《数字电子技术基础》第2章.集成逻辑门技术

1、2.1 2.1 半导体晶体管的开关特性半导体晶体管的开关特性2.2 TTL2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路2.4 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路2.5 2.5 改进型改进型CMOSCMOS门电路门电路第第2 2章章 集成逻辑门技术集成逻辑门技术2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题2.7 VHDL2.7 VHDL的并行和结构行为的并行和结构行为第第2 2章章 集成逻辑门技术集成逻辑门技术 在逻辑电路中，常用高、低电压，即高、低电平在逻辑电路中，常用高、低电压，即高、低电平表示数字逻辑运算中的表示数字逻辑运算中的“逻辑逻辑

2、1”1”或或“逻辑逻辑0”0”。一。一定范围电压的输入信号，其代表的逻辑电平不会改定范围电压的输入信号，其代表的逻辑电平不会改变，即高电平或低电平代表一定的电压范围。变，即高电平或低电平代表一定的电压范围。2.1 2.1 半导体晶体管的开关特性半导体晶体管的开关特性2.1.1 逻辑电平3.3.浅饱浅饱和状态和状态2.2.饱和状态饱和状态4.4.开关时间开关时间1.1.截止截止状态状态2.1 2.1 半导体晶体管的开关特性半导体晶体管的开关特性2.1.2 三极管（TTL）开关特性 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)是

3、金属氧化物场效应是金属氧化物场效应晶体管。参与导电的载流子只有一种（电子或空穴晶体管。参与导电的载流子只有一种（电子或空穴) )，故称为单极型器件，由单极型器件组成的基本门电路故称为单极型器件，由单极型器件组成的基本门电路称为单极型逻辑门电路。称为单极型逻辑门电路。2.1 2.1 半导体晶体管的开关特性半导体晶体管的开关特性2.1.3 MOS管开关特性2.1 2.1 半导体晶体管的开关特性半导体晶体管的开关特性图图2.1.5 2.1.5 双极型晶体管开关电路双极型晶体管开关电路2.2.可变电阻区可变电阻区1.1.截止区截止区 3. 3.开关时间开关时间2.1 2.1 半导体晶体管的开关特性半导

4、体晶体管的开关特性 该电路由三部分组成：输入级、中间级和输出该电路由三部分组成：输入级、中间级和输出级。输入级由晶体管级。输入级由晶体管VTVT1 1、二极管、二极管VDVD1 1和基极电阻和基极电阻R R1 1组组成。输入端的二极管成。输入端的二极管VDVD1 1是钳位二极管，一方面可以是钳位二极管，一方面可以抑制输入端可能出现的负向干扰脉冲，另一方面防抑制输入端可能出现的负向干扰脉冲，另一方面防止输入电压为负时止输入电压为负时VTVT1 1的发射极电流过大，的发射极电流过大，VDVD1 1起到起到保护保护VTVT1 1的作用。中间级由的作用。中间级由VTVT2 2、R R2 2和和R R3

5、 3组成，它是一组成，它是一个反相器，从个反相器，从VTVT2 2的集电极的集电极C C2 2和发射极和发射极E E2 2上可以分别上可以分别获得两个相位相反的电压信号，供给输出级使用。获得两个相位相反的电压信号，供给输出级使用。输出级由输出级由VDVD2 2、VTVT4 4、VTVT5 5和电阻和电阻R4R4组成。组成。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路2.2.1 标准TTL非门1.TTL1.TTL非门电路结构非门电路结构图图2.2.1 TTL2.2.1 TTL非门电路图非门电路图 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路1 1）输入端接低电平）输

6、入端接低电平2 2）输入端接高电平）输入端接高电平 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路2.TTL2.TTL非门工作原理非门工作原理 （1 1）在输出由低）在输出由低电平转向高电平变化电平转向高电平变化的瞬间，的瞬间，VTVT4 4和和VTVT5 5同同时导通，加速时导通，加速VTVT5 5管脱管脱离饱和状态。离饱和状态。（2 2）推拉电路结）推拉电路结构降低了非门的输构降低了非门的输出电阻，减小对负出电阻，减小对负载电容的充电时间。载电容的充电时间。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路3.TTL3.TTL非门工作速度非门工作速度1 1）电压传输特

7、性）电压传输特性 非门的电压传输特非门的电压传输特性是指非门输出电压性是指非门输出电压u uo o与输入电压与输入电压u ui i之间的关之间的关系，即系，即 的的函数关系。函数关系。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路4.TTL4.TTL非门电气特性及主要参数非门电气特性及主要参数2 2）阈值电压、输出高低电平、）阈值电压、输出高低电平、开门电平、关门电平和噪声容限开门电平、关门电平和噪声容限 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路3 3）输入特性）输入特性（1）输入短路电流IIS。（2）低电平输入电流IIL。（3）输入漏电流IIH（或称高电平输入

8、电流）。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路4 4）输入负载特性）输入负载特性 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路 图图2.2.6 TTL2.2.6 TTL非门输入负载非门输入负载5 5）扇入系数）扇入系数N Ni i和扇出系数和扇出系数N NO O 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路6 6）功耗）功耗 功耗是门电路的重要参数之一，功耗有空载功耗是门电路的重要参数之一，功耗有空载导通功耗导通功耗P PONON和空载截止功耗和空载截止功耗P POFFOFF两个参数。两个参数。 空载截止功耗空载截止功耗P POFFOFF指的是

9、输出端开路、输入指的是输出端开路、输入端接地或接低电平。端接地或接低电平。 空载导通功耗空载导通功耗P PONON指的是输出端开路、输入端指的是输出端开路、输入端悬空或接高电平、悬空或接高电平、VTVT5 5导通时的电源电流导通时的电源电流I ICCLCCL与电与电源电压源电压U UCCCC的乘积。的乘积。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路7 7）平均传输延迟时间）平均传输延迟时间 在在TTLTTL电路中，由于三极管的结电容和输入、电路中，由于三极管的结电容和输入、输出端的寄生电容使输出波形发生了畸变和延输出端的寄生电容使输出波形发生了畸变和延迟，并由于基极电荷的消散

10、，使较为理想的输迟，并由于基极电荷的消散，使较为理想的输入矩形波的电压信号通过门电路变为比输入信入矩形波的电压信号通过门电路变为比输入信号滞后、波形上升沿和下降沿不再陡峭的输出号滞后、波形上升沿和下降沿不再陡峭的输出电压。称输出波形滞后输入波形的时间为平均电压。称输出波形滞后输入波形的时间为平均传输延迟时间，它是表示门电路开关速度的参传输延迟时间，它是表示门电路开关速度的参数。数。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路1 1）输入端全）输入端全部接高电平部接高电平 2 2）输入端至少）输入端至少有一个接低电平有一个接低电平 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本

11、逻辑门电路2.2.2 基本和复合TTL逻辑门1.TTL1.TTL与非门电路与非门电路图图2.2.9 TTL2.2.9 TTL与非门电与非门电路路 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路图图2.2.11 TTL2.2.11 TTL或非门电路图或非门电路图 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路2.TTL2.TTL或非门电路或非门电路图图2.2.12 2.2.12 与或非门电路与或非门电路 图图2.2.122.2.12是是7474系系列与或非门标准电路。列与或非门标准电路。不难看出，该电路只是不难看出，该电路只是将图将图2.2.112.2.11或非门电或非门

12、电路中的每个输入端改用路中的每个输入端改用多发射极三极管。由于多发射极三极管。由于三极管多发射极之间，三极管多发射极之间，即即A A、B B之间或之间或C C、D D之间之间实现与逻辑运算，因此实现与逻辑运算，因此图图2.2.122.2.12可以实现与可以实现与或非逻辑运算。或非逻辑运算。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路3.TTL3.TTL与或非门电路与或非门电路2.2.13TTL 2.2.13TTL 异或门电路异或门电路 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路4.TTL4.TTL异或门电路异或门电路1 1）电路结构与工作原理）电路结构与工作原理

13、图图2.2.15 2.2.15 集电极开路与非门集电极开路与非门 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路5.TTL5.TTL集电极开路与非门（集电极开路与非门（OCOC门）门）2 2）外接负载）外接负载R RL L3 3）OCOC门的应用门的应用（2 2）最小负）最小负 载电阻载电阻R RLminLmin。（1 1）最大负）最大负 载电阻载电阻R RLmaxLmax。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路1 1）TTLTTL三态门的工作原理三态门的工作原理 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路6.TTL6.TTL三态输出逻辑门（三

14、态输出逻辑门（TSLTSL）门门2 2）TTLTTL三态门的应用三态门的应用（1)1)实现总线结构。实现总线结构。（2 2）实现双向数据）实现双向数据 传输。传输。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路图图2.2.23 74H2.2.23 74H系列与非门电路系列与非门电路 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路7.TTL7.TTL快速系列（快速系列（74H74H系列）系列） 图图2.2.24 74S2.2.24 74S系列与非门电路系列与非门电路 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路8.TTL8.TTL肖特基系列（肖特基系列（7

15、4S74S系列）系列） 74LS74LS系列与非门电路（见图系列与非门电路（见图2.2.262.2.26）与图）与图2.2.92.2.9与非门电路比较，与非门电路比较，电路中采用多种措施，以达到缩短传输延迟时间、降低功耗的目的。电路中采用多种措施，以达到缩短传输延迟时间、降低功耗的目的。9.TTL9.TTL低功耗肖特基系列（低功耗肖特基系列（74LS74LS系列）系列） （1 1）为了缩短传输）为了缩短传输延迟时间，电路中使用延迟时间，电路中使用肖特基管和有源泄放电肖特基管和有源泄放电路，另外，还将输入级路，另外，还将输入级的多发射极管改用的多发射极管改用SBDSBD代代替，由于替，由于SBD

16、SBD没有电荷存没有电荷存储效应，因此有利于提储效应，因此有利于提高电路的工作速度。高电路的工作速度。 （2 2）为降低功耗）为降低功耗，提高了电路中各电，提高了电路中各电阻的阻值，将电阻阻的阻值，将电阻R R5 5原来接地的一端改接原来接地的一端改接到输出端，以减小到输出端，以减小VTVT3 3导通时电阻导通时电阻R R5 5上的功上的功耗。耗。 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路表表2.2.2 TTL2.2.2 TTL系列产品及其特点系列名称特点系列产品及其特点系列名称特点 2.2 TTL 2.2 TTL基本逻辑门电路基本逻辑门电路10.TTL10.TTL集成电路产

17、品集成电路产品 图图2.3.12.3.1是典型是典型ECLECL或或/ /或非门逻辑电路，由于电或非门逻辑电路，由于电路中路中VTVT3 3管的输入信号是通管的输入信号是通过发射极电阻过发射极电阻R R5 5耦合过来耦合过来的，故发射极耦合逻辑电的，故发射极耦合逻辑电路名称由此而得。路名称由此而得。2.3.1 发射极耦合逻辑（ECL）门电路1.ECL1.ECL门电路工作原理门电路工作原理 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路图图2.3.1 ECL2.3.1 ECL或或/ /或非门电路或非门电路 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路necessity 1 1）偏置电路）偏置电路3

18、 3）输出级）输出级2 2）输入级）输入级 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路1 1）开关）开关速度高速度高2 2）逻辑）逻辑功能强功能强3 3）负载）负载能力强能力强2.ECL2.ECL逻辑门电路的工作特点逻辑门电路的工作特点 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路图图2.3.42.3.4（a a）所示是）所示是I I2 2L L非非门电路结构。电路由一个门电路结构。电路由一个PNPPNP管管VTVT1 1和一个和一个NPNNPN型多集型多集电极管电极管VTVT2 2组成。组成。VTVT1 1构成恒构成恒流源电路，流源电路，VTVT2 2构成反相器，构成反相器，VTVT2 2

19、各集电极之间相互隔离。各集电极之间相互隔离。通过通过RERE和和RCRC连接到电源连接到电源UEUE。图图2.3.42.3.4（a a） I I2 2L L非门电路非门电路2.3.2 集成注入逻辑（I2L）门电路1.1.I I2 2L L非门电路的工作原理非门电路的工作原理 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路Diagram 2Diagram3Diagram 2Diagram 31 1）I I2 2L L与非门与非门 3 3）I I2 2L L异或门异或门2 2）I I2 2L L与或非门与或非门 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路2.2.其他其他I I2 2L L门电路门电

20、路1 1）I I2 2L L与非门与非门 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路2 2）I I2 2L L与或非门与或非门图图2.3.6 I2.3.6 I2 2L L与或非门与或非门 将两个将两个I I2 2L L与非门与非门输出线与，就可以实输出线与，就可以实现与或非逻辑，如图现与或非逻辑，如图2.3.62.3.6所示。所示。 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路3 3）I I2 2L L异或门异或门2.3.7 I2.3.7 I2 2L L异或门异或门 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路 2.3 2.3 其他类型门电路其他类型门电路3.I3.I2 2 L L门电路的主

21、要特点门电路的主要特点 CMOS CMOS反相器结构反相器结构 1 1）CMOSCMOS反相器工作原理反相器工作原理 2 2）CMOS反相器传输特性反相器传输特性 3 3）CMOS反相器噪声容限反相器噪声容限4)4) CMOSCMOS反相器传输延迟时间反相器传输延迟时间 5 5） 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路1.CMOS1.CMOS反相器反相器2.4.1 CMOS基本单元1 1）CMOSCMOS反相器结构反相器结构 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路2 2）CMOSCMOS反相器工作原反相器工作原理理 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻

22、辑门电路3 3）CMOSCMOS反相器传输特性反相器传输特性图图2.4.3 CMOS2.4.3 CMOS反相器电压传输特性反相器电压传输特性 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路4)CMOS4)CMOS反相器噪声容限反相器噪声容限 随着电源电压随着电源电压U UDDDD的的增加，噪声容限也相应增加，噪声容限也相应地变大。在地变大。在U UDDDD固定的情固定的情况下，低电平噪声容限况下，低电平噪声容限U UNLNL和高电平噪声容限和高电平噪声容限U UNHNH始终相等。始终相等。 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路5 5）CMOSCMOS反相器传输延迟时间

23、反相器传输延迟时间 尽管尽管CMOS反相器在工作过程中不会反相器在工作过程中不会像像TTL电路那样发生载流子的聚集和消散，电路那样发生载流子的聚集和消散，但是由于集成电路内部电阻、容性负载的但是由于集成电路内部电阻、容性负载的影响等多种原因，影响等多种原因，CMOS反相器仍然会产反相器仍然会产生传输延迟。生传输延迟。 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路图图2.4.4 CMOS2.4.4 CMOS传输门传输门 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路2.CMOS2.CMOS传输（传输（TGTG）图图2.4.6 CMOS2.4.6 CMOS与非门与非门 2.4 C

24、MOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路1.CMOS1.CMOS与非门和或非门电路与非门和或非门电路2.4.2 其他CMOS逻辑门电路 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路 （3 3）图）图2.4.62.4.6与非门逻辑原理电路与非门逻辑原理电路中，输入端的扇入系数直接影响输出电中，输入端的扇入系数直接影响输出电压值（高、低电平），扇入系数为压值（高、低电平），扇入系数为n n，就，就是是n n个串联的驱动管，输出低电平的电压个串联的驱动管，输出低电平的电压值就是值就是n n个个NMOSNMOS管导通时管导通时UDSUDS压降之和。压降之和。若若n n个输入全是低电平时，

25、就是个输入全是低电平时，就是n n个负载个负载管并联，使负载电阻变小，输出高电平管并联，使负载电阻变小，输出高电平电压值变高。电压值变高。 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路1 1）输入端）输入端A A和和B B信号相同信号相同2 2）输入端）输入端A A和和B B信号相异信号相异 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路2.CMOS2.CMOS同或门同或门 CMOS 2CMOS 2选选1 1数据选择电路如图数据选择电路如图2.4.112.4.11所示，由一个所示，由一个CMOSCMOS反相器反相器和两个和两个CMOSCMOS传输门组成。传输门组成。图图2.4

26、.11 22.4.11 2选选1 1数据选择电路数据选择电路 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路3.CMOS 23.CMOS 2选选1 1数据选择器数据选择器 两个普通CMOS与非门输出端直接并联如图2.2.14连接一样。电源、导通的PMOS、导通的NMOS和地之间形成一个低阻通路，产生一个很大的电流，就像普通TTL电路并联一样。图图2.4.12 OD2.4.12 OD输出与门输出与门 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路4.CMOS4.CMOS漏极开路门电路（漏极开路门电路（ODOD门门) )图图2.4.13 CMOS2.4.13 CMOS三态门三态门1

27、 1图图2.4.14 CMOS2.4.14 CMOS三态门三态门2 2 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路5.CMOS5.CMOS三态门三态门1 1）噪声容限高）噪声容限高2 2）功耗低）功耗低3 3）抗辐射能力强）抗辐射能力强4 4）集成度高、）集成度高、温度稳定性好温度稳定性好5 5）电源利用率高）电源利用率高6 6）电路的）电路的扇出系数大扇出系数大7 7）电源取）电源取值范围宽值范围宽8 8）易受静态干扰）易受静态干扰 2.4 CMOS 2.4 CMOS逻辑门电路逻辑门电路6.CMOS6.CMOS逻辑门特点逻辑门特点图图2.5.1 CMOS2.5.1 CMOS反相器

28、的寄生电容反相器的寄生电容2.5 2.5 改进型改进型CMOSCMOS门电路门电路2.5.1 高速CMOS门电路图图2.5.2 Bi-CMOS2.5.2 Bi-CMOS非门电路图非门电路图2.5 2.5 改进型改进型CMOSCMOS门电路门电路1.Bi1.Bi- -CMOSCMOS非门非门2.5.2 双极型CMOS门电路 Bi-CMOS与非门电路组成如图2.5.3所示。和非门电路相比，输出方式是一样的，只是MOS逻辑功能器件的连接不同。2.5.3 Bi-CMOS2.5.3 Bi-CMOS与非门电路与非门电路2.5 2.5 改进型改进型CMOSCMOS门电路门电路2 2.Bi.Bi- -CMOS

29、CMOS与与非门非门表表2.5.2 CMOS2.5.2 CMOS集成电路各系列的主要技术参数参数集成电路各系列的主要技术参数参数2.5 2.5 改进型改进型CMOSCMOS门电路门电路2.5.3 CMOS门电路主要参数表表2.6.1 TTL2.6.1 TTL和和CMOSCMOS门电路的输入、输出特性参数电路种类门电路的输入、输出特性参数电路种类2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题2.6.1 不同系列电路的接口问题1 1）电源电压相同）电源电压相同2 2）电源电压不同）电源电压不同 2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题1.TTL1.TTL系列驱动系列驱动CMOSC

30、MOS系列系列 用CMOS门驱动TTL门，将不能保证CMOS规定的输出低电平。可以选择多种方案来解决这个问题。 （1）采用驱动门并联的方式，提高驱动门的带负载能力。 （2）采用增加一级CMOS驱动器的方法，如选择同相驱动器CC4010，电路如图2.6.2（a）所示。 （3）采用漏极开路的CMOS驱动器CC40107，可驱动10个74系列负载门,如图2.6.2（b）所示。 （4）采用分立元件驱动电路作为4000系列CMOS电路和74系列电路的跨接电路，使电流放大，从而驱动TTL负载门，其电路如图2.6.2（c）所示。2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题2.CMOS2.CMOS系列

31、驱动系列驱动TTLTTL系列系列图图2.6.2 CMOS2.6.2 CMOS门驱动门驱动TTLTTL门门2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题 电气系统有的器件所需的工作电压和工作电流比较大，即使微型继电器的驱动电流也会在10mA以上。这些电气元件要正常工作，需要提供较大驱动电流和电压，就要放大电流或电压以提高带负载能力。 负载电流较小：如微型继电器，可以将两个反相器并联作为驱动电路。 负载电流较大：需要在集成电路或系统的输出端与负载之间接入一个功率驱动器件，可直接用于驱动机电系统。2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题1.1.驱动大电流负载驱动大电流负载2.6.2

32、 具有负载的接口电路 设LED的工作电流为ID、LED的正向压降为UD。限流电阻R可以按以下公式选择。 对于图2.6.3（a），门电路输出高电平时，限流电阻的选择应满足如下关系式 对于图2.6.3（b），门电路输出低电平时，限流电阻的选择应满足如下关系式2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题2.2.驱动驱动LEDLED负载负载图图2.6.3 2.6.3 门电路驱动发光二极管电路门电路驱动发光二极管电路2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题1.1.增加输入增加输入保护电路保护电路6.6.安装技术安装技术5.5.接地技术接地技术2.2.增加功率输增加功率输出缓冲电路出缓

33、冲电路3.3.增加去耦增加去耦合滤波电容合滤波电容4.4.电源或地电源或地与不用输入与不用输入端串接电阻端串接电阻2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题2.6.3 数字电路的抗干扰方法 （1 1）具有推拉输出结构的）具有推拉输出结构的TTLTTL门电路的输出端不能直门电路的输出端不能直接并联使用，输出端也不允许直接接电源接并联使用，输出端也不允许直接接电源U UCCCC或直接接或直接接地，电源与输出端可接一个上拉负载电阻地，电源与输出端可接一个上拉负载电阻R R。 （2 2）多种电源供电时，先接入低电压，再加上较高）多种电源供电时，先接入低电压，再加上较高的电压，然后再输入信号。

34、关断电源之前，应先去掉输的电压，然后再输入信号。关断电源之前，应先去掉输入信号。若信号源与电路板使用两组电源供电，开机时入信号。若信号源与电路板使用两组电源供电，开机时应先接通电路板电源，再接通信号源，关机时先断开信应先接通电路板电源，再接通信号源，关机时先断开信号源后断开电路电源。号源后断开电路电源。2.6 2.6 工程应用的技术问题工程应用的技术问题2.6.4 数字电路使用注意事项 （3 3）门与门之间的导线应尽可能短，过长会造成）门与门之间的导线应尽可能短，过长会造成信号的畸变。当多路并行传输信号时，信号线间要有信号的畸变。当多路并行传输信号时，信号线间要有一定的距离或中间加地线进行屏蔽。否则，相邻平行一定的距离或中间加地线进行屏蔽。否则，相邻平行线可能由于电磁耦合而互相干扰。线可能由于电磁耦合而互相干扰。 （4 4）CMOSCMOS器件在使用、储藏、运输、高温老化过程器件在使用、储藏、运输、高温老化过程中，需屏蔽于接触良好的金属屏蔽盒内或用金属铝箔中，需屏蔽于接触良好的金属屏蔽盒内或用金属铝箔纸包装，防止静电感应击穿栅极，烧毁场效应晶体管。纸包装，防止静电感应击穿栅极，烧毁场效应晶体管。 （5 5）所有测试仪器，外壳必须有良好