宁波MOSFET功率器件项目实施方案【模板】

1、泓域咨询/宁波MOSFET功率器件项目实施方案宁波MOSFET功率器件项目实施方案xx投资管理公司目录第一章 项目概况9一、 项目概述9二、 项目提出的理由11三、 项目总投资及资金构成13四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划14七、 环境影响14八、 报告编制依据和原则14九、 研究范围15十、 研究结论15十一、 主要经济指标一览表16主要经济指标一览表16第二章 项目背景分析18一、 功率半导体市场规模与竞争格局18二、 功率半导体行业概述18三、 功率MOSFET的行业发展趋势20四、 全面融入长三角一体化，建设高能级大都市区22五、 深度融入

2、新发展格局，建设国内国际双循环枢纽25第三章 市场分析29一、 全球半导体行业发展概况29二、 MOSFET器件概述29三、 功率器件应用发展机遇34第四章 选址分析39一、 项目选址原则39二、 建设区基本情况39三、 巩固壮大实体经济，提升现代产业体系竞争力43四、 全面推进数字化变革，建设数字中国示范城市45五、 项目选址综合评价48第五章 建设规模与产品方案49一、 建设规模及主要建设内容49二、 产品规划方案及生产纲领49产品规划方案一览表49第六章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事56三、 高级管理人员62四、 监事64第七章 发展规划分析67一、 公司发展规划67二

3、、 保障措施73第八章 劳动安全分析75一、 编制依据75二、 防范措施76三、 预期效果评价80第九章 组织机构及人力资源配置82一、 人力资源配置82劳动定员一览表82二、 员工技能培训82第十章 项目环境保护85一、 环境保护综述85二、 建设期大气环境影响分析86三、 建设期水环境影响分析88四、 建设期固体废弃物环境影响分析88五、 建设期声环境影响分析89六、 环境影响综合评价89第十一章 节能说明90一、 项目节能概述90二、 能源消费种类和数量分析91能耗分析一览表92三、 项目节能措施92四、 节能综合评价93第十二章 投资估算及资金筹措95一、 编制说明95二、 建设投资9

4、5建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表98三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十三章 经济效益评价106一、 基本假设及基础参数选取106二、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表108利润及利润分配表110三、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表112四、 财务生存能力分析114五、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115六、 经济评价结

5、论116第十四章 项目风险评估117一、 项目风险分析117二、 项目风险对策119第十五章 总结分析121第十六章 附表附录122主要经济指标一览表122建设投资估算表123建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量表131借款还本付息计划表133报告说明与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设

6、备的增加带动MOSFET用量提升。根据谨慎财务估算，项目总投资30496.98万元，其中：建设投资24244.44万元，占项目总投资的79.50%；建设期利息676.83万元，占项目总投资的2.22%；流动资金5575.71万元，占项目总投资的18.28%。项目正常运营每年营业收入54500.00万元，综合总成本费用46013.21万元，净利润6185.19万元，财务内部收益率13.41%，财务净现值-1646.36万元，全部投资回收期6.93年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先

7、进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目概况一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：宁波MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xx投资管理公司3、项目性质：新建4、项目建设地点：xx（待定）5、项目联系人：孟xx（二）主办单位基本情况公司将依法合规作为新形势下实现高

8、质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”

9、的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 （三）项目建设选

10、址及用地规模本期项目选址位于xx（待定），占地面积约67.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天

11、线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。当前和今后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。世界正经历百年未有之大变局。新一轮科技革命和产业变革深入发展，国际力量对比深刻调整，和平与发展仍然是时代主题，人类命运共同体理念深入人心。同时，国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加，新冠肺炎疫情影响广泛深远，经济全球化遭遇逆流，世界进入动荡变革期，单边主义、保护主义、霸权主义对世界和平与发展构成威胁。国内发展环境发生深刻变化。我国经济发展趋势长期向好，潜力足、韧性强、回旋空间大，拥有全球最大规模的中等收入群体，进入高质量发展阶段，

12、将迈入高收入国家行列，以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局加快形成，社会主要矛盾已经转化为人民日益增长的美好生活需要和不平衡不充分的发展之间的矛盾。我市面临诸多新机遇新挑战。以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局将释放新需求，以数字化为主要特征的新一轮科技革命和产业变革将注入新活力，“一带一路”、长江经济带、长三角一体化发展和“四大”建设等战略实施加快转化为城市发展新势能，要素市场化配置改革、自由贸易试验区建设和营商环境持续优化将增创制度新优势。同时，全球经济低迷和逆全球化增加了外向型经济发展的不确定性，人口、经济、创新、资本等要素向中心城市特别是超大城市集聚

13、加剧了城市位势竞争，财政、生态、空间等领域可持续发展面临更大压力，人口老龄化、社会加速转型和公共安全事件易发多发给治理体系和治理能力提升带来新挑战。综合判断，“十四五”及今后一个时期，中华民族伟大复兴战略全局和世界百年未有之大变局相互交织，危机并存、危中有机、危可转机，宁波处于发展动能转换的关键期、城市能级提升的突破期、综合竞争优势的重塑期和城市治理效能的提升期，承担当好浙江建设“重要窗口”模范生的重大使命，必须深刻认识新发展阶段的新变化新要求，着眼世界大变局、国内新格局、区域一体化，保持战略定力，坚持底线思维，顺应发展大势，办好自己的事，以确定性的工作应对不确定性的局势，努力在危机中育先机、

14、于变局中开新局。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资30496.98万元，其中：建设投资24244.44万元，占项目总投资的79.50%；建设期利息676.83万元，占项目总投资的2.22%；流动资金5575.71万元，占项目总投资的18.28%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资30496.98万元，根据资金筹措方案，xx投资管理公司计划自筹资金（资本金）16684.31万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额13812.67万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产

15、年预期营业收入（SP）：54500.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：46013.21万元。3、项目达产年净利润（NP）：6185.19万元。4、财务内部收益率（FIRR）：13.41%。5、全部投资回收期（Pt）：6.93年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：25983.93万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本项目生产过程中产生的“三废”和产生的噪声均可得到有效治理和控制，各种污染物排放均满足国家有关环保标准。因此在设计和建设中认真按“三同时”落实、执行，严格遵守国家关于基本建设

16、项目中有关环境保护的法规、法令，投产后，在生产中加强管理，不会给周围生态环境带来显著影响。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。九、 研究范围1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工

17、程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。十、 研究结论综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积44667.00约67.00亩1.1总建筑面积80027.401.2基底面积25460.191.3投资强度万元/亩353.862总投资万元30496.982.1建设投资万元2424

18、4.442.1.1工程费用万元21450.602.1.2其他费用万元2349.262.1.3预备费万元444.582.2建设期利息万元676.832.3流动资金万元5575.713资金筹措万元30496.983.1自筹资金万元16684.313.2银行贷款万元13812.674营业收入万元54500.00正常运营年份5总成本费用万元46013.216利润总额万元8246.927净利润万元6185.198所得税万元2061.739增值税万元1998.9210税金及附加万元239.8711纳税总额万元4300.5212工业增加值万元14781.5913盈亏平衡点万元25983.93产值14回收期年

19、6.9315内部收益率13.41%所得税后16财务净现值万元-1646.36所得税后第二章 项目背景分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半

20、导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费

21、电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大

22、功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0

23、.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原

24、因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热

25、导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、

26、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。四、 全面融入长三角一体

27、化，建设高能级大都市区深度融入长三角一体化和长江经济带发展，积极引领浙江大湾区建设，唱好杭甬“双城记”，全面构建宁波都市区，加快形成“一核引领、两翼提升、三湾协同、多极支撑、全域美丽”市域发展总体格局，实现城市能级、功能、品质整体跃升。（一）深入落实区域重大战略深度参与长三角一体化。制订参与长三角一体化发展标志性工程实施方案，滚动编制实施重大事项、重大平台、重大改革和重大项目清单，全方位对接中心城市，建设长三角一体化先行区。深度对接上海“五个中心”建设，落实沪甬合作协议，推动科创、产业、金融、人才、教育、医疗、环保等重点领域合作，推动长三角新材料产业协同创新中心等一批实体项目落地，高水平共建沪

28、杭甬湾区经济创新区。高起点建设前湾沪浙合作发展区，积极承接上海非核心功能，打造上海配套功能拓展区。（二）优化市域城镇发展格局增强一核能级。优化中心城区空间布局，推动“东揽、西拓、南融、北强、中优”，加强主城区与外围组团统筹联动，实现城市整体提升、拱卫发展，提升经济高度、人口密度和创新浓度。提升以大运河文化、唐诗文化为底蕴的沿姚江、奉化江城市发展轴，加快建设以甬江为主轴的创新发展带，构筑镇海高新区东部新城东钱湖的大东部新发展轴，规划建设江北慈城姚江新城空铁新城的城西发展轴。增强泛三江口、东部新城、鄞州南部、镇海新城等核心板块发展活力，加强高端服务、总部经济、国际交流等功能塑造，打造城市功能核心区

29、和高品质形象窗口。精品建设鄞州中部、空铁新城、姚江新城、创智钱湖、北仑滨江、奉化宁南等重点板块，优化提升城西区域建设水平，加快推进庄桥机场搬迁，推动北仑凤凰城、大嵩梅山湾等外围组团集约特色发展，高起点谋划宁波湾区域发展，加快配套完善、功能提升和人口集聚。加速奉化全面融入中心城区，坚持以产兴城、以城促产，突出高新产业承接功能。优化行政区划设置，加快推进全域城区化发展。（三）全面提升都市形象品质提升城市建设品质。提高城市规划统筹水平，深化土地储备统筹管理，完善重要功能区块和重大基础设施市级统筹开发运营机制。加强规划管控和整体设计，提升中山路、通途路等主干道路两侧立面形象，打造具有时尚元素、港城特色

30、、江南韵味、国际气派的城市形态。大力推行“XOD”开发理念，提高场站、学校、医院、公园等周边地块开发强度，建设大型功能混合生活组团。高品质建设公共建筑、历史街区、公园绿地等重要节点，打造24小时城市活力中心。强化地上地下空间综合利用，统筹推进地下管廊建设，到2025年建成干支综合管廊约50公里。深化全域海绵城市建设，整体打造水系网络、城市绿道、文化紫道和慢行系统，推动三江六塘河等滨水空间建设，建设百公里沿河景观带、百公里沿湖步道、百公里滨海廊道。（四）着力增强城市核心功能依托三江六岸、新城新区和战略平台，统筹建设国际机构、研发创新、金融服务、总部经济、航运服务等集聚区，提高人才、知识、资本、信

31、息、物流集聚能力，增强中心城区首位度和极核功能，辐射带动周边中小城市发展。高标准建设浙江自贸试验区宁波片区，建设世界一流强港，打造世界级贸易物流枢纽。高水平建设甬江科创大走廊，推动新材料、工业互联网、关键核心基础件三个科创高地建设取得重大突破，建设高素质人才发展重要首选地，打造优势领域科技创新中心。深化国家普惠金融改革试验区和保险创新综合试验区建设，做强本土金融机构、地方金融组织和金融要素平台，加快现有法人机构综合化经营，积极争取金融牌照和开放试点，加强上市企业梯队培育，打造区域性金融中心。高水平建设国际会议中心、国际博览中心，争办具有国际影响力的会议，提高大型活动承办水平，扩大对外交流合作，

32、深化国际友城建设，发挥宁波帮和帮宁波人士作用，打造“一带一路”国际交往中心。五、 深度融入新发展格局，建设国内国际双循环枢纽坚持实施扩大内需战略，推进供给侧结构性改革与需求侧管理相结合，加快形成全链条、多要素、高效率的双循环，打造国内大循环重要支点，建设链接全球的港航物流枢纽、贯通内外的贸易枢纽、战略资源的配置枢纽和制度型开放高地。（一）深度参与国内大循环以高质量供给引领创造新需求，提高研发设计水平，实施专利、标准、品牌培育工程，提升产品在价值链中的地位，打响“宁波制造”品牌。制定出口转内销支持政策，引导企业发展内外贸同线同标同质产品，推动优质甬货成为新国货。实施国内市场拓展计划，鼓励企业通过

33、建设自主品牌、建立营销网络、借力电商平台等拓展国内市场。鼓励金融机构加大订单融资等金融支持，加大出口信用保险和国内贸易信用保险力度。支持企业参加国内外重点展会和数字展贸，办好专业性展会和产销对接会。（二）促进消费扩容提质丰富消费载体。优化全市商业网点布局，构建“5分钟便利店+10分钟农贸市场+15分钟超市”便民生活服务圈。建设国际消费中心城市，高品质打造泛三江口、东部新城、南部商务区等核心商圈，积极引进国际知名购物中心、高端特色主题商场、国际一线品牌体验店等高端业态。实施商业名街创建行动，高标准建设老外滩国家级步行街，提升东鼓道、南塘老街等街区热度。加快引进旗舰店、潮货店、免税店等，打造网红消

34、费打卡地。大力发展智慧零售、跨界零售等新业态，打造一批智慧商圈、智慧集市和智慧商店，促进电商、微商、网络直播等线上消费平台健康发展。实施城乡高效配送行动，开拓城乡消费市场。（三）拓展有效投资空间拓展投资新领域。实施新一轮扩大有效投资行动，实现固定资产投资增速与经济增长基本同步，促进投资质量提升和结构优化。推进新型基础设施、新型城镇化、交通水利、能源等重大工程建设，实施一批标志性重大项目。积极引导民间投资重点投向科技创新、高新产业、交通设施、生态环保、公共服务等领域。着力扩大产业投资，推动企业设备更新和技术改造，实施一批强链补链延链重点项目。健全项目动态调整和滚动推进机制，强化重大项目建设用地、

35、用海、用能、资金、环境等要素支撑。（四）建设“一带一路”枢纽城市高水平建设合作平台。稳步推进“一带一路”综合试验区建设，深入实施港口联通、产业合作、贸易往来和民心沟通等工程。纵深推进“一带一路”中意（宁波）园区建设，提升国别合作园建设水平，合作拓展第三方市场。深化17+1经贸合作示范区建设，探索建设中欧经贸合作平台，扩大中国中东欧国家博览会影响力。支持建设境外经贸合作区、海外创新服务综合体、海外资源开发和加工基地等平台。健全“一带一路”建设推进工作机制，完善智库合作联盟、大数据、金融等综合服务平台，推动标准联通，加强风险防范。（五）拓展提升开放型经济优势深入实施外贸双万亿行动。深度开发欧美发达

36、国家细分市场，大力拓展“一带一路”沿线新兴市场，加快构建多元化市场体系，巩固优势产品出口市场，扩大机电及高新技术产品出口。实施全球贸易商集聚计划，大力招引能源贸易、大宗商品等领域国际巨头设立运营总部或分支机构。提升进口贸易促进创新示范区功能，承接中国国际进口博览会溢出效应，扩大先进技术、先进设备、关键零部件、优质消费品进口，打造国家重要进口基地。深化跨境电商综合试验区建设，积极争取跨境易货贸易等试点。推动服务贸易、数字贸易、转口贸易等新型贸易方式发展，建设新型国际贸易中心。充分利用区域全面经济伙伴关系协定中欧全面投资协定等国际合作协定，扩大区域经贸合作和贸易份额。到2025年，货物和服务贸易进

37、出口总额达到2万亿元，货物出口额占全国、全省比重分别达到4%、30%。（六）加快推进制度型开放高水平建设浙江自贸试验区宁波片区。发挥国家战略叠加优势，建设链接内外、多式联运、辐射力强、成链集群的国际航运枢纽，打造具有国际影响力的油气资源配置中心、国际供应链创新中心、全球新材料科创中心、智能制造高质量发展示范区。聚焦推进投资贸易自由化便利化，实施一批重大制度创新举措，加快构建对标国际一流的开放型制度体系。服务国家能源安全，加快油气全产业链发展，建设新型国际能源贸易中心。聚焦“一带一路”沿线国家和地区，加快全球供应链服务体系建设。推进前湾、临空、甬江等联动创新区建设，释放自贸试验区改革红利。加强与

38、上海、舟山、杭州、金义等自贸区的联动发展。第三章 市场分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 MOSFET器件概

39、述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本

40、土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理

41、系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的

42、需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件

43、关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根

44、据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车

45、、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技

46、术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGB

47、T产业将迎来黄金发展期。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电

48、桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几

49、方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交

50、流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW

51、，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌

52、统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1

53、）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而Ma

54、ssiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设

55、备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。第四章 选址分析一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便

56、捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、 建设区基本情况宁波位于东经12055至12216，北纬2851至3033。地处我国海岸线中段，长江三角洲南翼。东有舟山群岛为天然屏障，北濒杭州湾，西接绍兴市的嵊州、新昌、上虞，南临三门湾，并与台州的三门、天台相连。宁波市地势西南高，东北低。市区海拔4-5.8米，郊区海拔为3.6-4米。地貌分为山地、丘陵、台地、谷（盆）地和平原。全市山地面积占陆域的24.9%，丘陵占25.2%，台地占1.5%，谷（盆）地占8.1%，平原占40.3%。宁波属北亚热带季风气候，温和湿润，四季分明。全市常年平均气温16.4，平均气温以七月份最高，为28.0，一月份最低，为5.4。全市无霜期一般为230天至240天。多年平均降水量为1480毫米左右，五至九月占全年降水量的60%。常年平均日照时数1850小时。宁波是浙江省八大水系之一，河流有余姚江、奉化江、甬江，余姚江发源于上虞县梁湖；奉化江发源于奉化区斑竹。余姚江、奉化江在市区“三江口”汇成甬江，流向东北，经招宝山入东海。“十三五”时期是高水平全面建成小康社会决胜阶段。经济发展提