(D)1.某电晶体之α值为0.98,则其β值应为(A)98(B)9.8(C)0.49(D)49

1、（D）1.某電晶體之值為0.98，則其值應為（A）98（B）9.8（C）0.49（D）49。（D）2.雙極性電晶體組態中，具有較低輸入阻抗是（A）CE（B）CS（C）CC（D）CB。（B）3.CS9014為（A）PNP電晶體（B）NPN電晶體（C）FET（D）TTL。（C）4.若將雙極性電晶體當成開關使用，則此電晶體工作於那兩區？（A）作用區與截止區（B）飽和區與作用區（C）飽和區與截止區（D）作用區、飽和區、截止區都可以。（D）5.將雙極性電晶體的射極斷路，此時集極流向基極的漏電流為（A）ICEO（B）IECO（C）IBCO（D）ICBO。（C）6.輸出阻抗最低的雙極性電晶體電路組態為（A）

2、共基極（B）共射極（C）共集極（D）前三項均屬之。（B）7.圓形金屬外雙極性電晶體中，金屬外殼上凸出點所代表的腳位為（A）集極（B）射極（C）基極（D）無意義。（B）8.下列有關半導體之敘述，何者有誤？（A）外質半導體的導電性較本質半導體好（B）型半導體的多數載子為電洞（C）型半導體加入的雜質為受體（D）型半導體加入的雜質為五價元素。（D）9.矽電晶體的參數受溫度的影響為（A）BE隨著溫度上升而上升（B）值隨著溫度上升而下降（C）溫度對點沒有影響（D）溫度每上升10。反相飽和電流幾乎上升一倍。（C）10. 下列有關三種電晶體放大器基本組態之敘述，何者錯誤？（）共射極的AV和Ai皆大於1，i和o

3、在共基極和共射極的值之間（）共基極之AV亦很高，o則為最高者（）共集極之i最高，o最低，最適合用來匹配阻抗甚低的電源以推動高阻抗的負載（）共射極的輸入與輸出之間，相位相差180。（即倒相）。（D）11.在鍺質電晶體中，何者是溫度影響IC的主要原因？（）（）VBE（）（）ICO。（D）12. 下列敘述，何者錯誤？（）NPN電晶體頻率特性高於PNP電晶體（）射極接地式電晶體放大電路的電流增益值大於（）電晶體的各種組態中，具有較低輸入電阻的是共基極組態（）電晶體的集極與射極對調連接，則耐壓高，增益亦高。（C）13.關於電晶體放大電路的三種基本組態（CE、CB、CC），下列描述何者錯誤？（）共基極（C

4、B）電路具有最低的輸入阻抗及最高的輸出阻抗（）共集極（CC）電路的電壓增益小於並趨近於一（）共射極（CE）電路具有最高的輸入阻抗及最低的輸出阻抗（）共基極（CB）電路的電流增益小於並趨近於一（）共集極（CC）電路的輸出信號與輸入信號同相。（B）14.電晶體當共射極線性放大器使用時，若此電晶體的最大功率損耗為400毫瓦特，且集極對射極間之電壓為10伏特，則此電晶體的工作最大集極電流為（）安培（）40毫安培（）25毫安培（）25安培（E）50毫安培。（E）15.雙極性接面電晶體作為開關使用，當開關（ON）狀態時，則此電晶體工作於輸出特性曲線的（）截止區（）作用區（）負電阻區（）崩潰區（）飽和區。（

5、C）16.電晶體的共基極（CB）、共集極（CE）、共集極（CC）三種組態中，下列述何者有誤？（）CB的電流增益最低（）CC的電壓增益最低（）CC的輸入阻抗最低（）CC可做為阻抗匹配器（E）CE的功率增最高。（C）17.在共射放大器上使用射極旁路電容其主要作用是（）防止短路（）濾去漣波（）提高電壓增益（）阻隔直流。（B）18.假設在25。時，矽晶體的BE為0.7伏特，求在5。時，BE的值為多少？（）0.8V（）0.6（）0.5V（）0.4V。（B）19.在線性放大電路中，電晶體工作點應設計在直流負載線上的那裏？（）靠近飽和點（）靠近中心點（）靠近截止點（）任何一點均可。（C）20.脈波的上升時間

6、（rise time）是指從最大波幅的百分之多少至百分之多少（）0至100（）5至95（）10至90（）15至85。（B）21.在共射極電晶體電路中，若射極電流為6.2mA，基極電流為0.2mA，則此電路的電流增益為（）29（）30（）31（）39。（B）22.右圖為電晶體的符號表示法，其中abc三個端子依序分別表示電晶體的（）射極、基極、集極（）基極、集極、射極（）集極、射極、基極（）基極、射極、集極。（D）23.電晶體之共基極電流放大倍數與共射極電流放大倍數間之關係為（）（）（）（）。（B）24.對於電晶體的三種基本組態而言，下列敘述何者錯誤？（）共射極組態功率增益大（）共基極組態中輸出與

7、輸入信號相位差180。（）共集極組態常作為組抗匹配之用（）共集極組態電壓增益約為。（C）25.電晶體在數位電路中最主要的用途是作為（）放大（）振盪（）開關（）整流。（D）26.某一電晶體之射極電流由2mA改變為2.3mA時，集極電流由1.95mA改變為2.19mA，則此電晶體之值為（）1.25（）1.00（）0.9（）0.8。（B）27.一電晶體若於25。C時，ICBO=1µA，則45。C時ICBO為（A）3µA（B）4µA（C）8µA（D）16µA。（D）28.對電晶體而言，下列公式何者正確？（A）ICIEIB（B）IBICIE（C）ICIE

8、（D）IEICIB。（B）29.兼具電壓放大與電流放大作用的電晶體電路組態是（A）CC組態（B）CE組態（C）CB組態（D）以上皆是。（D）30.電晶體共集極(CC)電路（A）輸入組抗很小（B）輸出阻抗很大（C）電壓增益很高且為負值（D）電壓增益近於1。（D）31.飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路的開關速度慢，其主要原因為飽和型電晶體開關電路（A）延遲時間較長（B）上升時間較長（C）下降時間較長（D）儲存時間較長。（B）32.在一共射極(common emitter)雙極性電晶體(bipolar transistor)電路中，雙極性電晶體電流增益值為49，射極(emitter)電流為5m

9、A，則其基極電流為（A）1mA（B）0.1mA（C）10mA（D）1A（E）0.1A。（A）33.共射極接法之電晶體的由0.95變至0.958，則值由（A）19增至23（B）25增至46（C）30增至58（D）45增至72。（C）34.電晶體電路基本上可分為共基極組態(CB)、共射極組態(CE)與共集極組態(CC)，在三者中何者具有最高的輸入阻抗？（A）CB（B）CE（C）CC（D）三者均相同。（D）35.功率電晶體的集極與外殼通常接在一起，其主要目的是（A）較易辨認集極接腳（B）製造方便（C）可增加電流（D）散熱考慮。（B）36.若BJT之值為0.96，則係數值為（A）12（B）24（C）3

10、6（D）48。（C）37.電晶體之基極電流(IB)由10µA增至110µA時，集極電流(IC)由1mA增至6mA，此電晶體之電流放大因數為（A）20（B）24（C）50（D）60。（A）38.電晶體作為線性放大器時，其工作區域在（A）作用區（B）飽和區（C）截止區（D）無限制。（C）39.下列敘述何者錯誤？（A）電晶體之極有效寬度愈窄，則值愈高（B）將電晶體、兩端對調使用，則會降低，這是因為極濃度較極低之緣故（C）電晶體在工作區時，IC隨VCE增加而減少，這是歐利（Early）效應的結果（D）兩個背對背連接之二極體一定不能當電晶體使用。（D）40.關於共集極放大器之敘述，何

11、者錯誤？（A）輸入電阻很高，可當輸入級使用（B）輸出端在電晶體之極（C）輸出電阻很低，可當輸出級使用（D）電壓放大率很高，可當放大器使用。（A）41.於工作區工作之共射極電晶體放大器，若IB=0.05mA，IE=5.05mA，應為（A）100（B）125（C）150（D）200。（D）42.續上題，若，則2a+b應為（A）302（B）299（C）298（D）301。（D）43.PN二極體逆向飽和電IS於溫度每上升10。C約增加一倍，有一二極體於300。K時IS=1µA，於400。K時IS應為（A）100µA（B）200µA（C）800µA（D）1024&

12、#181;A。（A）44.下列有關電晶體之描述何者錯誤（A）BJT之構造是對稱的，因此射極與集極可對調使用（B）FET優點之一為其(低頻)輸入阻抗甚高（C）若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區（D）為使BJT具有線性放大作用，必需偏壓在作用區（aetive region）。（B）45.下列敘述何者錯誤（A）共射極組態中，輸出與輸入信號相位差180。（B）共基極組態由於米勒效應，所以頻寬較共射極組態為窄（C）共集極組態可作為阻抗匹配之用（D）共基極組態中，輸出與輸入信號同相。（B）46.在不考慮漏電流之關係時，下列有關BJT之描述何者錯誤（A

13、）IC=IB（B）（C）IE=IC +IB（D）IC=IE。（A）47.在日規半導體中，2SA開頭之元件為?（A）PNP電晶體（B）NPN電晶體（C）二極體（D）UJT。（A）48.TO 3包裝之功率電晶體，其外殼為？（A）集極（B）射極（C）基底（substrate）（D）基極。（B）49.矽晶體在常溫時，價帶與傳導帶間之能隙約為何值（A）0.6eV（B）1.1eV（C）0.9eV（D）0.75eV。（D）50.有關外質(Extrinsic)半導體之敘述，下列何者錯誤？（A）將三價雜質元素摻入純半導體中，以形成型半導體（B）將五價雜質元素摻入純半導體中，以形成型半導體（C）型半導體之多數載子

14、為自由電子（D）型半導體之少數載子為電洞（）外質半導體本身之電性仍屬電中性。（D）51.在一共射極式電晶體電路中，射極電流為mA，基極電流為0.1mA，試求電晶體之電流增益為何？（A）39（B）59（C）69（D）49（E）29。（E）52.下列編號，何者不是電晶體？（A）CS9014（B）2N2222（C）CS9013（D）2N3055。（D）53.若電晶體的值為0.98，則值為（A）14（B）28（C）35（D）49（E）98。（E）54.電晶體共射極組態的電路中，其輸入信號和輸出信號的相位（A）相同（B）相差45度（C）相差90度（D）相差135度（E）相差180度。（C）55.電晶體的

15、共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)三種組態中，下列敘述何者有誤？（A）CB的電流增益最低（B）CC的電壓增益最低（C）CC的輸入阻抗最低（D）CC可做為阻抗匹配器（E）CE的功率增益最高。（B）56.NPN電晶體若欲工作在作用區(active region)則（A）基射接面需順偏，基集接面需順偏（B）基射接面需順偏，基集接面需反偏（C）基射接面需反偏，基集接面需順偏（D）基射接面需反偏，基集接面需反偏。（D）57.共基極放大電路的輸入信號與輸出信號的相位關係為（A）輸入信號領先輸出信號之相位90。（B）輸入信號落後輸出信號之相位90。（C）兩者之相位差為180。（D）兩者為同相位。

16、（B）58.編號2SD261的電晶體為下列那一種用途及型態的元件？（A）高頻用NPN型（B）低頻用NPN型（C）高頻用PNP型（D）低頻用PNP型。（D）59.下列有關雙極性電晶體的特性參數何者錯誤？（A）值接近於（B）（C）值通常在數十以上（D）。（C）60.下列何者為高頻用NPN型電晶體？（A）2SB77（B）IN4007（C）2SC372（D）2SK30。（A）61.電晶體的共射極電流增益為，共基極電流增益為，則值與值之關係應為（A）（B）（C）（D）。（C）62.某電晶體之值為99，則其值應為（A）0.98（B）0.985（C）0.99（D）0.995。（A）63.一般電晶體之值，會隨

17、溫度的升高而（A）增加（B）減少（C）不變（D）不一定。（D）64.假設不考慮漏電流的形情，有關電晶體之敘述，下列何者正確（A）（B）IC=IE +IB（C）（D）IE=（）IB。（C）65.有關雙極性接面電晶體(BJT)特性之敘述，下列何者有誤（A）BJT為電流控制元件（B）NPN型BJT正常工作時，流通之多數載子為電子（C）BJT用於線性放大時，基射極需接反偏，基集極接順偏（D）不可以二個頭或尾對接之二極體來代替BJT元件使用。（C）66.一NPN電晶體共射極放大器，若IB=0.06mA，IE=6.06mA，則其值為（A）98（B）99（C）100（D）101。（B）67.兼具電流放大與電

18、壓放大作用的雙極性電晶體放大器為（A）共基極組態（B）共射極組態（C）共集極組態（D）射極隨耦器。（A）68.電晶體接成共射極組態時，若IB=60µA，IE=6.06mA則電晶體之直流增益dc為何值？（A）100（B）10（C）50（D）6。（D）69.下列敘述何者錯誤？（A）BJT當開關使用時是工作於飽和區(saturation region)或截止區(cut off region)（B）BJT當放大器使用時是工作於作用區(active region)（C）BJT在作用區偏壓方式是B E接面順向偏壓，B C接面逆向偏壓（D）BJT在飽和區的偏壓方式是B E接面逆向偏壓，B C接面逆

19、向偏壓。（C）70.圖(1)中(a)為測量電晶體輸出特性曲線之電路，（）是示波器所顯示的波形，其信號如（），試問連接到示波器V、H端的接法何者正確？（A）VB接V端，VRC接H端（B）VB接H端，VRC接V端（C）VCE接H端，VRC接V端（D）VCE接V端，VRC接H端（E）VCE接V端，VB接H端。圖(1)（B）71.電晶體放大器參數，及如圖(2)所示電流IC，B，IE在不考慮漏電流之關係時，下列何者錯誤？（A）（B）（C）IE= IC+IB（D）。圖(2)（B）72.在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中，具有最大電壓增益與電流增益乘積的是何種組態？（A）共基極放大器（B）共射極放大器（C

20、）共集極放大器（D）共汲極放大器。（D）73.如圖(3)所示電路，使用理想二極體，求VO之直流值？（A）100V（B）71V（C）63.6V（D）31.8V。圖(3)（A）74.如圖(4)所示電路，是以理想二極體所做之截波器，求VO波形。圖(4)（D）75.如圖(5)所示電路，使用理想二極體，求VO等於（A）V1（B）2V1（C）Vm（D）2Vm。圖(5)（A）76.一般PN二極體兩端的順向偏壓，隨溫度的變化量約為（A）-2.5mV。C（B）-25mV。C（C）+2.5mV。C（D）+25mV。C。（D）77.N型半導體，要在本質半導體中加入少量（A）二價（B）三價（C）四價（D）五價元素。（

21、A）78.在工作區工作的共射極電晶體放大器，若IB = 0.05mA，IE = 5.05mA，則應為（A）100（B）125（C）150（D）200。（D）79.二極體中的逆向電流(Reverse Leakage Current)對溫度極為敏感，通常在PN接面之溫度每遞增10。C可使逆向飽和電流增加（A）20（B）50（C）80（D）100。（B）80.對二極體接面電容量的敘述，在逆向偏壓愈大時，下列何者為正確？（A）空乏區寬度增加，電容量增加（B）空乏區寬度增加，電容量減少（C）空乏區寬度減少，電容量減少（D）空乏區寬度與電容量無關。（D）81.共射極放大器的部分特性為（A）電流增益，反相180。（B）電流增益，相位不變（C）電流增益，相位不變（D）電流增益，反相180。（A）82.電晶體2SC536表示（A）NPN高頻用（B）PNP高頻用（C）PNP低頻用（D）NPN低頻用。（B）83.電路中有一NPN型電晶體，今知其hFE=120，且流入集極之電流為0.85安培，流入基極之流為10毫安培，則從射極流出之電流應為（A）1.2安培（B）0.86安培（C）2.05安培（D）0.35安培。（A