且不能再修改。，且不能再修改。（3 3）EPROMEPROM：电电信号编程，信号编程，紫外线擦除紫外线擦除。（4 4）E E2 2PROMPROM（ EEPR

14、OMEEPROM）：）：电电信号编程，信号编程，电信号擦电信号擦除除的的ROMROM芯片。读写操作与芯片。读写操作与RAMRAM几乎没有什么差别，几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。（5 5）Flash ROMFlash ROM：又称闪烁存储器，简称闪存。又称闪烁存储器，简称闪存。大大有取代有取代E E2 2PROMPROM的趋势。的趋势。44/178.4.1 8.4.1 常用常用EPROMEPROM芯片介绍芯片介绍典型芯片是典型芯片是2727系列产品系列产品， “2727”后面后面的数字表示其位存储容量。的数字表示其位存储

15、容量。27642764（8KB8KB8 8）2712827128（16KB16KB8 8）2725627256（32KB32KB8 8）2751227512（64KB64KB8 8）CECE* * ：片选片选输入端输入端 /G/GOEOE* * ：输出允许控制端：输出允许控制端 /E/EPGMPGM* *：编程时，加编程脉冲的输入端编程时，加编程脉冲的输入端VppVpp：编程时，编程电压（编程时，编程电压（+12V+12V或或+25V+25V）输入端）输入端 扩展程序存储器时，应尽量用大容量扩展程序存储器时，应尽量用大容量的芯片。的芯片。( (余地余地) )44/182. EPROM2. EP

16、ROM芯片的工作方式芯片的工作方式（1 1）读出方式）读出方式 片选片选CECE* * （G G） : :低低 输出允许控制输出允许控制OEOE* *（E E） : :低，低，Vpp:+5VVpp:+5V。 （2 2）编程方式）编程方式 VppVpp端加上规定高压端加上规定高压, CE, CE* *和和OEOE* *端加合适电平端加合适电平( (不不同的芯片要求不同同的芯片要求不同) )，就能将数据线上的数据写入到，就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。指定的地址单元。 （3 3）未选中方式）未选中方式 片选控制线为片选控制线为高高电平。电平。（4 4）编程校验方式）编程校验方式（5 5）

17、编程禁止方式）编程禁止方式 /OE/OE为高为高 输出呈高阻状态。输出呈高阻状态。44/198.4.2 8.4.2 程序存储器的操作时序程序存储器的操作时序访问程序存储器的控制信号访问程序存储器的控制信号: :（1 1）ALE ALE （2 2）PSENPSEN* *（3 3）EAEA* * 1:1:片内片内 0 0：片外：片外 如果指令是从片外如果指令是从片外EPROMEPROM中读取，中读取，ALEALE用于低用于低8 8位地址位地址锁存，锁存，PSENPSEN* *接外扩接外扩EPROMEPROM的的OEOE* *脚。脚。P0P0口口: :分时低分时低8 8位地址总线和数据总线，位地址总

18、线和数据总线，P2P2口口: :高高8 8位地址线。位地址线。44/202. 2. 操作时序操作时序 (1) (1) 应用系统中无片外应用系统中无片外RAM RAM 与与P0P0、P2P2相关，从相关，从ROMROM读取指令读取指令44/21(2) (2) 应用系统中接有片外应用系统中接有片外RAMRAM与与P0P0、P2P2相关，相关，1 1）从）从ROMROM读取指令读取指令 2 2）外部）外部RAM RAM 地址、数据地址、数据44/228.4.3 8.4.3 典型的典型的EPROMEPROM接口电路接口电路1.1.使用单片使用单片EPROMEPROM的扩展电路的扩展电路 2716271

19、6、2732 EPROM2732 EPROM价格贵，容量小，且难以买价格贵，容量小，且难以买到。到。 介绍介绍27642764、2712827128、2725627256、2751227512芯片的接口电芯片的接口电路。路。44/23外扩外扩16K16K字节的字节的EPROM 27128EPROM 27128的接口电路图的接口电路图44/24MCS-51MCS-51外扩单片外扩单片32K32K字节的字节的EPROM 27256EPROM 27256的接口。的接口。44/253. 3. 使用多片使用多片EPROMEPROM的扩展电路的扩展电路MCS-51MCS-51扩展扩展4 4片片271282

20、7128各片各片6212862128地址分配表地址分配表P2.6 P2.7 P2.6 P2.7 译码输出译码输出 选中芯片选中芯片 地址范围地址范围 存储容量存储容量0 0 YO0 0 YO* * IC1 0000H-3FFFH 16K IC1 0000H-3FFFH 16K0 1 Y10 1 Y1* * IC2 4000H-7FFFH 16K IC2 4000H-7FFFH 16K1 0 Y21 0 Y2* * IC3 8000H-BFFFH 16K IC3 8000H-BFFFH 16K1 1 Y31 1 Y3* * IC4 C000H-FFFFH 16K IC4 C000H-FFFFH

21、16K44/268.5 8.5 静态数据存储器的扩展静态数据存储器的扩展8.5.1 8.5.1 常用的静态常用的静态RAMRAM（SRAMSRAM）芯片）芯片典型型号有典型型号有: :61166116、62646264、6212862128、6225662256。+5V+5V电源电源供电，双列直插封装，供电，双列直插封装，61166116为为2424引脚封装，引脚封装，62646264、6212862128、6225662256为为2828引脚封装。引脚封装。各引脚功能如下各引脚功能如下: : A0 A0A14A14：地址输入线。地址输入线。 D0D0D7D7：双向三态数据线。双向三态数据线。

22、 /CS1/CS1、CS2CS2：片选信号输入。对于片选信号输入。对于62646264芯片，当芯片，当2626脚脚(CS2)(CS2)为高电平时为高电平时, ,且且/CS1/CS1为低电平时才选中。为低电平时才选中。 OEOE* *：读选通信号输入线。：读选通信号输入线。 WEWE* *：写允许信号输入线，低电平有效。：写允许信号输入线，低电平有效。44/27626444/28VccVcc：工作电源工作电源+5V+5VGNDGND：地地有读出、写入、维持三种工作方式，这些工有读出、写入、维持三种工作方式，这些工作方式的操作控制。作方式的操作控制。44/298.5.2 8.5.2 外扩数据存储器

23、的读写操作时序外扩数据存储器的读写操作时序1.1.读片外读片外RAMRAM操作时序操作时序44/302. 2. 写片外写片外RAMRAM操作时序操作时序 写是写是CPUCPU主动把数据送上主动把数据送上P0P0口总线。故在时序口总线。故在时序上，上，CPUCPU先向先向P0P0口总线上送完口总线上送完8 8位地址后，位地址后，在在S3S3状态就将数据送到状态就将数据送到P0P0口总线。口总线。44/318.5.3 8.5.3 典型的外扩数据存储器的接口电路典型的外扩数据存储器的接口电路 图图8-218-21给出了用线选法扩展给出了用线选法扩展80318031外部数据存储器外部数据存储器的电路的

24、电路。44/32地址线为地址线为A0A0A12A12，故，故80318031剩余地址线为三根。用线选剩余地址线为三根。用线选法可扩展法可扩展3 3片片62646264。3 3片片62646264对应的存储器空间如下表。对应的存储器空间如下表。44/33 各片各片6212862128地址分配表地址分配表P2.6 P2.7 P2.6 P2.7 译码输出译码输出 选中芯片选中芯片 地址范围地址范围 存储容量存储容量0 0 YO0 0 YO* * IC1 0000H-3FFFH 16K IC1 0000H-3FFFH 16K0 1 Y10 1 Y1* * IC2 4000H-7FFFH 16K IC2

25、 4000H-7FFFH 16K1 0 Y21 0 Y2* * IC3 8000H-BFFFH 16K IC3 8000H-BFFFH 16K1 1 Y31 1 Y3* * IC4 C000H-FFFFH 16K IC4 C000H-FFFFH 16K译码选通法扩展。译码选通法扩展。44/34单片单片6225662256与与80318031的接口电路的接口电路如图如图8-238-23所示。地址范围所示。地址范围为为0000H0000H7FFFH7FFFH。 44/35例例8-18-1 编写程序将片外数据存储器中编写程序将片外数据存储器中5000H5000H50FFH50FFH单元单元全部清零全

26、部清零。方法方法1 1：用用DPTRDPTR作为数据区地址指针，同时使用字节计数作为数据区地址指针，同时使用字节计数器。器。 MOV DPTRMOV DPTR，#5000H #5000H ；设置数据块指针的初值；设置数据块指针的初值 MOV R7MOV R7，#00H#00H ；设置块长度计数器初值；设置块长度计数器初值 CLR ACLR ALOOPLOOP：MOVX DPTRMOVX DPTR，A A ；把某一单元清零；把某一单元清零INC DPTRINC DPTR ；地址指针加；地址指针加1 1DJNZ R7DJNZ R7，LOOP LOOP ；数据块长度减；数据块长度减1 1，若不为，若

27、不为0 0则继则继续清零续清零HEREHERE： SJMP HERESJMP HERE；执行完毕，原地踏步；执行完毕，原地踏步44/36例例8-18-1 编写程序将片外数据存储器中编写程序将片外数据存储器中5000H5000H50FFH50FFH单元单元全部清零全部清零。方法方法2 2：用用DPTRDPTR作为数据区地址指针，但不使用字节计数作为数据区地址指针，但不使用字节计数器，而是比较特征地址。器，而是比较特征地址。MOV DPTRMOV DPTR，#5000H#5000HCLR ACLR ALOOPLOOP：MOVX DPTRMOVX DPTR，A AINC DPTRINC DPTRMO

28、V R7MOV R7，DPLDPLCJNE R7CJNE R7，#0#0，LOOP LOOP ；与末地址；与末地址+1+1比较比较HEREHERE：SJMP HERESJMP HERE44/378.6 EPROM8.6 EPROM和和RAMRAM的综合扩展的综合扩展8.6.1 8.6.1 综合扩展的硬件接口电路综合扩展的硬件接口电路例例8-28-2 采用线选法扩展采用线选法扩展2 2片片8KB8KB的的RAMRAM和和2 2片片8KB8KB的的EPROMEPROM。RAMRAM选选62646264，EPROMEPROM选选27642764。（1 1）各芯片地址空）各芯片地址空间分配、片选信号间

29、分配、片选信号 （2 2）控制信号）控制信号IC2IC2和和IC4IC4地址：地址：2000H2000H3FFFH 3FFFH （P2.6=0P2.6=0、P2.5=1P2.5=1）IC1IC1、IC3IC3地址：地址：4000H4000H5FFFH5FFFH（P2.6=1P2.6=1、P2.5=0P2.5=0）。）。线选法地址不连续，线选法地址不连续，地址空间地址空间利用不充分利用不充分。44/38例例8-38-3 采用译码器法扩展采用译码器法扩展2 2片片8KB EPROM8KB EPROM，2 2片片8KB RAM8KB RAM。EPROMEPROM选用选用27642764，RAMRAM

30、选用选用62646264。共扩展。共扩展4 4片芯片。扩展片芯片。扩展接口电路见图接口电路见图8-258-25。 各存储器的地址范围如下：各存储器的地址范围如下：44/398.6.2 8.6.2 外扩存储器电路的工作原理及软件设计外扩存储器电路的工作原理及软件设计 1. 1. 单片机片外程序区读指令过程单片机片外程序区读指令过程 2. 2. 单片机片外数据区读写数据过程单片机片外数据区读写数据过程 例如，例如，把片外把片外1000H1000H单元的数送到片内单元的数送到片内RAM 50HRAM 50H单元，程序单元，程序如下：如下：MOV DPTRMOV DPTR，#1000H#1000HMO

31、VX AMOVX A，DPTRDPTRMOV 50HMOV 50H，A A 例如，例如，把片内把片内50H50H单元的数据送到片外单元的数据送到片外1000H1000H单元中，程序单元中，程序如下：如下：MOV A,50HMOV A,50HMOV DPTR,#1000HMOV DPTR,#1000HMOVX DPTR,AMOVX DPTR,A44/408.6.2 8.6.2 外扩存储器电路的工作原理及软件设计外扩存储器电路的工作原理及软件设计 MCS-51 MCS-51单片机读写片外数据存储器中的内容，除用单片机读写片外数据存储器中的内容，除用 MOVX A,DPTRMOVX A,DPTR和和

32、MOVX DPTR,AMOVX DPTR,A外，外， 还可使用还可使用MOVX A,RiMOVX A,Ri和和MOVX Ri,AMOVX Ri,A。这时通过这时通过P0P0口输口输出出RiRi中的内容（中的内容（低低8 8位地址位地址），而把），而把P2P2口原有的内容作为口原有的内容作为高高8 8位地址位地址输出。输出。44/41例例8-4 8-4 将程序存储器中以将程序存储器中以TABTAB为首址的为首址的3232个单元的内个单元的内容依次传送到外部容依次传送到外部RAMRAM以以7000H7000H为首地址的区域去。为首地址的区域去。DPTRDPTR指向标号指向标号TABTAB的首地址。

33、的首地址。R0R0既指示外部既指示外部RAMRAM的地址，的地址，又表示数据标号又表示数据标号TABTAB的位移量。本程序的循环次数为的位移量。本程序的循环次数为3232，R0R0的值：的值：0 03131，R0R0的值达到的值达到3232就结束循环。程就结束循环。程序如下：序如下：MOVMOVP2,#70hP2,#70hMOVMOVDPTR,#TABDPTR,#TABMOVMOVR0,#0R0,#0AGIN:AGIN:MOVMOVA,R0A,R0MOVCMOVC A,A+DPTRA,A+DPTRMOVXMOVX R0,AR0,AINCINCR0R0CJNECJNE R0,#32,AGINR0

34、,#32,AGINHERE:HERE:SJMPSJMP HEREHERETAB:TAB: DB DB 44/428.7 E8.7 E2 2PROMPROM的扩展的扩展 保留信息长达保留信息长达2020年，不存在年，不存在EPROMEPROM在日光在日光下信息缓慢丢失的问题。下信息缓慢丢失的问题。 8.7.1 8.7.1 常用的常用的E2PROME2PROM芯片芯片 在芯片的引脚设计上，在芯片的引脚设计上，2KB2KB的的E E2 2PROM 2816PROM 2816与相同容量的与相同容量的EPROMEPROM 2716 2716和静态和静态RAMRAM 6116 6116兼兼容，容，8KB8

35、KB的的E E2 2PROM 2864APROM 2864A与同容量的与同容量的EPROM EPROM 27642764和静态和静态RAM 6264RAM 6264也是兼容的。也是兼容的。 2816 2816、28172817和和2864A2864A的的读出读出数据时间均为数据时间均为250ns250ns，写入时间，写入时间10ms10ms。44/438.7.3 MCS-518.7.3 MCS-51扩展扩展E E2 2PROMPROM的方法的方法 1.MCS-511.MCS-51外扩外扩2817A2817A2817A2817A既可作为既可作为外部的数据存外部的数据存储器，又可作储器，又可作为程

36、序存储器。为程序存储器。写操作：通过写操作：通过P1.0P1.0查询查询2817A2817A的的RDY/BUSYRDY/BUSY* *状态状态，来完成对，来完成对2817A2817A的写操作。的写操作。 WAITWAIT：JNB P1.0JNB P1.0，WAITWAIT片选信号由片选信号由P2.7P2.7提供。提供。44/44 2.MCS-51 2.MCS-51外扩外扩2864A2864A 接口电路见图接口电路见图8-288-28。片选端与。片选端与P2.7P2.7连接，连接，P2.7=0P2.7=0才选中才选中2864A2864A，线选法决定了，线选法决定了2864A2864A对应多组地址空间，对应多组地址空间，即即:0000H:0000H1FFFH1FFFH，2000H2000H3FFFH3FFFH，4000H4000H5FFFH5FFFH，6000H6000H7FFFH7FFFH。8K8K字节的字节的2864A2864A可作为数据存储器使用，可作为数据存储器使用，但掉电后数据不丢失。但掉电后数据不丢失。对对2864A2864A装载一个页面数据装载一个页面数据(16(16个字节个字节) )的子程序