双束扫描电镜HeliosNanolab600i使用手册

1、双束扫描电镜（ HeliosNanolab 600i）使用手册实验前，必须用超薄切片观察样品的质量。1. 先观察样品并设计一下样品切割拍照方案2. Link 样品先用 SEM 低倍找到样品再用高倍聚焦样品再回到低倍点link 使工作距离变到大约4(此时可以 Pt 沉积显示是绿色的)3. 调整样品的位置在 FIB 窗口观察：调整样品R，倾斜样品T，使样品与FIB 垂直（看不到白色侧面）4. Pt 沉积：先框选要切割的位置（ rectangle ），在 Pt heat cold 双击变 warm 后 再点成 ? 图标 (同时 Pt 沉积管进入 )Application Value ： Pt dep

2、， Z： 1.5m， 30kV, 9.3 nA 或更小， Start 开始沉积沉积完成后， Pt 沉积去掉（沉积管出） warm cold沉积层完成后，先切掉样品拍照面要观察表面沉积的炭层和Pt 层），（ clean cress section ，application value: Si, Z=15 m， 30kV， 47nA）（粗切可用大电流）切好后用SEM 界面观看是否是要观察的区域再进行下一步的操作5. 挖凹槽将要观察的样品两侧挖大约10 m 宽的 2 个凹槽（一定要 2 个分别挖槽）（ clean cress section，application value: Si, Z=15 m

3、， 30kV， 47nA）再切掉表面的一层（因为两面挖槽会溅射到表面）1)30 kV 2)2.5 nA(小电流可以精细的切割) 3)Z=15 4)cleaning cross section6.做标记将样品旋转R +180 度 , 使样品要切的面对着离子束在两个凹槽的右侧的做上扫描电镜拍照标记( 先 Pt 沉积一个方块, 再用离子束打一个环状结构或其他的图形，可以两个凹槽里都做不同的标记)做好标记后再转回原来的 R，然后再调整 focus 使 SEM和 FIB 的界面都清晰并且在界面的同一高度7.打开自动切割的的程序-Auto slice and viewG3（ 2）1）写一下用户名例如： L

4、iwen-20121015-normal2） next （ FIB 界面分辨率HFW 138m）3）软件右侧出现FIB 样品的界面（小黄框是用来选择要切割的位置的）High 10 mDepth 15mslicing current束流一般用2.5nAImage resolution 4 3要是设置 的标记时候1 mcreat-一般不用调整参数* 不改变参数就不用刷新了（做成的尽量在一个不妨碍样品切割的位置为好）4）next提示将样品两边抠出凹槽和选择切割位置这一步之前已经做了就把所有的都去掉就行了此时样品是与FIB垂直的，拍照时候应该将样品转到与SEM垂直（ T+38度）5）next image parameter（图片设置参数）刷新一下EB 4k4k, 3 s, 1 E.Aligment（刷新一下） autofocus Enable ACB只修改scan modereduced area切一下如果要找2 个位置的照片就