NOR,SRAM,SDRAM,NAND结构和容量计算

1、NORflash,NANDflash,SDRAM结构和容量分析1.NORflash结构和容量分析例如：HY29LV160。引脚分别如图：孙切可叩”All|孙川中|咿I411NC诩"RES£TNCNC叫叫晒响胡I叩I皿|叩|邪|则mnrrn14TSOP48mnnroZUB>1L=S1-S-J.1)11111171tvI5-1J1312?S-0D-r小岫峋叫叫叫叫wlMI%WIKI同KlIgMI峋呜OE>%CEt明FHPPPREUEUrFPFFPFE20T，曲叫项D01<4MALX-r）帕WE：RESET!EYTE=帅5；h1RY'BYi4ffHY29

2、LV160有20根地址线，16位的数据线所以：容量=220（地址线）X16（数据位数）bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM简单介绍SRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上S

3、RAM存储器要占用一部分面积。SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存(CacheMemory);另一种是插在卡槽上的COAST(CacheOnAStick)扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片146818的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在PentiumCPU就有所谓的L1Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词，一般L1Cache是内建在CPU的内部，L2Cache是设计在CPU的外部，但

4、是PentiumPro把L1和L2Cache同时设计在CPU的内部，故PentiumPro的体积较大。最新的PentiumII又把L2Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。OSRAM使用的系统：OCPU与主存之间的高速缓存。OCPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。OCPU外部扩充用的COAST高速缓存。O

5、CMOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。主要用途：SRAM主要用于二级高速缓存(Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存(cache).SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,异步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的C

6、SRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(corecellsarray),彳T/列地址译码器(decode),灵敏放大器(SenseAmplifier),控制电路(controlcircuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。3.SDRAM结构和容量分析SDRAM基础知识SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory,同步动态随机存取存储器。同步是指Memory

7、工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM,第三代DDR2SDRAM,第四代DDR3SDRAM.第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号，第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。SDRSDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据

8、读写速率也为100或133MHz。之后的第二，三，四代DDR(DoubleDataRate)内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为2.7G。DDR的读写频率从DDR200至UDDR400,DDR2从DDR2-400至UDDR2-800,DDR3从DDR3-800至UDDR3-1666。例如：HY57V641620:HY57V641620引脚分布：表M2引脚信号描近引0名称描述CLK时耕石片时於维人工CKE对鼾使能片内时斜信

9、号控制.CS户选禁上疝便能除CLK、UKE工DQV外涧所有典人信轨Bao*Qa生地址近押阳于片内4个组的增祥.AllAO地址总修,例址山11-4匹列地址1一丁口*1总比T充电好志IALORASiCAS,WE个地址领存虹地址领存写便能嬖:匕:臣女值其/RAS，/CAS和怎定义相应的操柞.LDQM-LDQY文鸣I。星触在二支式F理刽等、爆；“在写嗅式卜群藤沟人致梆DQkDQrt数掘总嵯显据裁入输出引脚VTJDVSS电幽地内部也菊度渣川避冲屯地VDDQVSSQ电那他输出黝-电湄，地SC未连接HY57V641620有12根地址线。但要注意：SDRAM的行地址和列地址是公用这12根地址线的。行地址：A1

10、1A0,列地址：A7A0。RAS#行地址锁存有效时，地址为行地址，A11A0oCAS#列地址锁存有效时，地址为列地址，A7A0。HY57V641620有两个Bank地址。AB1,BA0,用于片内4个组BanK的选择。HY57V641620有16位数据总线：DQ15DQ0。所以HY57V641620的容量计算公式是：容量=212（行地址）X28（列地址）X16（数据位数）X22（片内bank数）bit=220X16X4bit=1MX2X4Byte=8MB4.NANDflash结构和容量分析NANDFLASH和NORFLASH的区另fjNANDFLASHE对大容量的数据存储需要中日益发展，到现今，

11、所有的数码相机、多数MP3播放器、各种类型的U盘、很多PDA里面者B有NANDFLASH勺身影。1. Flash的简介NORFlash：程序和数据可存放在同一片芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机地读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。NANDFLASH以页为单位进行读写操作，1页为256B或512B;以块为单位进行擦除操作，1块为4KR8KB或16KB具有快编程和快擦除的功能数据、地址采用同一总线，实现串行

12、读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bitcost)最低的固态存储器芯片存储位错误率较高，推荐使用ECC校验，并包含有冗余块，其数目大概占1%当某个存储块发生错误后可以进行标注，并以冗余块代替SamsungTOSHIB街口Fujistu三家公司支持采用NANDJj术NANDFlash。目前，Samsung公司推出的最大存储容量可达8GbitoNANDi要彳乍为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIAATA#、固态盘的存储介质，并正成为Flash磁盘技术的核心。2. NANDFLASK口NORFLASH勺比较1） 性能比较flash闪存是

13、非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任彳flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAN谭件执行擦除操作是十分简单的，而NORW要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NO谭件时是以64128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4m4执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NO街口NADN1间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR勺单元中进行。这样，

14、当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 NOR的读速度比NANDi快一些。 NAND的写入速度比NO映很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR勺5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。2） 接口差别NORflash带有SRA限口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAN端件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，共用8位总线(各个产品或厂商的方法可能各不相同)。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NANDt和写操作采用512字节的页和32KB的块为单位，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND

15、）勺存储器就可以取代硬盘或其他块设备。3） 容量和成本NANDflash的单元尺寸几乎是NO谭件的一半，由于生产过程更为简单，NAND吉构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格，大概只有NOR勺十分之一。NORflash占据了容量为116MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8128MB的产品当中，这也说明NORfc要应用在代码存储介质中，NANDg合于数据存储，NAN匪CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC?储卡市场上所占份额最大。4） 可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF

16、勺系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NORWNAND勺可靠性。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR勺擦写次数是十万次。NAN*储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAN四尺寸要比NO谭件小8倍，每个NAN*储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。5） 位交换（错误率）所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND生的次数要比NO尊），一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就

17、可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正（EDC/ECC瘴法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND勺供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/EC第法。这个问题对于用NAN*储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC（统以确保可靠性。6） 坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAN需件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。现在的FLSAH一般都提供冗余块来代替坏块如发现某个块的数据发生错

18、误（ECC校验），则将该块标注成坏块，并以冗余块代替。这导致了在NANDFlash中，一般都需要对坏块进行编号管理，让每一个块都有自己的逻辑地址。7） 易于使用可以非常直接地使用基于NOR）勺闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAN嚷复杂得多。各种NAN瑞件的存取方法因厂家而异。在使用NAN瑞件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAN渊件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAN瑞件上自始至终都必须进行虚拟映射。8） 软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算

19、法的软件，包括性能优化。在NO喘件上运行代码不需要任何的软件支持，在NANDB件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序（MTD）,NANDNO襦件在进行写入和擦除操作时都需要MTD使用NO襦件时所需要的MT国相对少一些，许多厂商都提供用于NO儒件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAN皿存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。在掌上电脑里要使用NANCFLASH储数据

20、和程序，但是必须有NORFLASHt启动。除了SAMSUNG理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NANDFLASHY动程序。因此，必须先用一片小的NORFLASH启动机器，在把OS等软件从NANDFLASK入SDRA成运行才行。9） 主要供应商NORFLASH勺主要供应商是INTEL,MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但现在被NANDFLAS挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵。NANDFLASH勺主要供应商是SAMSUNG东芝，在U盘、各种存储卡、MP箍放器里面的都是这种FLASH由于工艺上的不同，它比NORFLASIffi

21、有更大存储容量，而且便宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NANDFLAS俳常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。Nand-flash存储器是flash存储器的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量资料的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP34身听记忆卡、体积小巧的U盘等。内存和NOR1闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND1闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就

22、类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND1闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。NAN理闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时

23、，则每个块包含64个页，容量128KR每颗NANE®闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）X8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A勺芯片就是64Mx16bit的NANE®闪存，容量1Gb,基本数据单位是（256+8）X16bit,还是512字节。寻址时，NAN例闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干

24、组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND1闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND©闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。和磁盘类似，NANDFlash读写数据的基本粒度为页（page）,然而读、写数据所需的时间却不一样，一般写入时间是读出的3到10倍。止匕外，Flash不允许数据的直接覆盖写，必须首先擦除旧有数据才能写入新的，而擦除的粒度为

25、块（block）,通常一个块包含有64个页。擦除的速度是很慢的，而且每一块的擦除次数也有限，平均为100万次。下面将给出一个例子来具体说明NANDFlash的特点。下面是三星K9K8G08U0MK片的Flash组织结构图。512KPages(=8,192Blocks)1Block=64Pages.(128K+4k)Byte1Page=(2K+64)Bytes1Block二12K+54)Bx64Pages=(128K+4K)Bytes1Device=(2K+64)Bx64Pagesx8r192Bic=Bh44&Mbits8bit2KEJytes64BytesNANDFlash组织结构图从

26、图中可以看出，整个Flash的容量为8448Mbit,其中含有8192个物理块，每块包含64个页，每页除了2K的数据区之外，还有64字节的额外空间（又成为OOB用于存放错误校验码等信息。除了Flash的主体，我们还可以看到一个一页大小的数据寄存器。事实上，每一次Flash的读写操作都需要使用这个寄存器来完成。例如，读操作实际上分成两个阶段，首先是把指定地址中的整页数据载入到寄存器中（时间为20微秒），然后再从寄存器输出数据，可以连续输出，也可以根据指定偏移量随机输出，且随机输出的次数不限（每个字节的输出周期为20纳秒）；而写操作也分为两个阶段，第一阶段是把数据从外界输入到寄存器，可以整页输入，

27、也可以随机输入，且随机输入的次数不限，每字节的输入周期也是20纳秒，第二阶段便是把寄存器中的数据固化到Flash上，时间为200微秒，每一页原则上只能有一次固化操作，然而大部分NANDFlash（如本例）允许在同一页中的几个片断按照先后顺序分几次写入，本例中为4次，这种情况叫做partialpageprogramming。除了partialpageprogramming,NANDFlash还有另外一种有意思的操作，也和数据寄存器相关，叫做copy-back。就是说，当某个数据页需要被复制到新的位置时，只需将其载入到数据寄存器中，然后根据接收到的目标地址将该页数据固化到Flash上新的位置，这样

28、就省去了整页数据在寄存器和RAM之间的输入输出过程。另外，在数据被载入到寄存器之后，Flash允许程序使用随机输入数据的方式改写该页的部分内容，然后再固化到目标位置。NAND基础知识cell:NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell,一般来说，一个cell中只能存储一个bit。Bitline：这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline,形成所谓的byte（x8）/word（x16）,这就是NANDDevice的位宽。这些Line会再组成Page.NANDflash,largepage大小为2048字节，Smallpage为512字节Nandflash以页为

29、单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：BlockAddress|PageAddress|ColumnAddress对于NANDFlash来讲，地址和命令只能在I/O7:0上传递，数据宽度是8位。而数据位可以是8位，或者16位，是根据IO的口的数量来决定的。NANDFLASH主要以页（page）为单位进行读写，以块（block）为单位进行擦除。FLASH页的大小和块的大小因不同类型块结构而不同，块结构有两种：小块（图7）和大块（图8）,小块NANDFLASH包含32个页，每页512+16字节；大块NANDFLASH包含64页，每页2048+64字节。其中，

30、512B（或1024B）用于存放数据，16B（64B）用于存放其他信息（包括：块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等）。NAND设备的随机读取得效率很低，一般以页为单位进行读操作。系统在每次读一页后会计算其校验和，并和存储在页内的冗余的16B内的校验和做比较，以此来判断读出的数据是否正大块和小块NANDFLASH都有与页大小相同的页寄存器，用于数据缓存。当读数据时，先从NANDFLASH内存单元把数据读到页寄存器，外部通过访问NANDFLASHI/O端口获得页寄存器中数据（地址自动累加）；当写数据时，外部通过NANDFLASHI/O端口输入的数据首先缓存在页寄存器，写命令发出后才

31、写入到内存单元中。NandFlash有多种结构(1)下面针对三星K9F1208U0M,页面为512byte,IO数据为8位K9F1208U0M:512Mbit=64MByte。1Block=16KByte,Numberof(block)=40961Block=32Page1Page由3个分区，mainarea的两个分区，和sarearea三个分区组成1Page=528Byte=512Byte(MainArea)+16Byte(SpareArea)用户数据保存在mainarea中首先，必须清楚一点，对于NANDFlash来讲，地址和命令只能在I/O7:0上传递,数据宽度可以是8位或者16位，但是

32、，对于x16的NANDDevice,I/O15:8只用于传递数据。512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1sthalf和2ndhalf,各自的访问由所谓的pointeroperation命令来选择，也就是选择了bit8的高低。因此A8就是halfpagepointer（这是我给出的一个名字）,A7:0就是所谓的columnaddress。A8这一位地址被用来设置512byte的1sthalfpage还是2ndhalfpage,0表示1st,1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。A8是由硬件寄存器决定的。选择哪半个page

33、是由IO传输的命令控制的。具体参照datasheet,如下图：PointerOperationofK9K1G08X0A(X8)SamsungNANDFlashhasthreeaddresspointercommandsasasubstituteforthetwomostsignificantcolumnaddresses00h')mmandsetsthepointerto'A'area(0-255byte).01h*commandsetsthepointerto*BarB3(256*511byte),arxi'50h*commandsetshspointerto

34、*Carea(512-527byte).Withthesecommands,thestartingcolumnaddresscanbesettoanyofawhole；929(0-527byte).*00h*or'50h*rssustaineduntilanotheraddresspointercommandsmputtad.*01h*command,hoover,tseffectivemlyforoneoperaton.AfteranyoperationofRead.Program.Erase,Reset.Pnver_Upisexecutedoncewrth*01h'comm

35、and,theaddresspointerreturnsto*A*areabyitself.Toprogramdatastartingfrom'A'or*Carea,*00h*or'50h*commandmustbeinputted»fore'83h'commandiswritten.Acomptetereadoperationpriorto'80h*commandisnotnecessary.ToprogramdatastartingfromB'mrea,01h'8mmandmustbeinputtedbefore&#

36、39;80h'8Emandgwritten.CommandPointerpositionAreaOOh0-255byte1sthalfarray(A)01h256-511byte2ndhalfarray(B)50h512-527bytesparearray(C)Table2.DestinationofthepointerWaea(OOrare)a*ea(01noae)(SO-3y金)256Byte256Byte16ByteJ1.N|廿|C|iirraA!ps”2Poma，aeect!co*n*PaEdpOn.Olh.50)28=256byte256bytex2=512byte（A8）3

37、2个page需要5bit来表示，占用A13:9,即该page在块内的相对地址，即pageaddress。25=32page（一个block有32个page）Block的地址是由A14以上的bit来表示，例如512Mb的NAND,共4096block,因止匕，需要12个bit来表示，即A25:14,如果是1Gbit的528byte/page的NANDFlash,贝blockaddress用A26:14表示。226-14+1）=8192blocks（总共有这些block）226-9+1+27-0+1）=226=67108864page（总共有这些pages）在编程上面可以这样：NANDFlash的

38、地址表示为：BlockAddress|PageAddressinblock|halfpagepointer|ColumnAddress地址传送顺序是ColumnAddress,PageAddress,BlockAddress。例如一个地址：0x00aa55aa00000000101010100101010110101010由于地址只能在I/O7:0上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbitx8的NANDflash,地址范围是00x3FF_FFFF,只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR为例：第1步是传递columnaddress,就是NAND_AD

39、DR7:0,不需移位即可传递到I/O7:0上，而halfpagepointer即bit8是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage上进行读写，而真正的bit8的值是don'tcare的。第2步就是将NAND_ADDR右移9位，将NAND_ADDR16:9传到I/O7:0上。第3步将NAND_ADDR24:17放到I/O上。第4步需要将NAND_ADDR25放到I/O上。因此，整个地址传递过程需要4步才能完成，即4-stepaddressing。如果NANDFlash的容量是32Mbit以下，那么，blockadress最高位只到bit24,因此寻址只需要3步。地址传递例子说明

40、：(1)对64MB,8位的nandflash来说：(4096个块，需要12位来表示)A25:14A13:9A7:0-BlockAddress-PageAddress-ColumnAddress故：第一次直接传A7:0;第二次将A16:9右移9位,再传它；第三次将A24:17右移17位,再传它；第四次将A25右移25位，再传它。因此，整个地址传递过程需要4步才能完成，即4-stepaddressing。对32MB,8位的nandflash来说：(2048个块，需要11位来表示)-BlockAddressA24:14-PageAddressA13:9-ColumnAddressA7:0故：第一次直

41、接传A7:0;第二次将A16:9右移9位,再传它；第三次将A24:17右移17位，再传它。以三星K9F1208flash为例，总容量=4096blocks*32(page/block)*512(byte/page)=64M即1block=32pages;1page=512byte(dataarea)+16bye(aparearea)=528bye读命令有两个，分别是Read1,Read2其中Read1用于读取DataField的数据，而Read2则是用于读取SpareField的数据。对于NandFlash来说，读操作的最小操作单位为Page,也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该

42、位置开始，连续读取到本Page的最后一个Byte为止(可以包括SpareField)要定位到flash中的某个byte地址要用到一下4个地址：1、ColumnAddress-表示数据在半页中的地址，大小范围为0255，用8位可以表示即A7:02、halfpagepointer-表示半页在整页中的位置，即在0255空间还是在256511空间，用1位即可表不，A8表不；3、PageAddress-表示页在块中的地址(即此页在此块中是第多少页，在031中选)，大小范围031,用5位表示，即A13:9表示；4、BlockAddress-表示块在flash中的位置(即此块在flash中的位置-编号，在0

43、4095中选)，大小范围04095,用12位可以表示，即A25:14表示；综上，要想定位到flash上的某一个byte需要将上面的四种地址拼合在一起形成完整的地址，地址(NAND_ADDR)完整表示如下:A25:14A13:9A8A7:0BlockPageAddresshalfpagepointerColumnAddressAddress由于地址只能在I/O7:0上传递，因此A25:0即26为地址只能分步顺序传入I/O7:0中，即串行方式一步一步传入。第一步、传递ColumnAddress,即NAND_ADDR7:0不需移位即可传递到I/O7:0上，而halfpagepointer即bit8是

44、由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage上进行读写。而真正的bit8的值是don'tcare的。K9F1208提供了两个读指令，0x00''0x01。'这两个指令区别在于0x00CT以将A8置为0,选中上半页；而0x0何以将A8置为1,选中下半页。第二步、将NAND_ADDR右移9位，即NAND_ADDR16:9传递至UI/O7:0第三步、将NAND_ADDR再右移8位，NAND_ADDR24:17放至UI/O上第四步、将NAND_ADDR再右移8位，将NAND_ADDR25放至UI/O上四步后，整个地址传递完成，即4-stepaddressing-4

45、个cycle（二）下面针对，页面为256word（同为512byte）,IO数据为16位x16DEVICESBlock=32PagesPage=264Words（256+8）由于一个page的mainarea的容量为256word,仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1sthalfpage和2ndhalfpage之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候bit8完全不用管，地址传递仍然和x8器件相同。除了，这一点之外，x16的NAND使用方法和x8的使用方法完全相同。Table8、AddressDefinitionsAddressDefinitionA0-A7Colui

46、nnAddressA9A26PageAddressA9.A13AddressmBlockA14-A26BlockAddressASABissetLoworHighbythe00h0r0*+Connand,andisDon'tCareink!6devices256word需要8bit来表示，刚好A0A7的8位地址就够用了，所以不存在halfpage之说。Read1对于16位的device来说只有00H的命令，而没有01H的命令。而访问的区域只存在mainarea和sparearea。因datasheet是8位和16位公用的，所以setcommands的表格跟8位是一样的，只是01H的命令

47、对于16位的无效。具体如何参照datasheet,如下图：PointerOperationofK9K1G16X0A(X1SamsungNANDFlashhastwopointeroammanidlssetsubstitutefatthemostsignificantralumriaddress'30h'oammamdthepqrnterto'&and'50h'command辱thepointertoS'mrealN56Withthe&sMmmands.thesgrtingmlumn事dd目马号力匕目«.sttoafaA&

48、#39;h3isp3g&2-2B3Anrd)."00h!or53h'iaftLis.taiTHjuntilanioififlir3ddrswpaimtsrcam-mandmpustal.Tapragramdatastartmgfrom'A"or1Baraa.'33ti'a50h_csnmandmiifitbsinputtedbfffbre93h-sarnTnandie'A'rit-tan.Acornpteneadap9ratianprOrto93hcommaind乐no1力二目51slairy.CommandPDint

49、arpositionAra00h50h0-255Jvard25G=263wjrdmairii3TT3y(A)sparearray(B)Table3.Destinationofthepointer二DO".25=32page（一个block有32个page）Block的地址是由A14以上的bit来表示，例如512Mb的NAND,共4096block,因止匕，需要12个bit来表示，即A25:14,如果是1Gbit的528byte/page的NANDFlash,贝blockaddress用A26:14表示。226-14+1=8192blocks（总共有这些block）2（26-9+1）=

50、226=2097152page（总共有这些pages）其他诸如地址传递等与16位是一样的。可以参照8位的进行修改移用。12BKPa;es:±204fiBlocks)Figure2.K9F2G08XOAArrayOrganization2K0ylss64Byta（三）下面针对，页面为2Kbyte,IO数据为8位iBiock=4PasesI126KE*1Page2K+&4出产伯士1Stock=12K+64i0k6aPa;s=I13AK+4KJ日晔1口白m白=(2K+64iBx的白岩x2£-6B=2.11：Mbitsl.'O0I/OiI/O21.031/041.05I/O6MO?1stCycleAcAiA2A3AiA5AfiAt2naC种电AlAaA暗A11*L*L-L'L3rmCycleAllAuAyA-5AuAitAtSAi34tnCycleA2JA21A22A23A24AmAzeA2?5thCycleAza*LL*L*L*L，L*LNOTECa_r"A.H，。5a.Slid4二巴99oft七Rmmal*r.*LTjflt»3则2二内“"T*:tvc*gym白芍azztos-口/ofBzzp*sacyr*5