晶体缺陷 例题(2013级)_第1页
晶体缺陷 例题(2013级)_第2页
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晶体缺陷 例题(2013级)_第5页
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文档简介

1、 (1)根据左相反右相同的原)根据左相反右相同的原则则AB为右螺位错,为右螺位错,CD为左螺为左螺位错;位错; 根据右手定则,根据右手定则,BC为正刃位为正刃位错,错,DA为负刃位错。为负刃位错。 右手定则右手定则:食指食指指向位错线方向,指向位错线方向,中指中指指向柏氏矢量方向,指向柏氏矢量方向,拇指拇指指向多余半原子面方向。指向多余半原子面方向。 左左( (右右) )法则法则来判断:拇指指向螺旋前进的方向,而其余四指来判断:拇指指向螺旋前进的方向,而其余四指代表旋转方向,凡符合右手法则的称为右螺旋型位错,凡符代表旋转方向,凡符合右手法则的称为右螺旋型位错,凡符合左手法则的称为左螺旋位错。合

2、左手法则的称为左螺旋位错。 (2)设想在一个完整的晶)设想在一个完整的晶体中有一个正四棱柱贯穿晶体中有一个正四棱柱贯穿晶体的上、下表面,它和滑移体的上、下表面,它和滑移面面MNPQ相交于相交于ABCDA。将。将ABCDA面上部的棱柱相对于面上部的棱柱相对于下部滑移下部滑移 ,棱柱外的晶体不,棱柱外的晶体不滑移。这样,滑移。这样, ABCDA就是在就是在滑移面上滑移区(环内)和滑移面上滑移区(环内)和未滑移区(环外)的边界,未滑移区(环外)的边界,因而是一个位错环。因而是一个位错环。 (3)在足够大的切应力)在足够大的切应力作用下,作用下,位错环上部晶体将不断沿位错环上部晶体将不断沿x轴方向轴方

3、向运动,下部将沿运动,下部将沿x轴负方向运动。轴负方向运动。根据右手法则,这种运动必然使根据右手法则,这种运动必然使位错环个边向位错环的外侧运动,位错环个边向位错环的外侧运动,使位错环扩大。当位错环移出晶使位错环扩大。当位错环移出晶体后,上下两部分晶体相对滑动体后,上下两部分晶体相对滑动一个柏氏矢量一个柏氏矢量 大小的距离,结果大小的距离,结果在晶体左右两侧面形成两个相反在晶体左右两侧面形成两个相反的台阶,台阶的宽度为的台阶,台阶的宽度为 的大小。的大小。 (4)在足够大的正应力)在足够大的正应力作用下,作用下,AB为右螺位错,为右螺位错,CD为左螺位错,为左螺位错,是不动的。如果压应力足够大

4、,位是不动的。如果压应力足够大,位错环的错环的BC、DA将发生攀移。将发生攀移。BC为为正刃位错,沿正刃位错,沿Y方向运动,进行正方向运动,进行正攀移;攀移;DA为负刃位错沿为负刃位错沿Y方向运方向运动,进行也是正攀移;二者都是使动,进行也是正攀移;二者都是使多余半原子面缩小。多余半原子面缩小。 由于由于A、B、C、D点被钉扎住,形成位错源,发生位被钉扎住,形成位错源,发生位错增殖。错增殖。bbbbb ( 例题例题9. 判断下列位错反应能否进行:判断下列位错反应能否进行: (1) (2) (3) (4) 习题解答习题解答: 根据位错反应的两个条件根据位错反应的两个条件 (1) 能能 (2)、()、(3)、()、(4)均不能。

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