MOSFET参数及其测试方法

1、参数类别（物理特征）：1、漏源电压系列1.1、V(BR)DSS：漏源击穿电压1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压1.4、dV/dt：二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列2.1、VGS(TH)：开启电压2.2、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数2.3、V(BR)GSS：漏源短路时栅源击穿电压2.4、VGSR：反向栅源电压3、其它电压系列3.1、Vn：噪声电压3.2、VGD：栅漏电压3.3、Vsu：源衬底电压3.4、Vdu：漏衬底电压3.5、Vgu：栅衬底电压二、电流类参数1、漏源电流系列1.1、ID：最大DS电流1.2、ID

2、M：最大单脉冲DS电流1.3、IAR：最大雪崩电流1.4、IS：最大连续续流电流1.5、ISM：最大单脉冲续流电流1.6、IDSS：漏源漏电流2、栅极电流系列2.1、IGSS：栅极驱动（漏）电流2.2、IGM：栅极脉冲电流2.3、IGP：栅极峰值电流三、电荷类参数1、Qg：栅极总充电电量2、Qgs：栅源充电电量3、Qgd：栅漏充电电量4、Qrr：反向恢复充电电量5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd6、Coss：输出电容=Cds+Cgd7、Crss：反向传输电容=Cgd四、时间类参数1、tr：漏源电流上升时间2、tf：漏源电流下降时间3、td-on：漏源导通延时时间4、td-off：漏源关断延

3、时时间5、trr：反向恢复时间五、能量类参数1、PD：最大耗散功率2、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数3、EAR：重复雪崩能量4、EAS：单脉冲雪崩能量六、温度类参数1、RJC：结到封装的热阻2、RCS：封装到散热片的热阻3、RJA：结到环境的热阻4、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数5、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数七、等效参数1、RDSON：导通电阻2、Gfs：跨导=dID/dVGS3、LD：漏极引线电感4、LS：源极引线电感参数详解1.1、V（BR）DSS：漏源击穿电压（也称BVDSS、VDSS）定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特

4、定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。属性：V(BR)DSS是正温度系数，温度高时，漏源击穿电压比温度低时要大。通常以25时的漏源击穿电压为标称电压。实际击穿电压通常略大于标称电压。测试线路：图1测试方法：1、按规范选取VCC2值、设定栅极连接方式、连接测量仪表、调整ID。2、室温下夹取被测管放入测试座，监控ID，读取VDSS。3、连续调节ID，并同步记录VDSS，即可测得VDSS_ID特性曲线。1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压1.4、dV/dt：二极管恢复电压上升速率2.1、VGS（TH）：开启电压（又称VTH）

5、定义：所加的栅源电压能使流过漏极电流达到一个特定值时的电压值。属性：VGS（TH）是负温度系数，这就意味着当温度上升时，功率管会在更低的栅源电压下开启。测试线路路与测试方法参考VDSS测试。2.2、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数2.3、V(BR)GSS：漏源短路时栅源击穿电压2.4、VGSR：反向栅源电压3.1、Vn：噪声电压3.2、VGD：栅漏电压3.3、Vsu：源衬底电压3.4、Vdu：漏衬底电压3.5、Vgu：栅衬底电压4.1、ID：最大DS电流4.2、IDM：最大单脉冲DS电流4.3、IAR：最大雪崩电流4.4、IS：最大连续续流电流4.5、ISM：最大单脉冲续流电流4.

6、6、IDSS：漏源漏电流5.1、IGSS：栅极驱动（漏）电流5.2、IGM：栅极脉冲电流5.3、IGP：栅极峰值电流5.4、IGDO：源极开路时的截止栅电流5.5、IGSO：漏极开路时的截止栅电流6.1、Qg：栅极总充电电量6.2、Qgs：栅源充电电量6.3、Qgd：栅漏充电电量6.4、Qrr：反向恢复充电电量6.5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd6.6、Coss：输出电容=Cds+Cgd6.7、Crss：反向传输电容=Cgd7.1、tr：漏源电流上升时间7.2、tf：漏源电流下降时间7.3、td-on：漏源导通延时时间7.4、td-off：漏源关断延时时间7.5、trr：反向恢复时间8.1、PD：最大耗散功率8.2、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数8.3、EAR：重复雪崩能量8.4、EAS：单脉冲雪崩能量9.1、RJC：结到封装的热阻9.2、RCS：封装到散热片的热阻9.3、RJA：结到环境的热阻9.4、dV(BR)DSS/dTJ