《半导体制造技术》课程教学大纲

1、半导体制造技术课程教学大纲课程编号：20821305总学时数：48总学分数：3课程性质：必修适用专业：应用物理学一、课程的任务和基本要求：通过本课程学习，使学生对半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。主要分两部分内容，第一部分介绍主要的半导体材料，基本性质、在器件制造中的应用、材料的生长和加工等。第二部分介绍超大规模集成电路制造的工艺流程，包括构成流程的各个基本工艺的原理、技术要点、检测方法和工艺质量评价。该课程不仅是工艺工程师的入门知识，也是设计工程师应掌握的

2、基本知识。二、基本内容和要求：第一章 硅和硅片的制备1.1 晶体结构1.2 单晶硅的生长1.3 硅中的晶体缺陷1.4 硅片制备 通过本章的学习，要求学生掌握晶体生长技术（直拉法、区熔法），硅圆片制备及规格，晶体缺陷，硅中杂质。 第二章 集成电路制造工艺简介 2.1 CMOS工艺流程 2.2 CMOS制作步骤 通过本章的学习，要求学生简单了解集成电路制造工艺流程和制作步骤。 第三章 氧化 3.1 热氧化生长 3.2 高温炉设备 3.3 氧化工艺 3.4 质量检测 通过本章的学习，要求学生掌握SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算，SiO

3、2薄膜厚度的测量。 第四章 淀积 4.1 化学气相淀积 4.2 CVD淀积系统 4.3 外延 4.4 CVD质量检测通过本章的学习，要求学生掌握化学气相淀积的原理和系统，了解外延法的种类。 第五章 金属化 5.1 金属淀积系统 5.2 金属化方案通过本章的学习，要求学生掌握金属化的原理和系统。 第六章 光刻 6.1 光刻工艺简介 6.2 旋转涂胶 6.3 前烘 6.4 对准和曝光 6.5 显影和坚膜通过本章的学习，要求学生掌握光刻工艺流程，光刻缺陷控制及检测，光刻技术分类（光学光刻，非光学光刻），了解最新的光刻工艺技术动态。 第七章 刻蚀 7.1 干法刻蚀 7.2 湿法刻蚀通过本章的学习，要求

4、学生掌握掌握刻蚀分类（湿法刻蚀、干法刻蚀），常用刻蚀液组成及应用，干法刻蚀系统原理及结构组成。了解半导体生产中常用材料的刻蚀技术。 第八章 离子注入 8.1离子注入方法简介8.2离子注入设备8.3离子注入质量检测通过本章的学习，要求学生了解离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火，离子注入特点及应用。 第九章 封装 9.1 传统封装简介 9.2 先进的封状技术 9.3 质量检测 通过本章的学习，要求学生了解半导体封装技术的流程步骤，以及封装后集成电路的检测技术。三、实践环节和要求：无四、教学时数分配：理论：40 实验： 8 上机：0 其它：0教学内容学时分配教学内容学时分配第一章 硅和硅片的

5、制备4第六章 光刻6第二章 集成电路制造工艺简介 4第七章 刻蚀4第三章 氧化6第八章 离子注入4第四章 淀积4第九章 封装6第五章 金属化2合计40五、其它项目：无六、有关说明：1、教学和考核方式：本课程属考试课，实行闭卷考试方式考核2、习题：3、能力培养要求：通过半导体制造技术的学习，使学生掌握半导体工艺的整个生产流程，熟悉氧化、淀积、光刻、刻蚀等过程的概念、设备、特点以及影响参数等。掌握半导体后导工艺的步骤，最终对集成电路的制造有一个全面的了解，为以后可能走向半导体制造工业打下一个良好的基础。4、与其它课程和教学环节的联系：先修课程和教学环节：大学物理半导体材料物理后续课程和教学环节： 平行开设课程和教学环节：半导体器件5、教材和主要参考书目：（1）教材：半导体制造基础，美 Gary S.May 施敏著，代永平译（2）主要参考书目： 半导体制造技术， 美 Michael Quirk