LED封装生产实习报告

1、一、实习目的与任务1 .了解全国LED封装产业的开展现状.2 .熟悉白光LED封装的整个流程,掌握LED封装的各项技术.3 .学会测量LED的各项参数,并对结果进行分析.4 .尝试着找出LED封装技术中存在的问题,提出改善LED性能的方法.5 .掌握LED的建模软件Tracepro及有限元分析软件Ansys6 .稳固所学的理论知识,把理论知识应用到实践中去.实二、实习原理习1.LED照明的开展概况发光二极管LED是由m-IV族化合物,如GaN氮化钱、GaAs神才艮化钱、GaP磷化钱、GaAsP磷神化钱等半导体材料制成的,其核心告是PN结.在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区复合

2、而发光,如图1所示.LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附着在一个支架上,是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来.如图2所示.>DiSEaiitceuigdeviceElecirouinCBoHoleinVB图1LED能带图图2LED结构示意图照明光源的开展经历了四个阶段：火焰、蜡烛和油灯、灯泡和光管、LED光源.LED是一种半导体发光器件.从小功率开展到今天的大功率,甚至集成化模组,其发光效率越来越高,被誉为新一代绿色光源.由于LED具有发光效率高,寿命长,体积小,重量轻,方向性好,响应速度快等一系列优点而广泛应用到照明的各个领域：大屏幕显示、背光照明手机、L

3、CD、普通照明路灯、室内灯.白光LED点燃了真正“绿色照明的光芒,被认为是21世纪最有价值的新光源；白光LED将取代白炽灯和日光灯成为照明市场的主导.工程白炽灯紧烹委荧光灯三基色釉直管荧光灯大功率LED2007年大功率LED3010年大功率LED2021年穗明就辜15601W6010C140灯具效率%477070nn92块合鼓率1微明,瓦7.3542705592127显色指数1W85B580859.索含量亳克05-1010-20000着的hr1Q0Q500060003DQ0D50000100000功率瓦俳格元,40鼠3元23瓦30元28瓦15元3瓦40元10瓦50元20瓦00元主海流明价格C元

4、/low瘫明10.231.17.6524254327.5小时1W0流明的鼻用电费.比元/康3177236502518表1各种光源性能的比较上表中所示为LED的各项性能与传统光源的比照情况,由于LED的大部分项性能优于传统光源,可以预测,在不久的未来LED将成为照明市场的主流产品之一.2 .中国LED封装产业的开展现状LED光电产业是一个新兴的朝阳产业,具有节能、环保的特点,符合我们国家的能源、减碳战略,从而获得很多的产业和市场需求,成为一道亮丽的产业开展风景.LED产业链总体分为上、中、下游,分别是LED外延芯片、LED封装及LED应用.作为LED产业链中承上启下的LED封装产业,在整个产业链

5、中起得无可比较的重要作用.另外中国是LED封装大国,据估计全世界80%数量的LED器件封装集中在中国.3 .LED封装的作用：1机械保护,以提升可靠性；2散热设计,以降低芯片结温,提升LED性能；3光学限制,提升出光效率,优化光束分布；4电气连接,包括与供电源的连接,以及电源限制等4 .LED封装的工艺流程导热或导电电极垂直结构,机械Encapsulml1周晶：将芯片焊接在支架或基板土2上,Kefli*rl»r2打金线：实现芯片与外电路的电涂覆荧光粉：混色实现白光出光4加透镜：机械保护、出光分布设计引线图3LED封装的工艺流程5.LED封装所用材料及方法1LED芯片LED功率与尺寸：

6、一般尺寸越大功率越大.额定电流350mA的1W芯片,大小约40M0mil,即约1x1mm；额定电流150mA的0.5W芯片,大小约20X20mil,即约0.5>0.5mm.124LED的发射波长为：/=o蓝光LED中央波长在蓝光455/460nm附近.EgLED芯片衬底有蓝宝石衬底传统、SiC衬底Cree专利、Si衬底未商业化.LED电极的结构分为垂直结构和水平结构.其中垂直结构的电流分布均匀性更优.2周晶焊料周晶的方法有：a.树脂粘贴法采用树脂粘合剂在芯片和封装体之间形成一层绝缘层或是在其中掺杂金属如金或银形成电和热的良导体.商业常用的是银胶.b.金属合金焊接法共晶焊接共晶焊接原理：在

7、共晶温度时能形成共晶的两种金属相互接触,经过互扩散后便可在其间形成具有共晶成分的液相合金,随时间延长,液相层不断增厚冷却后液相层又不断交替析出两种金属,每种金属一般又以自己的原始固相为根底而长大、结晶析出,因此两种金属之间的共品能将两种金属紧密地结合在起.共晶焊料锡/银/铜加热到230C左右,再冷却固化.焊接的方式分为：正装焊接和倒装焊接.本次实习所用固晶材料为银胶,焊接方式为正装焊接.图4全自动固晶机焊接过程中可能出现的问题有：a.Thevoid填充材料中留有孔洞、b.Theexfoliation界面层脱落、c.Poorbonding出现虚焊.因此在焊接过程中要克服这些问题.3打线打线采用超

8、声金丝球焊技术,本次实习使用超声波金丝球焊机进行打线.焊接原理：利用超声波摩擦原理来实现不同介质的外表焊接,是一种物理变化过程.首先金丝的首端必须经过处理形成球形,并且对焊接的金属外表先进行预热处理；接着金丝球在时间和压力的共同作用下,在金属焊接外表产生朔性变形,使两种介质到达可靠的接触,并通过超声波摩擦振动,两种金属原子之间在原子亲和力的作用下形成金属键,实现了金丝引线的焊接.图5超声波金丝球焊机4涂覆荧光粉常用荧光粉有Ce:YAG荧光粉其他的还有：氧化物荧光粉、硅酸盐荧光粉.荧光粉的激发光谱中央波长一般在455nm附近,和蓝光LED的中央波长相匹配.5封装所用材料的价钱芯片2-20元/块、

9、硅胶3-9元/g、荧光粉20-60元/g、支架大概是几毛钱一个.6.LED封装中的问题LED封装中共存在着四方面的问题：力、热、光、电.力的问题包括：a银胶/共晶焊接上金丝焊接,c封装胶应力模块封装中的力学问题.热的问题包括：a器件的导热,b模块的散热,c荧光粉热效应,d硅胶/环氧树脂的热问题.光的问题包括：a芯片出光,b荧光粉混光,c一次光学,d二次光学.电的问题包括：a芯片的电学,b器件的电学与驱动电路,d限制系统.热和光是LED封装中最为重要的两个问题.1热问题热问题主要包括热的产生、热的传导和热的发散等热物理过程以及热对热的产生:LED性能产生的影响.LED大约60%的功率转变为热量.

10、焦耳热,光的重新吸收,吸收发热.热的传导:热量在通道中的各层介质之间的传导o热的发散:热向环境的发放过程.LED封装中与热最直接相关的两个因素：固晶材料和封装基板.a.固晶材料不同的焊接材料对热阻有着不同的影响.高导热绝缘胶：热导率1W/m*K,厚度20um,热阻20K/W;导电银胶：热导率6W/m*K,厚度20um,热阻3.3K/W;共晶焊接：热导率3959W/m*K,厚度2um,热阻0.050.03K/W.结区粘接层导热胶热沉基板图6LED封装中热学模拟图b.封装基板目前常见的大功率LED封装基板有PCB、MCPCM金属覆铜板、A12O3陶瓷和A1N陶瓷.热导率W/mK膨胀系数ppm/K耐

11、热性能PCB0315300C/120s金属覆铜板1522288C/30s陶瓷基板氧化铝207500c氮化铝1805500c一踊展一蹦1解层二一金属踊一眺独图7金属覆铜板图8陶瓷基板高功率LED陶瓷封装技术主要可区分成厚膜陶瓷技术与积层陶瓷技术两种.陶瓷封装的优点：热导率高,导热性好,热阻低,热膨胀系数CTE与LED非常相近,热应力小,可靠性高,电绝缘性能高,抗干扰性强,抗弯抗压、化学稳定性好.陶瓷封装的缺点是本钱过高.传统高功率LED元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为芯片散热基板,再以打金线方式将LED芯片与陶瓷基板结合.代表产品为CREE公司的XLamp和OSRAM公司的OSLON.随着L

12、ED集成程度的提升,特别是大功率LED多芯片集成封装的开展,LED集成封装是未来开展的趋势,因此LED照明光源的热治理问题越来越严重.因此我们要寻找高散热系数的基板材料,以取代氧化铝.将LED芯片与其基板以共晶或覆晶的方式连结,大幅增加经由芯片至系统电路板之散热效率.综上所述,改善大功率LED热问题的一个重要的方向是寻找高热导率的周品方式和封装基板.2光问题LED的光问题包括出光效率、光色问题.出光效率与芯片结构如光子晶体、结温、封装结构如倒装、荧光粉如涂覆方式、反射杯和透镜密切相关.传统的白光LED中蓝光芯片和荧光粉是最重要的两种与光密切相关的材料.蓝光芯片影响发光的因素有：波长、强度、摆放

13、位置、电压、电流.荧光粉影响发光的因素有：种类、颗粒、光谱.涂覆方式和光色是与荧光粉关系最大的因素.白光LED有以下获得方法：1将红、绿、蓝三基色LED组成一个象素pixel可得到白光；2由蓝光LED芯片和可被蓝光激发的黄光荧光粉组成白光LED.最常用、商业化3将蓝光LED芯片和可被蓝光激发的绿光和红光荧光粉组成白光LED.4用紫外光LED芯片和可被紫外光激发而发射红、绿、蓝三基色荧光粉组成白光LED.5多量子阱"白光LED.本次生产实习所用的即是由蓝光LED芯片和可被蓝光激发的黄光荧光粉组成的白光LED.7.LED封装的光电测试对于完成封装的LED,进行相关的测量包括：?I-V测试

14、?光辐射功率与光通量?发光效率?光谱测量?色坐标、相关色温与显色指数?配光曲线光强分布?热阻测试1光通量单位：流明lm,流明的定义：波长为555nm绿光辐射通量为1/673W的单色的光通量.2发光效率定义：发光效率=光通量/电功率,单位：流明/瓦lm/W.3光谱测量激发光谱是指发光材料的某一发射光波长强度随激发光波长的变化.激发光谱说明了对发光起作用的激发光的波长范围.发射光谱是指发光材料在某一波长激发下,发光的能量随波长的变化.发射中央的结构激活离子的电子跃迁和所处的品格位置决定了发射光谱的形成.发射光谱按发射谱带的带宽一般可分为线谱带宽比较窄和带谱带宽比较宽o相对光电1.0-1.27wW/

15、nji0.8波"K(pm)图9相对光谱图6)CIE1931色度图CIE1931色度图是根据1931CIEXYZ系统绘制出来的.x色度坐标相当于红原色的比例,y色度坐标相当于绿原色的比例.图中没有z色度坐标,由于x+y+z=1.图10CIE1931色度图a.色坐标在C.I.E系统中,三个根本颜色被称为“根底鼓励,而一个颜色使用它的三色鼓励值(又称三刺激值)表示,三刺激值即为混合某一种颜色时所需的三个基色的数量,分别用X、Y、Z表示.在理论上,为了定量地表示颜色,采用平面直角色度坐标:x"XYZy"XYZZ"XYZx、v、z分别是红、绿、蓝三基色的比例系数,

16、x+y+z=1.为测量某光源(发光体)的色坐标,必须先测量其光谱组成的功率分布s(?),然后再查表找出各光谱的三刺激值x(mv(N、z(n,那么光源的三刺激值为:X=K"s()x(-)：'Y=KVs()y()：'Z=K<s()z(,)"式中K为调整因数,它是将发光体的Y值调整为100时得到的值.K_100K"s()y('该样品的色坐标为:xXYZyXYZb.相关色温由于光源的色度坐标很难做到恰好坐在黑体轨迹上,所以用与黑体轨迹最接近的颜色来确定该光源的色温,叫相关色温.相关色温是指与具有相同亮度刺激的颜色最相似的黑体辐射体的温度,用K

17、氏温度表示.C.显色指数光源对物体的显色水平称为显色性,是通过与同色温的标准光源下物体外观颜色的比较.当光源光谱中很少或缺乏物体在基准光源下所反射的主波时,会使颜色产生明显的色差.色差程度越大,光源对该色的显色性越差.白炽灯的显色指数定义为100,视为理想的基准光源.此系统以8种彩度中等的标准色样来检验,比较在测试光源下与在同色温的基准下此8色的偏离程度,以测量该光源的显色指数,取平均偏差值Ra20-100,以100为最高,平均色差越大,Ra值越低.低于20的光源通常不适于一般用途.LED为低显色指数光源.LED显色指数低的主要原由于缺少红光辐射.要改善LED的显色性,可以在白光光谱中参加红光

18、辐射.(0.3877,0.3703)CCT(K);3753.2Ra:956160140120100806040200400450500550600650700Wavelengthnm图ii加红光补充,提升显示指数7配光曲线定义：它是指光源或灯具在空间各个方向的光强分布电.平均北束角gem:163,BdE图12配光曲线8热阻测试芯片的结与PCB板间的热阻Rjb定义：稳态热阻-口外-P眠址其中,1为LED的节温,Tb为PCB板底部温度,灯为总输入电功率,曲曲【为出光功率三、实习步骤与内容1.日程安排1第一天:上午老师介绍LED的前景和实验原理,下午进行Tracepro软件光模拟和Ansys软件热模

19、拟.2第二天:上午进行周晶,并在废弃基板上练习打线；下午正式打线.3第三天：上午涂覆荧光粉,点胶；下午进行灌封保护透镜.4第四天：外电路连接,进行LED性能的各项测试.5第五天,思考总结.2.LED的Tracepro软件光学模拟设计1建立几何模型包括各局部几何尺寸及相对位置；a建立LED基板：先插入底部半径为10,长度为5的圆柱体,再插入圆锥为方便观察把视图“改为轮廓,圆柱体与圆锥体作差运算得基板；b插入芯片；c填充硅胶d生成透镜,用一长方体与球体作差集,作差集后整个LED系统建模完成；e参加观测屏；f为使系统显得更真实,可以改变其着色；2赋予光学属性发光类型、波长范围、折射率等；a反光杯属性

20、：选择reflector的Surface0,右击选属性"-在弹出框中选褰面-右边目录选dafault-名称选“mirror-应用.bLED芯片属性:选择Chip的顶面Surface4",右击选装面光源,设置参数;c硅胶透镜属性设置：同时选择Silicone和lens,右击属性"-材料-目录'plastic-名称acrylic一应用；进行光线追踪：追踪光线越少,时间越快,但精确度越低；光线越多,时间越长,但精确度越高；4模拟结果分析a发光角度分析：如图13,由于模型有环形对称性,所以四个角度代表的配光曲线重合,发光半角宽均为55度左右；b光斑分析：单击点选接

21、收面Screen的下外表Surface2",再选择辐照度分析图,设置适宜的参数即可得照度图,如图14.在照度图中可以分析入射总光通量、光照度最大值、最小值、平均值等.图13配光曲线图14照度图3.LED的热学模拟耗散的热量远小于芯片产生总热由于从芯片有源区一硅胶一透镜一空气,Dieattach量,于是忽略这一传热路径的所散掉的热量.JunctionIThermalgrease-hip.一HeatsinkBoard图15LED的热学模拟热学模拟的具体步骤如下：(1)新建实体零件“.拉伸画出实体并保存.文件的扩展名为.par.(2)将各实体零件装配.(3)保存为与ANSYS软件兼容的文件

22、.扩展名为x-to(4)选择要进行运算的地址与jobname.然后RUN；(5)导入所建文件.FILEimportPARA一选择所建文件；(6)选择热分析preference-thermal;(7)增力口元素类型preprocesor,elementtype,add,edit、delete>add、solid、brick8node70、OK、colse;(8)进行布尔运算.命令行输入命令vglue,all回车；(9)确定体号对应什么材料.实验中：2:导热胶-1.2;4:银胶-2.0;6:芯片-氮钱170；7：基板-al250;8:热沉-au390;然后输入材料属性.Preprocesor

23、、materialprops、materialmode、thermal、conductivity、isotropic输入热导率KXX.多种材料对应多种属性；(10)材料属性与体对应该.preprocesormeshingmeshattributes-pickvolumes.输入体,并与materialnumber下拉框的数字相对应；(11)戈U分网格.preprocesormeshingmeshtoolmeshpickall(忽略过程中弹出的所有warning之类的直到划分网格结束)；(12)定义负载与边界条件.preprocesorloaddefineloadapplythermalheat

24、generate(onvolume,输入代表芯片的体号,再为芯片定义热生成率0.8e10)/convenction；实验中：芯片6的生成率设为0.8e10W/mm3.基板底面6定义对流系数为30,对流气体温度定义为25;(13)进行运算.Solution-solve-currentLSOK；(14)结果显示.GeneralpostprocplotresultcontourplotnodalsoluDOFsolutionnodaltemperature;(15)显示各个体的结果.菜单栏中selectEntities第一个下拉框选中volume,第二个下拉框选中bynum/pick输入体号；然后再

25、菜单栏中SelectEntities-第一个下拉框选中Elements,第二个下拉框选中attachedtovoOKo之后再Generalpostprocplotresultcontourplotnodalsolu-DOFsolution-nodaltemperature.就可以显示出所选体的结果了.5TIF-LTIHX-i爵憎EMXfAWSYSJUL212021asiiSDssa图16LED的热学模拟图4.LED的封装过程4.1 周晶周晶的具体步骤为：(1)首先把银浆搅拌均匀,保证均匀的导电与导热性能.(2)把反射杯放在在显微镜下面,往聚光杯里注入适量的银胶.然后将芯片放入反射杯中,正面朝上

26、,并尽量使芯片的正负极和反射杯的正负极在同一方向上,以方便打线,再用小银子轻轻压一下,以防银胶与芯片之间出现缝隙,使两者问紧密接触.(3)最后把做好的反射杯放在1400c恒温烤箱中烘烤,一个小时后取出.在周晶过程中,要注意以下事项：(1)注意限制注入银胶量.银胶应涂覆成正方形,面积约等于芯片的面积.如果银胶量过多溢出,会造成PN结短路,结合层的阻值增大.另外如果银胶量少,那就无法起到粘结芯片的作用.(2)注意芯片要放在适宜的位置.理想的状态是把芯片放置在聚光杯的正中央,并尽量使芯片的正负极和反射杯的正负极在同一方向上,这样方便采光和打线.(3)注意限制好烘烤的温度及时间.温度过低我们就无法使银

27、胶固化,芯片与支架粘附不好,芯片可能会脱离.另外温度过高,产生应力大,体积电阻也相应发生变化.4.2 打线本次实习用超声波金丝球焊机进行打线.打线的具体步骤如下：(1)把样品放在超声波金丝球焊机的载物台上,并夹紧.整个打线过程是在显微镜下进行的.(2)先把焊头大概移到LED的电极上方,按下主操作键不放,焊头向下运动,调节高度调节旋钮,使焊头高度下降,使焊头精确对准LED的一个电极,然后再把焊头调高到适宜的高度.即焊头到达了一焊的瞄准位置.(3)松开主操作键,焊头快速向下运动,打在一焊的位置上,这样就把金丝的一端焊在了电极上.然后焊头向上运动,焊头处的金丝被烧出一个小球.(4)把焊头移到外引线槽

28、位置,按下主操作键不放,使焊头到达二焊瞄准位置,调好高度以后,松开主操作键,焊头打在二焊位置上,金丝的另一端就被焊到外引线槽上了,这样LDE芯片的电极和外引线槽就用金丝连接起来了.(5)为了预防虚焊,可在上面外引线槽金丝连接点位置大小一焊,移到焊头到外引线槽的另一位置打下二焊.(6)重复以上步骤,把LED的其它电极与外引线槽用金丝连接起来.打线过程中,我们要注意一下问题：(1)由于主操作键比较敏感,所按下主操作键后在打线前一定不能放,以防打在错误的位置.(2)打二焊时应该先把焊头拉到外引线槽的外边缘,使金丝拉长一定长度,然后焊头往里移,让金线形成拱形,以防金丝接触到反射杯的边缘,造成短路.(3

29、)为了预防虚焊,上面步骤6是必须的.(4)打好线后,不要用手接触LED的正面,样品要小心轻放,以防断线、塌丝和金丝碰到反射杯.4.3 点胶(涂覆荧光粉)涂覆荧光粉的具体步骤如下：(1)首先按1:8比例配制荧光粉.(2)然后把配制好的荧光粉慢慢地涂在已经打好线的芯片上.(3)最后先将已经涂上荧光粉的反射杯拿去抽真空半小时,然后再放入1400c的恒温烤箱中烘烤,一个小时后取出即可.在点胶过程中要注意荧光粉的涂覆要小心,以免损坏金丝或造成LED芯片短路；荧光粉的量要限制好,如过多,那么LED发光偏黄,如过少,那么LED发光偏蓝.4.4 灌封保护透镜灌胶的具体步骤如下：(1)先根据要求进行配胶,后将已

30、配好的胶搅拌均匀后置入真空枯燥箱内进行脱泡.(2)进行灌胶,使胶成半球形,形成保护透镜.(3)最后先将已灌好胶的反射杯拿去抽真空半小时,然后再放入140c的恒温烤箱中烘烤一小时,使胶固化.在灌胶过程中要注意一下事项：样品要放到真空烘箱中脱泡,预防保护透镜中残存气泡,影响发光；要限制好胶的量,假设过多,那么胶对光的吸收也多,应使保护透镜尽量成半球状,提升光的萃取率.5.LED的光电测试在测试之前首先要首先LED的外电路连接,在两极上分别焊上一条导线.封装好的LED光电测量包括：IV测试,发光效率,光谱测量,光辐射功率与光通量,色坐标、相关色温与显色指数,配光曲线光强分布,热阻测试.5.1 发光效

31、率,光谱测量,光辐射功率与光通量,色坐标、相关色温与显色指数的测量以上参数的测量所用设备装置如下列图所示.包括积分球、PMS-50增强型光谱分析仪、计算机光谱分析软件等图17LED光电测量设备连接好电品&后,把LED用胶紧密粘贴在积分球的入射窗口上,然后封好窗口,预防光漏出.电极的两条引线连接在测试仪上,翻开软件,点击运行软件,开始测试.软件测试完毕后在弹出的对话框中输入电流、电压、环境温度、湿度等参数,软件会自动算出发光效率,光谱测量,色坐标、相关色温与显色指数等各项参数.所得结果如下列图所示.略4.2 IV曲线测试利用同一套设备,改变LED的温度,测量LED在不同温度下的I-V特性

32、,即是不同电压下对应的电流值,结果如下表所示.表2不同温度下不同电压对应的电流值V/V22.52.82.852.933.13.23.33.43.630CI/mA010-30.030.0420.0550.0790.120.1570.1980.2410.3345CI/mA00.0010.0390.0520.0660.0980.1350.1740.2140.2570.34460CI/mA00.0020.0470.0610.0760.110.1480.1870.2280.2710.349由上表可用origin8.0做出LED的IV曲线如下列图所示:V/V图18LED的IV特性曲线4.3 LED的配光曲

33、线为了测量LED光强在各个方向上的分布,即配光曲线,采用如下列图所示的实验装置测试.通过LED的1800旋转,用光度计测量LED在不同方向上的光强分布.图19LED配光曲线测量装置所得结果如下列图所示：114life图20LED的配光曲线iQCrvii图21LED的三维光强分布4.4 LED的热阻测量由热阻的定义式飞匕二:号匕可知,LED热阻的测试首先要测试LED的结温,即工作状态下LED的芯片的温度.本次测试采用电压法测量LED的节温,其主要思想是：特定电流下LED的正向压降Vj与LED芯片的温度Tj成线性关系,所以只要测试到两个以上温度点的Vj值,就可以确定该LED电压与温度的关系斜率Ko

34、有了K曲线,先使LED正常稳定工作在350mA的电流下,然后通过5mA的脉冲电流,测量实时的Vj值,就可以计算出芯片的结温Tj.实验测得的正向压降Vj与LED芯片的温度Tj的数值如下表所示.表3正向压降Vj与LED芯片的温度TjTj/C35404550556065707580Vj/V2.5322.5242.5132.5072.4992.4912.4842.4752.4682.46Tj/c859095100105110115120125Vj/V2.4532.4452.4372.432.4222.4142.4062.3982.391测得的K曲线如下列图所示:wy*k3CPllbr9tlnPlot-

35、口)wn+dlLHdbBJUw一：图22K曲线用origin8.0线性拟合得到的方程为Tj=129.91-5.0Vj实验测得的稳态热阻如下表：表4LED的热阻Vj(V)Tj(C)Tr(C)Power(W)Rjx(C/W)2.54133.225.11.2096.648其中Vj=2.541V为实时的电压值,由上面测出的K曲线Tj=129.91-5.0Vj可以算出LED的节温Tj=33.2C,Tr=25.1为环境温度,Power=1.209W为LED的热功率,由口工可以算出LED的稳态热阻总热阻为Rjx=6.648C/W.R1rP5.总结与结论1从上面数据可知,LED的辐射通量|e=192.9mW,

36、光通量小=66.52lm,光效P=51.78lm/W,而现在厂家所做的LED的光效可以到达100lm/W以上,这说明我们的LED封装得还不够好.主要原因有：我们四个电极中打线时只打了两个,导致电流分布不均匀,影响光效；固晶和灌胶时胶的量可能没限制好,银胶中可能存有气泡,导致银胶的导热性能变差,进而影响光效；也有可能是LED芯片本身的原因,如生长得不好,存在缺陷等.(2)实验测得的色坐标为：x=0.3298,y=0.4911,由x+y+z=1可得,z=0.1791.相关色温为T=5606K,这在白光LED所要求的范围以内.蓝光的色温为20000K以上,蓝光通过荧光粉后,变LED发出白光,其主波长

37、与平均波长增大,相关色温减小到5606K.光源的光谱决定光源的色度坐标,相关色温和显色指数.(3)封装好的LED的显色指数仅为67.8,由LED的光谱可以看出,LED显色指数低的原因是缺少红光辐射,为了得到高显色性的LED光源,可在白光光谱中参加红光辐射.(4)由图18.LED的IV曲线可以看出,LED在到达开启电压之前电流为0,不工作,到达开启电压以后,电流随电压的增大而成指数关系增大.温度对LED的IV特性有着明显的影响,温度越高,在相同的电压下,电流越大,即是LED的IV特性曲线往左移.(5)由图20.LED的配光曲线可知,LED的空间光强分布近似为朗伯分布,在LED垂直正方向,即8=0

38、°时,光强最大,在8=60°时光强约为最大值的一半.影响LED光强分布的主要因素是透镜的形状及其曲率半径,其它因素有透镜的折射率、放射杯的形状及反射率等.(6)实验测得的LED的热阻为Rjx=6.648C/W,根本符合要求.由于LED的结温只能间接测出,因此测得的热阻与实际热阻可能有一定误差.影响LED热阻的主要因素是固晶材料和封装基板.要减小LED的热阻,就要改善LED的散热性能,共晶焊接和陶瓷封装有利于获得小的热阻,从而提升LED的效率和寿命.四、实习心得与体会经过一周的LED封装生产实习,我不仅对LED封装的理论知识有了深入的了解,而且真正地把理论知识用到实践中,自己动手把LED封装好,并对LED性能进行了检测,加深了对理论知识的理解,锻炼了自己的动手水平.在第一天早上理论知识白学习中,我了解了LED照明的应用前景,全面学习了LED封装的整个流程,包括封装的方法、所用材料、考前须知等,比较深入地理解了LED封装中存在的主要问题是热和光.止匕外,我们还学会了怎样测试LED的各项参数.由于理论是应用和实践的根底,理论指导实践,第一天理论的学习对后面几天的LED封装生产实习至关重要.第一天下午光学和热学的软件模拟,使我明白了模拟主要分为建模、赋予属性、计算和最后的结果分析四个根本步骤,并了解了各个过程的具体方