半导体的生产工艺流程

1、半导体的生产工艺流程半导体制程微机电制作技术，专门是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon-basedmicromachining),原本就肇源于半导体组件的制程技术，因此必须先介绍清晰这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。一、洁净室一样的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工辨论率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位差不多上以微米运算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能阻碍到其上周密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严峻后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这确实是

2、洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英叭的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。因此class后头数字越小，洁净度越佳，因此其造价也越昂贵(参见图2-1)。为营造洁净室的环境，有专业的建筑厂家，及其有关的技术与使用治理方法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。因此需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁

3、净室内回旋停滞的机会与时刻减至最低程度。4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。5、所有人事物进出，都必须通过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。6、人体及衣物的毛屑是一项要紧粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)因此，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carr

4、ierchannel),阻碍半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一样要求至17.5MQ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%),吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点讲明是最差不多的要求，另还有污水处理、废气排放的环保咨询题，再再需要大笔大笔的建筑与爱护费用！二、晶圆制作硅晶圆(siliconwafer)是一切集成电路芯片的制作母材

5、。既然讲到晶体，明显是通过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采柴可拉斯基(Czycrasky)拉晶法(CZ法)。拉晶时，将特定晶向(orientation)的晶种(seed),浸入过饱和的纯硅熔汤(Melt)中，并同时旋转拉出，硅原子便按照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒(ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质(impuritydopant)太多，还需通过FZ法(floating-zone)的再结晶(re-crystallization)，将杂质逐出，提升纯度与阻值。辅拉出的晶棒，外缘像椰子树干般，外径不甚一致，需予以机械加工修边，然后以X光绕射法，定出主切

6、面（primaryflat）的所在，磨出该平面；再以内刃环锯，肖U下一片片的硅晶圆。最后通过粗磨（lapping）、化学蚀平（chemicaletching）与抛光（polishing）等程序，得出具表面粗糙度在0.3微米以下抛光面之晶圆。（至于晶圆厚度，与其外径有关。）刚才题及的晶向，与硅晶体的原子结构有关。硅晶体结构是所谓钻石结构（diamond-structure）,系由两组面心结构（FCC），相距（1/4,1/4,1/4）晶格常数（latticeconstant即立方晶格边长）叠合而成。我们依米勒指针法（Millerindex），可定义出诸如：100、111、110等晶面。因此晶圆也因

7、之有100、111、110等之分野。有关常用硅晶圆之切边方向等信息，请参考图2-2。现今半导体业所使用之硅晶圆，大多以100硅晶圆为主。其可依导电杂质之种类，再分为p型（周期表III族）与n型（周期表V族）。由于硅晶外貌完全相同，晶圆制造厂因此在制作过程中，加工了供辨识的记号：亦即以是否有次要切面（secondaryflat）来辨论。该次切面与主切面垂直，p型晶圆有之，而n型则阙如。100硅晶圆循平行或垂直主切面方向而断裂整齐的特性，因此专门容易切成矩形碎块，这是早期晶圆切割时，可用刮晶机（scriber）的缘故（它并无真正切断芯片，而只在表面刮出裂痕，再加以外力而整齐断开之。）事实上，硅晶的

8、白然断裂面是111，因此尽管得到矩形的碎芯片，但断裂面却不与100晶面垂直！以下是订购硅晶圆时，所需讲明的规格：项目讲明晶面100、111、110士1o外径（口寸）3456厚度（微米）300450450600550650600750（士25）杂质p型、n型阻值（Q-cm）0.01（低阻值）100（高阻值）制作方式CZ、FZ（高阻值）抛光面单面、双面平坦度（埃）3003,000三、半导体制程设备半导体制程概分为三类：（1）薄膜成长，（2）微影罩幕，（3）蚀刻成型。设备也跟着分为四类：（a）高温炉管，（b）微影机台，（c）化学清洗蚀刻台，（d）电浆真空腔室。其中（a）（c）机台依序对应（1）（3）

9、制程，而新近进展的第（d）项机台，则分不应用于制程（1）与（3）。由于坊间不乏介绍半导体制程及设备的中文书籍，故本文不刻意锦上添花，谨就笔者认为较有味的观点，描画一二！（一）氧化（炉）（Oxidation）对硅半导体而言，只要在高于或等于1050C的炉管中，如图2-3所示，通入氧气或水汽，白然能够将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层（dryz/gateoxide）或湿氧层（wet/fieldoxide）,当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最洁净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一（他种半导体，如碑化镣GaAs,便无法用此法成长绝缘层，因为在550C左右，碑化

10、镣已解离开释出碑！）硅氧化层耐得住850C1050C的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述更高的温度成长；只是每生长出1微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。以下是氧化制程的一些要点：（1）氧化层的成长速率不是一直坚持恒定的趋势，制程时刻与成长厚度之重复性是较为重要之考量。（2）后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻碍也越大。一样而言，专门少成长2微米厚以上之氧化层。（3）干氧层要紧用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channeD;而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻

11、绝或制程罩幕（masking）。前者厚度远小于后者，10001500埃已然足够。（4）对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时刻下，111厚度三110厚度100厚度。(5) 导电性佳的硅晶氧化速率较快。(6) 适度加入氯化氢(HCl)氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。氧化层厚度的量测，可分破坏性与非破坏性两类。前者是在光阻定义阻绝下，泡入缓冲过的氢氟酸(BOE,BufferedOxideEtch,系HF与NH4F以1:6的比例混合而成的腐蚀剂)将显露出来的氧化层去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪(surfaceprofilero

12、ralphastep),得到有无氧化层之高度差，即其厚度。非破坏性的测厚法，以椭偏仪(ellipsometer)或是毫微仪(nano-spe。最为普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractiveindex；用以评估薄膜品质之好坏)及起始厚度b与跳阶厚度a(总厚度t=ma+b),实际厚度(需确定m之整数值)，仍需与制程体会配合以判读之。后者则还必须事先明白折射率来反推厚度值。(7) 不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，且有2000埃左右厚度即循环一次的特性。有体会者也可单凭颜色而判定出大约的氧化层厚度。只是若超过1.5微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。扩散(炉)(diffusion)1

13、、扩散搀杂半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值，却不阻碍其机械物理性质的特点，是进一步制造出p-n接合面(p-njunction)、二极管(diode)、晶体管(transistor)、以至于大千婆娑之集成电路(IC)世界之基础。而扩散是达成导电杂质搀染的初期重要制程。众所周知，扩散即大白然之输送现象(transportphenomena】质量传输(masstransfer)、热传递(heattransfer)、与动量传输(momentumtransfer;即摩擦拖曳)皆是事实上然的三种已知现象。本杂质扩散即属于质量传输之一种，唯需要在850oC以上的高温环境下，效应才够明显。由因此扩

14、散现象，杂质浓度C(concentration;每单位体积具有多少数目的导电杂质或载子)服从扩散方程式如下：这是一条抛物线型偏微分方程式，同时与扩散时刻t及扩散深度x有关。换言之，在某扩散瞬时(t固定)，杂质浓度会由最高浓度的表面位置，往深度方向作递减变化，而形成一随深度x变化的浓度曲线；另一方面，这条浓度曲线，却又随着扩散时刻之增加而改变样式，往时刻无穷大时，平坦一致的扩散浓度分布前进！既然是扩散微分方程式，不同的边界条件(boundaryconditions)施予，会产生不同之浓度分布外形。固定表面浓度(constantsurfaceconcentration)与固定表面搀杂量(const

15、antsurfacedosage)是两种常被讨论的具有解析精确解的扩散边界条件(参见图2-4):2、前扩散(pre-deposition)第一种定浓度边界条件的浓度解析解是所谓的互补误差函数(complementaryerrorfunction),其对应之扩散步骤称为前扩散，即我们一样了解之扩散制程；当高温炉管升至工作温度后，把待扩散晶圆推入炉中，然后开始开释扩散源(p型扩散源通常是固体呈晶圆状之氮化硼【boron-nitride】芯片,n型则为液态POCl3之加热蒸气)进行扩散。其浓度剖面外形之特点是杂质集中在表面，表面浓度最高，并随深度迅速减低，或是讲表面浓度梯度(gradient)值极高

16、。3、后驱入(postdrive-in)第二种定搀杂量的边界条件，具有高斯分布(Gaussiandistribution)的浓度解析解。对应之扩散处理程序叫做后驱入，即一样之高温退火程序；差不多上只坚持炉管的驱入工作温度，扩散源却不再开释。或咨询曰：定搀杂量的起始边界条件白何而来？答案是前扩散制程之结果；盖先前前扩散制作出之杂质浓度集中于表面，可近似一定搀杂量的边界条件也！至于什么缘故扩散要分成此二类步骤，因此不是为了投数学解析之所好，而是因应阻值调变之需求。原先前扩散的杂质植入剂量专门快达到饱和，即使拉长前扩散的时刻，也无法大幅增加杂质植入剂量，换言之，电性上之电阻率(resistivity

17、)特性专门快趋稳固；但后驱入使表面浓度及梯度减低(因杂质由表面往深处扩散)，却又营造出再一次前扩散来增加杂质植入剂量的机会。因此，借着多次反复的前扩散与后驱入，既能调变电性上之电阻率特性，又可改变杂质电阻之有效截面积，故依大伙儿熟知之电阻公式；其中是电阻长度可设计出所需导电区域之扩散程序。4、扩散之其它要点，简述如下：（1）扩散制程有批次制作、成本低廉的好处，但在扩散区域之边缘所在，有侧向扩散的误差，故限制其在次微米（sub-micron）制程上之应用。（2）扩散之后的阻值量测，通常以四探针法（four-pointprobemethod）行之,示意参见图2-5。目前市面已有多种商用机台可供选购

18、。（3）扩散所需之图形定义（pattern）及遮挡（masking），通常以氧化层（oxide）充之，以抵挡高温之环境。一微米厚之氧化层，已足敷一样扩散制程之所需。（二）微影（Photo-Lithography）1、正负光阻微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。白1970年起，才大量使用于半导体制程之图形转写复制。原理即利用对紫外线敏锐之聚合物，或所谓光阻（photo-resist）之受曝照与否，来定义该光阻在显影液（developer）中是否被蚀除，而最终留下与遮挡罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互补之图形；相同者称之正光阻（positiveresist）,明暗互补者称之负光阻（negativ

19、eresist）,如图2-6所示。一样而言，正光阻，如AZ-1350、AZ-5214、FD-6400L等，其辨论率及边缘垂直度均佳，但易变质，储存期限也较短（约半年到一年之间），常用于学术或研发单位；而负光阻之边缘垂直度较差，但可储存较久，常为半导体业界所使用。2、光罩前段述及的光罩制作，是微影之关键技术。其制作方式经几十年之演进，已由辨论率差的缩影机（由数百倍大的红胶纸【rubby-lith】图样缩影）技术，改良为直截了当以运算机辅助设计制造（CAD/CAM）软件操纵的雷射束（laser-beam或电子束（E-beam）书写机，在具光阻之石英玻璃板上进行书写（曝光），辨论率（最小线宽）也改进

20、到微米的等级。由于激光打印机的辨论率越来越好，以后某些线宽较粗的光罩可望直截了当以打印机出图。举例而言，3386dpi的出图机，最小线宽约为七微米。3、对准机/步进机在学术或研发单位中之电路布局较为简易，一套电路布局可全部写在一片光罩中，或甚至多重复制。加上使用之硅晶圆尺寸较小，配合使用之光罩本来就不大。因此搭配使用之硅晶圆曝光机台为一样的光罩对准机(maskaligner,如图2-7)。换言之，一片晶圆只需一次对准曝光，便可进行之后的显影及烤干程序。但在业界中，使用的晶圆大得多，我们不可能任意造出7口寸或9口寸大小的光罩来进行对准曝光：一来电子束书写机在制备如此大的光罩时，会耗损巨量的时刻，

21、极不划算；二来，大面积光罩进行光蚀刻曝光前与晶圆之对准，要因应大面积周密定位及防震等咨询题，极为棘手！因此工业界多采纳步进机(steppe。进行对准曝光；也确实是讲，即使晶圆大到6或8口寸，但光罩大小依旧小小的12口寸见方，一则光罩制备快速，二则小面积对准的咨询题也比较少；只是要曝满整片晶圆，要花上数十次对准7曝光7移位的重复动作。但即便如此，因每次对准7曝光7移位仅费时1秒左右，故一片晶圆的总曝光时刻仍操纵在1分钟以内，而保持了工厂的高投片率(highthrough-put;即单位时刻内完成制作之硅芯片数。)图2-7双面对准曝光对准系统(国科会北区微机电系统研究中心)。4、光阻涂布晶圆上微米

22、厚度等级的光阻，是采纳旋转离心(spin-coating)的方式涂布上去。光阻涂布机如图2-8所示。其典型程序包括：(1)晶圆表面前处理(pre-baking)：即在150C下烘烤一段时刻。若表面无氧化层，要另外先上助粘剂(primer),如HMDS,再降回室温。换言之，芯片表面在涂敷光阻前要确保是亲水性(hydrophilic)。送晶圆上真空吸附的转台，注入(dispensing)光阻，开始由低转速甩出余外的光阻并均布之，接着以转速数千rpm,减薄光阻至所需厚度。(3) 将晶圆表层光阻稍事烤干定型，防止沾粘。但不可过干过硬，而阻碍后续的曝光显影。一样光阻涂布机的涂布结果是厚度不均。专门在晶圆

23、边缘部份，可能厚达其它较平均部份的光阻3倍以上。另外，为了确保光阻全然涂布到整片晶圆，通常注入光阻的剂量，是真正涂布粘着在晶圆上之数十甚至数百倍，极其惋惜；因为甩到晶圆外的光阻中有机溶剂迅速挥发逸散，成份大变，不能回收再使用。5、厚光阻德国Karl-Suss公司开发了一种新型的光阻涂布机，称为GYRSET?,如图2-9所示，其卖点在于强调可减少一半的光阻用量，且得出更均厚的光阻分布。其原理极为单纯：只是在真空转台上加装了跟着同步旋转的盖子。如此一来，等于强迫晶圆与盖子之间的空气跟着旋转，那么光阻上便无高转速差的粘性旋转拖曳作用。故光阻在被涂布时，其与周遭流体之相对运动并不明显，只是离心的彻体力

24、成效，使光阻稳固地、且是呈同心圆状地向外涂布。按照实际使用显示，GYRSET?只需一样涂布机的55%光阻用量。另外，其也可应用于厚光阻之涂布(厚度白数微米至数百微米不等)。受涂基板也可由晶圆改为任意的工作外型，而可不能造成边缘一大部份面积厚度不均的花花外貌。注厚光阻是新近进展出来，供微机电研究使用的材料，如旧M的SU-8系列光阻，厚度由数微米至100微米不等，以GYRSET?涂布后，通过严格的烘干程序，再以紫外线或准分子雷射(excimerlaser)进行曝光显影后，所得到较深遂的凹状图案，可供进一步周密电铸(electro-forming)的金属微结构成长填塞。这种加工程序又称为仿LIGA制

25、程(poormansLIGA),即异步X光之深刻模造术。蚀刻(Etching)蚀刻的机制，按发生顺序可概分为反应物接近表面、表面氧化、表面反应、生成物离开表面等过程。因此整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时刻，等因此扩散与化学反应两部份所费时刻的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓reactionlimited与diffusionlimitedJ两类蚀刻之分。1、湿蚀刻最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其阻碍被蚀刻物之蚀刻速率(etchingrate)的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(st

26、irring)之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提升蚀刻速率；但浓度之阻碍则较不明确。举例来讲，以49%的HF蚀刻SiO2,因此比BOE(Buffered-Oxide-Etch;HF:NH4F=1:6)快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，关于一样不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是选择性(selectivity),意指进行蚀刻时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质(如蚀刻掩膜；etchingmask,或承载被加工薄膜之基板；substrate)的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的蚀

27、刻系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之蚀刻掩膜或其下的基板材料。等向性蚀刻(isotropicetching)大部份的湿蚀刻液均是等向性，换言之，对蚀刻接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好蚀刻掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；只要蚀刻配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。然而有鉴于任何被蚀薄膜皆有其厚度，当其被蚀出某深度时，蚀刻掩膜图案边缘的部位渐与蚀刻液接触，故蚀刻液也开始对蚀刻掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这确实是所谓的下切或侧向腐蚀现象(undercut)。该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿蚀刻技术因之而无法应用在类似次

28、微米线宽的周密制程技术！(2)非等向性蚀刻(anisotropicetching)先前题到之湿蚀刻选择性观念，是以不同材料之受蚀快慢程度来讲明。然而白1970年代起，在诸如JournalofElectro-ChemicalSociety等期刊中，发表了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，专门是111方向，足足比100或是110方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率最慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。这部份将在体型微细加工时再详述。2、干蚀刻干蚀刻是一类较新型，但迅速为半导体工业所采纳的技术。其利用电浆（plasma）来进行半导体薄膜材料的蚀

29、刻加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001Torr的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采纳的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成蚀刻的目的。干蚀刻差不多上包括离子轰击（ion-bombardment有化学反应（chemicalreaction）两部份蚀刻机制。偏离子轰击效应者使用氯气（argon）,加工出来之边缘侧向腐蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体（如四氟化碳CF4）,经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。干蚀刻法可直截了当利用光阻作蚀刻之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其最重要的优点，能兼顾边缘侧向腐蚀现象极微与高蚀

30、刻率两种优点，换言之，本技术中所谓活性离子蚀刻（reactiveionetch；RIE）已足敷次微米线宽制程技术的要求，而正被大量使用中。（四）离子植入（IonImplantation）在扩散制程的末尾描述中，曾题及扩散区域之边缘所在，有侧向扩散的误差，故限制其在次微米制程上之应用。但诚如干蚀法补足湿蚀法在次微米制程能力不足一样，此地另有离子植入法，来进行图案更精细，浓度更为稀少精准的杂值搀入。离子植入法是将III族或IV族之杂质，以离子的型式，经加速后冲击进入晶圆表面，通过一段距离后，大部份停于离晶圆表面0.1微米左右之深度（视加速能量而定），故最高浓度的地点，不似热扩散法在表面上。只是因为

31、深度专门浅，一样依旧简单认定大部份离子是搀杂在表面上，然后进一步利用驱入（drive-in）来调整浓度分布，并对离子撞击过的区域，进行结构之修补。差不多上，其为一低温制程，故可直截了当用光阻来定义植入的区域。化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition;CVD)到目前为止，只谈到以高温炉管来进行二氧化硅层之成长。至于其它如多晶硅(poly-silicon)、氮化硅(silicon-nitride)、鸨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？差不多上仍是采纳高温炉管，只是因着不同的化学沉积过程，有着不同之工作温度、压力与反应气体，统称为化学气相沉积。既是化学反应，故免不了质

32、量传输与化学反应两部份机制。由于化学反应随温度呈指数函数之变化，故当高温时，迅速完成化学反应。换言之，整体沉积速率卡在质量传输(diffusion-limited);而此部份事实上随温度之变化，不像化学反应般敏锐。因此关于化学气相沉积来讲，如图2-11所示，提升制程温度，容易把握沉积的速率或制程之重复性。然而高制程温度有几项缺点：高温制程环境所需电力成本较高。安排顺序较后面的制程温度若高于前者，可能破坏已沉积之材料。高温成长之薄膜，冷却至常温后，会产生因各基板与薄膜间热胀缩程度不同之残留应力(residualstress)因此，低制程温度仍是化学气相沉积追求的目标之一，惟如此一来，在制程技术上

33、面临之咨询题及难度也跟着提升。以下，按着化学气相沉积的研发历程，分不简介常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、及电浆辅助化学气相沉积：1、常压化学气相沉积(AtmosphericPressureCVD;APCVD)最早研发的CVD系统，顾名思义是在一大气压环境下操作，设备外貌也与氧化炉管相类似。欲成长之材料化学蒸气白炉管上游平均流向硅晶，至于何以会沉积在硅晶表面，可简单地以边界层(boundarylayer)理论作定性讲明：当具黏性之化学蒸气水平吹拂过硅芯片时，硅芯片与炉管壁一样，差不多上固体边界，因着靠近芯片表面约1mm的边界层内速度之大量变化(由边界层外缘之蒸气速度减低到芯片表面之0速度)，

34、会施予一拖曳外力，拖住化学蒸气分子；同时因硅芯片表面温度高于边界层外缘之蒸气温度，芯片将释出热量，来供给被拖住之化学蒸气分子在芯片表面完成薄膜材质解离析出之所需能量。因此差不多上，化学气相沉积确实是大白然输送现象(transportphenomena)的应用。常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外若晶圆不采水平摆放的方式(太费空间)，薄膜之厚度平均性(thicknessuniformity)不佳。2、低压化学气相沉积(LowPressureCVD;LPCVD)为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显衍生沉积薄膜之厚度平均性咨询题；因为

35、平板边界层咨询题的假设已不合适，化学蒸气在通过第一片晶圆后，黏性流场赶忙进入分离(separation)的状态，逆压力梯度(reversedpressuregradient)会将下游的化学蒸气带回上游，而一团纷乱。在晶圆竖放于晶舟已不可免之情形下，降低化学蒸气之环境压力，是一个解决厚度平均性的可行之道。原先依定义黏性流特性之雷诺数观看，动力黏滞系数V随降压而变小，如此一来雷诺数激增，而使化学蒸气流淌由层流(laminarflow)进入紊流(turbulentflow)。有味的是紊流不易分离，换言之，其为一乱中有序之流淌，故尽管化学蒸气变得稀薄，使沉积速度变慢，但其通过数十片重重的晶圆后，仍无分

36、离逆流的现象，而保有厚度平均，甚至质地致密的优点。以800oC、1Torr成长之LPCVD氮化硅薄膜而言，其质地极为坚硬耐磨，也极适合蚀刻掩膜之用(沉积速度约20分钟0.1微米厚。)3、电浆辅助化学气相沉积(PlasmaEnhancedCVD;PECVD)尽管LPCVD已解决厚度平均的咨询题，但温度仍太高，沉积速度也不够快。为了先降低沉积温度，必须查找另一能量来源，供化学沉积之用。由于低压关于厚度平均性的必要性，开发低压环境之电浆能量辅助(电浆只能存在于100.001Torr下)，恰好补足低温环境下供能不足的毛病，甚至于辅助之电浆能量效应还高于温度之所施予，而使沉积速率高过LPCVD。以350

37、oC、1Torr成长之PECVD氮化硅薄膜而言，其耐磨之质地适合IC最后切割包装(packaging)前之爱护层(passivationlayer)使用(沉积速度约5分钟0.1微米厚。)PECVD与RIE两机台之运作原理极为相似，前者用电浆来辅助沉积，后者用电浆去执行蚀刻。不同之处在于使用不同的电浆气源，工作压力与温度也不相同。金属镀膜(MetalDeposition)又称物理镀膜(PhysicalVaporDeposition;PVD)，依原理分为蒸镀(evaporation)与溅镀(sputtering)两种。PVD差不多上都需要抽真空：前者在10-610-7Torr的环境中蒸着金属；后者

38、则须在激发电浆前，将气室内残余空气抽除，也是要抽到10-610-7Torr的程度。一样的机械式抽气帮浦，只能抽到10-3Torr的真空度，之后须再串接高真空帮浦(机械式帮浦当作接触大气的前级帮浦)，如：扩散式帮浦(diffusionpump)、涡轮式帮浦(turbopump)、或致冷式帮浦(cryogenicpump),才能达到10-610-7Torr的真空程度。因此，不同的真空帮浦规范牵涉到不同原理之压力计、管路设计、与价格。1、蒸镀蒸镀就加热方式差异，分为电阻式(thermalcoater)与电子枪式(E-gunevaporator)两类机台。前者在原理上较容易，确实是直截了当将预备熔融蒸发的金属以线材方式挂在加热鸨丝上，一旦受热熔融，因液体表面张力之故，会攀附在加热鸨丝上，然后慢慢蒸着至四周(包含晶圆)。因加热鸨丝耐热能力与供金属熔液攀附空间有限，仅用于低熔点的金属镀着，如铝，且蒸着厚度有限。电子枪式