电子元器件基础知识半导体器件

1、资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：AN型信材料、BP型褚材料、C-N型硅材料、DP型硅材料。表示三极管时：APNP型楮材料、B-NPN型铸材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P普通管、V-微波管、卬-稳压管、C-参量管、Z-整

2、流管、L-整流堆、S一隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F<3MHz,PclW）、G一高频小功率管（f3MHz,Pc（1W）、D一低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）>A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W）>T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y一体效应器件、B雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT一半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG一激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由

3、五至七部分组成.通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、卜二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、-一侬此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.ATMEL代理A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、FP控制极可控硅、GN控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应

4、管、M-双向可控硅.第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数一从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示番件用途的类型。JAN一军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)一非军用品。第二部分：用数字表示pn

5、结数目。1一二极管、2二三极管、3三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字一该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档.A、B、C、D、同一型号器件的不同档别.如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN一军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国

6、家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A器件使用材料的禁带宽度Eg=O。61。OeV如楮、B一器件使用材料的Eg=1.0l。3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>l。3eV如珅化银、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如睇化钢、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征.A检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、I氐频大功率三极管、E一隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合黠件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍

7、尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、s一小功率开关管、T一大功率晶闸管、U一大功率开关管、X一倍增二极管、Y一整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。贴片留电容第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E-一一一表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。wxq$#除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电

8、压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、士15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V,代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值.2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特.5 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP楮高频小功率三极管。

9、五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法.第一部分：。-表示半导体器件第二部分:A一二极管、C三极管、AP光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。第四部分:A、B、C-表示同一型号器件的变型产品。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍。一、半导体二极管参数符号及其意义CT势垒电容Cj结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，错检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压电容Cjo零偏压结电容Cjo/Cjn结电容变化Cs管壳电容或封装电容Ct总电容CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定

10、电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数Cvn标称电容IF正向直流电流（正向测试电流）.错检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值)，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；留电容封装测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)正向平均电流IFM(IM)正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。li发光二极管起辉电流IFRM正向重复峰值电流IFSM正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io整流电流。在特

11、定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-一光电流或稳流二极管极限电流ID暗电流2 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除IB2单结晶体管中的基极调制电流IEM发射极峰值电流IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流ICM最大输出平均电流IFMP正向脉冲电流IP峰点电流IV谷点电流IGT晶闸管控制极触发电流IGD一一晶闸管控制极不触发电流IGFM控制极正向峰值电流IR(AV)反向平均电流IR（In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负

12、载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM反向峰值电流IRR晶闸管反向重复平均电流IDR晶闸管断态平均重复电流IRRM-一反向重复峰值电流IRSM一一反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）2 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除Irp反向恢复电流Iz稳定电压电流（反向测试电流）.测试反向电参数时，给定的反向电流Izk稳压管膝点电流IOM最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许

13、连续通过楮检波二极管的最大工作电流IZSM稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF正向总瞬时电流iR一一反向总瞬时电流ir-反向恢复电流lop工作电流Is稳流二极管稳定电流f频率n电容变化指数；电容比Q优值(品质因素)6vz-稳压管电压漂移di/dt通态电流临界上升率dv/dt通态电压临界上升率PB承受脉冲烧毁功率PFT(AV)正向导通平均耗散功率PFTM正向峰值耗散功率PFT正向导通总瞬时耗散功率Pd耗散功率PG门极平均功率PGM门极峰值功率PC一控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK最大开关功率PM额定功率。硅二极管结温不高于150度所

14、能承受的最大功率PMP最大漏过脉冲功率PMS最大承受脉冲功率Po一一输出功率PR反向浪涌功率Ptot总耗散功率Pomax最大输出功率Psc连续输出功率3 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除PSM不重复浪涌功率PZM最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)正向微分电阻。在正向导通时，留电容电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量正向电流相应增加I,则/：称微分电阻RBB双基极晶体管的基极间电阻RE射频电阻RL负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th

15、)jc结到壳的热阻r6衰减电阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间tfr正向恢复时间3 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除tg电路换向关断时间tgt门极控制极开通时间Tj结温Tjm最高结温ton开通时间toff-关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts一一存储时间tstg温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数Xp发光峰值波长人光谱半宽度n单结晶体管分压比或效率VB反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VB2B1一一基极间电压VBE10发射极与第一基极反向电压VEB饱和压降VFM最大正向压降（正向峰值电压）VF正向压降（正向直流电压）VF正向压降

16、差VDRM断态重复峰值电压VGT门极触发电压AVX锂电容VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGRM门极反向峰值电压VF(AV)正向平均电压Vo交流输入电压V0M最大输出平均电压Vop工作电压Vn中心电压Vp峰点电压VR反向工作电压(反向直流电压)VRM-反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)-一击穿电压4 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除Vth阀电压（门限电压）VRRM反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM反向工作峰值电压Vv谷点电压Vz稳定电压Vz稳压范围电压增量Vs通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av电压温度系数Vk-一膝点电压（稳流二极

17、管）VL极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc集电极电容Ccb集电极与基极间电容Cce发射极接地输出电容Ci-输入电容Cib共基极输入电容Cie共发射极输入电容Cies共发射极短路输入电容Cieo一一共发射极开路输入电容4 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除Cn-中和电容（外电路参数）Co输出电容Cob共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe共发射极输出电容Coeo共发射极开路输出电容Cre共发射极反馈电容Cic一一集电结势垒电容CL负载电容（外电路参数）Cp并联电容（外电路参数）BVcbo一一发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo基

18、极开路,CE结击穿电压BVebo-一集电极开路EB结击穿电压BVces基极与发射极短路CE结击穿电压BVcer-一基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D占空比fT特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE一一共发射极静态电流放大系数hlE共发射极静态输入阻抗hOE共发射极静态输出电导hRE共发射极静态电压反馈系数hie共发射极小信号短路输入阻抗hre-共发射极小信号开路电压反馈系数hfe共发射极小信号短路电压放大系数hoe共发射极小信号开路输出导纳IB基极直流电流或交流电流的平均值Ic-一集电极直流电流或交流电流的平均值IE一一发射极直流电流或交流电流的平均值I

19、cbo基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，TI代理集电极与发射极之间的反向截止电流lebo基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流leer基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流Ices发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流5 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除Icex一一发射极接地，基极与发射极间

20、加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值ICMP集电极最大允许脉冲电流ISB二次击穿电流IAGC正向自动控制电流Pc集电极耗散功率PCM集电极最大允许耗散功率Pi一输入功率Po输出功率Pose振荡功率Pn-噪声功率Ptot总耗散功率ESB二次击穿能量rbi基区扩展电阻（基区本征电阻）rbb，Cc基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe发射极接地，在规定VCE、1

21、c或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE外接发射极电阻（外电路参数）5 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除RB外接基极电阻（外电路参数）Rc外接集电极电阻（外电路参数）RBE外接基极一发射极间电阻（外电路参数）RL负载电阻（外电路参数）RG信号源内阻Rth热阻Ta环境温度Tc管壳温度Ts结温Tjm最大允许结温Tstg-贮存温度td延迟时间tr上升时间ts存贮时间tf下降时间ton开通时间toff关断时间VCB集电极一基极（直流）电压VCE集电极-发射极（直流）电压VBE-基极发射极（直流）电压VCB0基极接地,发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条

22、件下的最高耐压VEB0-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCE0发射极接地，基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER发射极接地，基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES一一发射极接地,基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp穿通电压。VSB二次击穿电压VBB基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc一一集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE（sat）发射极接地

23、，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VBE（sat）-一发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）31 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除VAGC-正向自动增益控制电压Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值Vn噪声电压Cj结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下，错检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压电容Cjo零偏压结电容Cjo/Cjn结电容变化Cs-一管壳电容或封装电容Ct总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数Cvn标称电容IF一一正向直流电流（正向测

24、试电流）。错检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）正向平均电流IFM（IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流.Ii发光二极管起辉电流IFRM-一正向重复峰值电流1() / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除IFSM正向不重复峰值电流(浪涌电流)1。-一整流电流。在特定线路中规定频率和规定电

25、压条件下所通过的工作电流IF(ov)一一正向过载电流IL光电流或稳流二极管极限电流ID暗电流IB2单结晶体管中的基极调制电流IEM发射极峰值电流IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流ICM最大输出平均电流IFMP正向脉冲电流IP峰点电流IV谷点电流IGT晶闸管控制极触发电流IGD一一晶闸管控制极不触发电流IGFM控制极正向峰值电流IR(AV)反向平均电流IR(In)反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；

26、稔压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM反向峰值电流IRR晶闸管反向重复平均电流IDR晶闸管断态平均重复电流IRRM-一反向重复峰值电流7 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除IRSM反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk稳压管膝点电流IOM最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过楮检波二极管的最大工作电流IZSM稳压二极管浪涌电流IZM一一最大稳压电流.在最大耗散功

27、率下稳压二极管允许通过的电流iF正向总瞬时电流iR反向总瞬时电流ir-反向恢复电流lop工作电流Is稳流二极管稳定电流f频率n电容变化指数；电容比Q优值(品质因素)6Vz稳压管电压漂移di/dt-一通态电流临界上升率dv/dt通态电压临界上升率PB承受脉冲烧毁功率PFT(AV)一-正向导通平均耗散功率PFTM正向峰值耗散功率PFT正向导通总瞬时耗散功率Pd耗散功率1() / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除PG门极平均功率PGM门极峰值功率PC控制极平均功率或集电极耗散功率Pi输入功率PK最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP

28、最大漏过脉冲功率7 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除PMS最大承受脉冲功率Po输出功率PR反向浪涌功率Ptot总耗散功率Fornax最大输出功率Psc连续输出功率PSM不重复浪涌功率PZM最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)一一正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量正向电流相应增加：!,则/I称微分电阻RBB双基极晶体管的基极间电阻RE射频电阻RL负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja一一结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻r

29、6衰减电阻r(th)一一瞬态电阻Ta一一环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间12 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除tfr正向恢复时间tg电路换向关断时间tgt门极控制极开通时间Tj结温Tjm最高结温ton开通时间toff关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度a温度系数入P发光峰值波长人一一光谱半宽度n-单结晶体管分压比或效率VB反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VB2B1基极间电压VBE10发射极与第一基极反向电压VEB饱和压降最大正向压降（正向峰值电压）VF正向压降（正向直流电压）VF正向压降差VDRM断态重复峰

30、值电压11 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除VGT门极触发电压VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF(AV)正向平均电压Vo交流输入电压V0M最大输出平均电压12 / 50资料内容仅供您学习参考，如有不当之处，请联系改正或者删除Vop工作电压Vn中心电压Vp峰点电压VR反向工作电压（反向直流电压）VRM一反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压Vth阀电压（门限电压）VRRM反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM反向工作峰值电压Vv谷点电压Vz稳定电压Vz稳压范围电压增量Vs通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av电压温度系数Vk一一膝点电压（稳流二极管）VL极限电压三、场效应管参数符号意义Cds漏一源电容Cdu漏一衬底电容Cgd栅-源电容Cgs漏-源电容Ciss栅短路共源输入电容Coss栅短路共源输出电容Crss栅短路共源反向传输电容D占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-一电流上升率（外电路参数）dv/dt电压上升率（外电