镇江IGBT项目投资决策报告模板范文

1、CMC泓域咨询 /镇江IGBT项目投资决策报告报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资21476.19万元，其中：建设投资16693.63万元，占项目总投资的77.73%；建设期利息446.48万元，占项目总投资的2.08%；流动资金4336.08万元，占项目总投资的20.19%。项目正常运营每年营业收入39400.00万元，综合总成本费用31210.10万元，净利润5988.28万元，财务内部收益率21.41%，财务净现值8015.02万元，全部投资回收期5.91年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市

2、场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。电力电子器件是电力电子技术的核心。电力电子器件即功率半导体器件，也称为功率电子器件，是进行功率处理的半导体器件。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大、功率管理等，是电力电子装臵的心脏。虽然功率器件在整台电力电子装臵中的价值通常不会超过总价值的20%-30%，但对整机的总价值、尺寸、总量、动态性能、过载能力、耐用性和可靠性起着十分重要的作用。目录第一章 总论10一、 项目名称及投资人10二、 编制原则10三、 编制依据11四、 编制范围及内容1

3、2五、 项目建设背景12六、 加速推动区域发展格局全面优化13七、 结论分析16主要经济指标一览表18第二章 行业发展分析21一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新21二、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升25第三章 背景、必要性分析27一、 家电行业是IGBT器件的稳定市场27二、 全力服务构建新发展格局。27三、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心28四、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大30五、 项目实施的必要性33六、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力33七、 IGBT基本情况34第四章 建筑工程技术方案37一、 项目工程设计总体要

4、求37二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第五章 产品方案41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表42第六章 选址可行性分析44一、 项目选址原则44二、 建设区基本情况44三、 加快构建现代产业体系。49四、 坚持创新驱动发展。51五、 提升产业载体建设水平。53第七章 法人治理结构55一、 股东权利及义务55二、 董事58三、 高级管理人员63四、 监事65第八章 发展规划分析68一、 公司发展规划68二、 发展思路72第九章 运营管理模式75一、 公司经营宗旨75二、 公司的目标、主要职责75三、 各部门职责及权

5、限76四、 财务会计制度80五、 晶圆产能持续紧缺，IGBT供不应求或延续较长时间84六、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展85七、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国产化机遇86八、 新能源应用驱动IGBT快速增长87第十章 安全生产92一、 编制依据92二、 防范措施93三、 预期效果评价96第十一章 原辅材料成品管理97一、 项目建设期原辅材料供应情况97二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理97第十二章 工艺技术分析99一、 企业技术研发分析99二、 项目技术工艺分析101三、 质量管理103四、 设备选型方案104主要设备购置一览表105第十三章 节能说明106一、

6、 项目节能概述106二、 能源消费种类和数量分析107能耗分析一览表107三、 项目节能措施108四、 节能综合评价108第十四章 项目投资分析110一、 编制说明110二、 建设投资110建筑工程投资一览表111主要设备购置一览表112建设投资估算表113三、 建设期利息114建设期利息估算表114固定资产投资估算表115四、 流动资金116流动资金估算表116五、 项目总投资117总投资及构成一览表118六、 资金筹措与投资计划118项目投资计划与资金筹措一览表119第十五章 经济效益120一、 基本假设及基础参数选取120二、 经济评价财务测算120营业收入、税金及附加和增值税估算表12

7、0综合总成本费用估算表122利润及利润分配表124三、 项目盈利能力分析124项目投资现金流量表126四、 财务生存能力分析127五、 偿债能力分析127借款还本付息计划表129六、 经济评价结论129第十六章 风险防范130一、 项目风险分析130二、 项目风险对策132第十七章 总结分析134第十八章 附表附件136主要经济指标一览表136建设投资估算表137建设期利息估算表138固定资产投资估算表139流动资金估算表139总投资及构成一览表140项目投资计划与资金筹措一览表141营业收入、税金及附加和增值税估算表142综合总成本费用估算表143利润及利润分配表144项目投资现金流量表14

8、5借款还本付息计划表146第一章 总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称镇江IGBT项目（二）项目投资人xx投资管理公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（待定）。二、 编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发，遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况，采用先进适用的技术，以经济效益为中心，节约资源，提高资源利用率，做好节能减排，在采用先进适用技术的同时，做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况，合理制定产品方案及工艺路线，

9、设计上充分体现设备的技术先进，操作安全稳妥，投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范，努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备，加强计量管理，提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全，保护环境、节约用地原则进行布置；同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面，本着“三同时”原则，设计上充分考虑装置在上述各方面投资，使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳，统一治理，安全生产，文明管理。三、 编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规

10、、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。四、 编制范围及内容报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求，对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证，以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。五、 项目建设背景IGBT既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损

11、耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT可以看做由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）组成的复合功率半导体器件。BJT即三极管，是电流驱动器件，基本结构是两个背靠背的PN结，基极和发射极之间的PN结称为发射结，基极和集电极之间的PN结称为集电结，通过控制输入电压和基极电流可以使三极管出现电流放大或开关效应。MOSFET是电压型驱动器件，以常用的N沟道MOS管为例，通过在P型半导体上方加入金属板和绝缘板，即栅极，在使用中保持源级和漏级电压不变，栅极加正电压，MOS管呈导通状态，降低栅极电压，MOS管呈关闭状

12、态。由于栅极所带来的电容效应，使得MOS管只需要很小的驱动功率即可实现高速的开关作用。BJT通态压降小、载流能力大，但驱动电流小，MOSFET驱动功率小、快关速度快，但导通压降大、载流密度小。IGBT可以等效为MOS管和BJT管的复合器件，在保留MOS管优点的同时增加了载流能力和抗压能力，自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，成为电力电子领域中最重要的功率开关器件之一，在6500V以下的大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET器件。六、 加速推动区域发展格局全面优化坚持把全面融入新发展格局和区域协调发展有机结合，深入落实主体功能区战略，对外深度融入长三角一体化、宁镇扬一体化，

13、对内加快提升市域一体化发展水平，全面优化区域发展格局。（一）主动融入重大战略。抢抓国家和区域重大战略叠加机遇，在区域融合发展中充分彰显镇江优势和特色。在推进长江经济带高质量发展中展现“镇江作为”。按照“五新三主”总体要求，坚持共抓大保护、不搞大开发的战略导向，始终把修复长江生态环境摆在压倒性位置，坚决落实长江“十年禁渔”重大任务，持续整治“重化围江”、非法码头等突出问题，综合整治入江排污口，加强船舶污染防治，构建综合治理新体系。加快推进长江沿岸造林绿化和森林资源质量提升，系统打造长江风光带，绘就山水人城和谐相融新画卷。全面对接长三角一体化。紧扣“一体化”和“高质量”，建立全方位、深层次合作交流

14、机制，加强与长三角城市在产业发展、园区开发等领域跨区域合作，积极参与统一开放人力资源市场建设，主动融入长三角资本市场分工协作体系，助力长三角地区构建优势互补、协调并进的发展格局。深度融入宁镇扬一体化。全面对接南京，加快推进G312产业创新走廊建设，推动沿线创新资源整合，共建宁镇合作示范区等重大功能性合作平台，打造长三角G42产业创新带重要板块、宁镇扬一体化发展重要支撑。积极对接扬州，推进镇扬重要交通节点无缝衔接、毗邻地区先行融合发展，统筹产业对接合作、基础设施建设和公共服务供给，加快推动跨江融合发展。深入推进宁镇扬协同治理机制，系统开展环境整治、安全保障等方面跨区域综合治理与应急联动。（二）加

15、快市域一体发展。坚持系统谋划、功能互补、集约有序，加快构建“一体、两翼、三带、多片区”总体布局。提高中部城市协同发展区集聚力。推动现有中心城区“双向拓展”，“向西”沿G312串联镇江高新区、韦岗、高资、下蜀、宝华片区，推动镇江高新区和丹徒经开区的联动发展，实现镇江主城直接对接南京主城。“向南”推进镇江老城区、南徐片区、丹徒新城、官塘创新社区连为一体，通过G312、S240南延、镇丹二通道（宝平路）等与丹阳中心城区紧密相连，推动丁卯科技新城、丹徒高新技术产业园升级发展，稳步推进丹阳练湖新城建设，形成镇丹一体化的空间支撑。紧扣人的需求、产业的需求，统筹城市规划、建设、治理，全面提升城市功能，提高城

16、市品位，让中部“硬核”展现更强硬实力。引导东翼产业协同发展区、西翼创新协同发展区特色发展。东翼产业协同发展区，包括镇江新区、扬中、丹阳北部以及谏壁、京口经开区等区域，立足现有产业基础，突出先进制造业发展特色，推动产业统一规划、协同布局、联动发展，加快扩大规模、提高层次、优化结构。加强镇江新区、扬中、丹北之间的骨架路网建设，协同打造产业融合发展高地、镇江制造业发展“主引擎”。西翼创新协同发展区，包括句容中南部、丹徒南部地区，发挥毗邻南京区位优势，大力发展“生态+创新+产业”模式，推动产业链创新链与南京形成有效互补，打造高质量发展新增长极。因地制宜发展现代农业、生态旅游等特色生态经济，共建溧水句容

17、农业合作示范区，加快融入南京“南部田园”。统筹打造三条发展带。北线沿江生态保护和高质量转型发展带，主要包括长江沿线及滨江区域，全面落实长江经济带负面清单，明确划定保护区、保留区、开发利用区、控制利用区，优化岸线保护利用。推进沿江增植补绿，打造水清岸绿景美的“滨江绿廊”。推动沿江产业转型升级，大力发展高端装备制造、新材料、智能电气、汽车零部件、航运物流等产业。中线产业创新发展带，以沪宁交通大通道为轴，“西端”与句容“西部干线产业创新带”有效串联，建设高品质社区，吸引创新要素集聚，形成“组团+节点”的空间组织形式，全面对接南京紫东地区；“东端”与镇江主城深度融合，逐步向丹阳经开区、高新区等板块延伸

18、，增强对市域整体发展的拉动力和支撑力。南线绿色生态发展带，主动融入宁杭生态经济带建设，以省道S122、规划建设的扬镇宁马城际为轴线，重点布局高效农业、休闲观光、生态旅游、健康养老等产业，适当预留创新经济发展空间，打造面向城市群服务的“菜篮子”“后花园”“休闲地”。全力支持茅山老区发展。全面提升“多片区”建设水平。推动国家级开发区、高新区提质增效，省级开发区、高新区提档升级，强化现有重点产业片区的骨干支撑。依托交通条件、资源禀赋、产业基础等，加快推动官塘创新社区、高校园区、滨江现代服务业集聚区、世业镇“健康岛”、丹阳生命健康产业区、句容环南京创新产业带、扬中港产城融合发展示范区建设，打造高质量发

19、展新增长极。对镇江东站片区、韦岗片区等进行战略规划，形成梯次开发、有序建设的良性发展格局。七、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（待定），占地面积约52.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx个IGBT的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资21476.19万元，其中：建设投资16693.63万元，占项目总投资的77.73%；建设期利息446.48万元，占项目总投资的2.08%；流动资金4336.08万元，占项目总投资的20.19%。（五）资金筹措

20、项目总投资21476.19万元，根据资金筹措方案，xx投资管理公司计划自筹资金（资本金）12364.36万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额9111.83万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：39400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：31210.10万元。3、项目达产年净利润（NP）：5988.28万元。4、财务内部收益率（FIRR）：21.41%。5、全部投资回收期（Pt）：5.91年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：15718.01万元（产值）。（七）社会效益项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，

21、市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积34667.00约52.00亩1.1总建筑面积55279.311.2基底面积21493.541.3投资强度万元/亩318.202总投资万元21476.192.1建设投资万元16693.632.1.1工程费用万元14768.862.1.2其他费用万元1

22、448.192.1.3预备费万元476.582.2建设期利息万元446.482.3流动资金万元4336.083资金筹措万元21476.193.1自筹资金万元12364.363.2银行贷款万元9111.834营业收入万元39400.00正常运营年份5总成本费用万元31210.106利润总额万元7984.387净利润万元5988.288所得税万元1996.109增值税万元1712.6510税金及附加万元205.5211纳税总额万元3914.2712工业增加值万元13115.1313盈亏平衡点万元15718.01产值14回收期年5.9115内部收益率21.41%所得税后16财务净现值万元8015.0

23、2所得税后第二章 行业发展分析一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGB

24、T结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPattern

25、Trench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、45

26、00V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升

27、来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频

28、领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速

29、MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积

30、，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGB

31、T适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典

32、SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。二、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升半导体是汽车发展趋势（电驱化、数字互联）的核心。汽车在电动化、智能化、网联化的发展过程中，半导体是发展的核心支撑。1）电驱化（电动化），电动与混动汽车的发展要求动力传动系统向电气化迈进，其中由电池、电机、电控组成的三电系统主要以功率半导体为主，包含IGBT、MOSFET等。2）数字互联（智能化、网联化），智能化发展带动具备AI计算能力的主控芯片市

33、场规模快速成长；此外智能与网联相辅相成，核心都是加强人车交互，除了加强计算能力的主控芯片外，传感器、存储也是核心的汽车半导体，包含自动化驾驶的实现使传感器需求提升、数据量的增加带动存储的数量和容量的需求提升。汽车半导体绝对值在增长，从分类中功率半导体价值量增加幅度最大。新能源汽车相比传统燃油车，新能源车中的功率半导体价值量提升幅度较大。按照传统燃油车半导体价值量417美元计算，功率半导体单车价值量达到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV单车半导体价值量834美元计算，功率半导体单车价值量达到458.7美元，价值量增加四倍多。第三章 背景、必要性分析一、 家电行业是IGBT器件的稳定市场

34、变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起，通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能耗、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜力十分强劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的IGBT的

35、市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。2020年，中国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。二、 全力服务构建新发展格局。积极融入国内国际“双循环”，找准自身定位，凸显竞争优势，加快形成全方位、多层次、多元化开放格局。积极扩大内需。加快完善物流网络，健全现代商贸流通体系，更好融入不同空间尺度的经济循环。完善扩大内需的政策支撑体系，鼓励发展体验经济、夜经济等新业态，发展线上线下融合等消费新模式，促进消费新业态向农村市场延伸，推动服务消费提质扩容。坚持以需求牵引供给、供给创造需求

36、，提升经济体系整体效能，打造长三角经济循环的重要节点。促进有效投资，围绕新型城镇化、乡村振兴和区域重大发展战略，以及科技攻关、生态环保、综合交通、新型基础设施、基本公共服务等重点领域，实施一批打基础、利长远、补短板的项目。提高开放水平。用好“两个市场”“两种资源”，以国际产能与经贸合作带动“走出去”，鼓励支持有条件的企业参与国际化产业分工。加大外资招引力度，发展外贸新业态新模式，推动外资逆势增长、外贸稳中提质。提高综保区、中外合作产业园区建设水平，打造江苏自贸试验区联动发展区，培育具有较强影响力的高层次产业会展平台，形成集聚资源要素的“强磁场”。深化公共卫生、数字经济、绿色发展、科技教育等领域

37、合作，促进人文交流，扩大对外交往“朋友圈”。三、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心新能源车的制动原理是利用电磁效应驱动电机转动，IGBT优异的开关特性可以实现交直流转换、电压转换和频率转换几个核心功能，电动车充电时，通过IGBT将外部电源转变成直流电，并把外部220V电压转换成适当的电压给电池组充电。电动车制动时，通过IGBT把直流电转变成交流电机使用的交流电，同时精确调整电压和频率，驱动电动车运动。一台车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率器件的性能，硅基IGBT作为主导型功率器件，在新能源车中应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个子系统中，约占整车成本的7%-1

38、0%，是除电池以外成本第二高的元件，也是决定整车能源效率的关键器件。新能车市场销量：根据中汽协发布的数据统计，2019年新能源车新产销分别完成124.2万辆和120.6万辆，其中绝大部分为纯电动汽车，产销为102万辆和97.2万辆，插电式混合动力汽车产销为22.0万辆和23.2万辆，2020年国内新能源车销量为136.7万辆。2021年5月，新能源汽车产销环比略增，同比继续保持高速增长，产销均为21.7万辆，环比增长0.5%和5.4%，同比增长1.5倍和1.6倍。单台新能源车用量：电动汽车单车IGBT的价格在A00级车的主控IGBT模块价值量800-1000元，A级车1500左右，混动车在20

39、00元左右，再综合空调、充电等部分，平均电动汽车单车IGBT价值量为1000-4000不等。根据Yole的统计，2016年全球电动车IGBT管用量约为9亿美元，单车的IGBT管用量约为450美元。新能源车IGBT市场空间推算：据IDC预计，受政策推动等因素的影响，中国新能源汽车市场将在未来5年迎来强劲增长，2020年至2025年的年均复合增长率（CAGR）将达到36.1%，假设单台车IGBT用量3000元左右来预估，至2025年，国内新能源车IGBT模块市场规模为191亿左右。四、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以

40、分为HEV（混合电动汽车）、PHEV（插电式混合电动汽车）、BEV（纯电动汽车）。其中，HEV是最常见的混合动力类型，它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大，由较长的纯电续航里程，且有充电接口，一般需要专用的供电桩进行供电，在电能充足的时候，采用电动机驱动车辆，而电能不足时，发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机，只需要依靠电池提供能量，所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的双碳计划，BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球，02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-v

41、olumes公布的数据，2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆，2020年达到324万辆，2014-2020年复合增长率为47%；根据中国汽车工业协会公布的数据，2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆，2020年达到136.7万辆，2014-2020年复合增长率为62%；整体来看全球与中国新能源汽车销量皆快速增长，且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展，新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标，可能性路径包括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标，新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段，新能源汽车

42、的碳减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比，单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低，新能源电力使用比例提高，新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍，全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volumes预测，2021年全球新能源汽车销量预计达到640万，相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复，同比增长28%。2021年上半年部分地区新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长，欧洲同比增长157%，中国同比增长197%，美国同比增长166%，其余市场同比增长达到95%；除日本外，所有主要

43、市场在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出，新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右；此外中汽协预测2025年中国汽车销量或到3000万辆，根据保守线性推算，我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆，年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均增速40%以上的预测，2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、Automotiv

44、eGroup等多家机构测算，2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元，相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元，单车半导体价值量翻倍成长；相较于48V轻混合车，单车半导体价值量增加45.8%。预计2025年，48V轻混车、FHEV/PHEV/BEV销量分别将达到1880万辆、2100万辆，基于2020年单车半导体BOM静态测算，2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加，保守估计52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展，半导体在单车上的整体价值也越来越高，根据Gartner预测的数据，202

45、4年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元，根据前四年的年复合增长率预测，预计2025年达到1046美元，中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量，经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产化率仅10%，前八大欧美日企业占整体市场的63%。根据ICVTank数据，2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司，包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等，占整体市场规模的63%。从自主汽车芯片产业规模来看，欧美日占据整体市场的93%，欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额；中国公司仅为3%，根据中国汽车

46、芯片产业创新战略联盟数据显示，国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%，国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断，并且具备90%的替代空间。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。六、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力目前新能源发电以光伏和风力发电为主，以光伏发电为例，在太阳光照射下太阳能电池阵列产生电能输出直流电，但输出的电能不符合电

47、网要求，需通过逆变器将其整流，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。以往光伏发电系统是采用MOSFET构成的逆变器，然而随着电压的升高，MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗，IGBT因其通态电流大、耐压高、电压驱动等特点，在中、高压容量的系统中更具优势，在实际项目中IGBT已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的全新动力。据欧洲光伏产业协会预测,全球光伏装机量未来5年将保持15%以上的复合增速，假设光伏逆变器出货量每年保持15%增长，预计到2025年全球光伏IGBT市场规模将达到53亿元。国内逆变器厂商在

48、全球光伏市场上持续突破，据Solaredge数据，2018年华为在全球逆变器市场的份额达22%。据阳光电源2020年报披露，公司2015年起出货量首次超越连续多年排名全球发货量第一的欧洲公司，销售收入7.51亿元，全球市占率27%，已批量销往德国、意大利、澳大利亚、美国、日本、印度等150多个国家和地区，国内光伏逆变器厂商的快速发展也为国产IGBT替代带来更多产品应用的机会。七、 IGBT基本情况电力电子技术是以电子（弱电）为手段去控制电力（强电）的技术，使电网的工频电能最终转换成不同性质、不同用途的电能，以适应不同用电装臵的不同需求。电力电子技术以电子学、电力学和控制论相互交叉结合为基础，研

49、究电能的变换和利用，广泛应用于高压直流输电、电力机车牵引、交直流转换、电加热、电解等各种领域中。电力电子器件是电力电子技术的核心。电力电子器件即功率半导体器件，也称为功率电子器件，是进行功率处理的半导体器件。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大、功率管理等，是电力电子装臵的心脏。虽然功率器件在整台电力电子装臵中的价值通常不会超过总价值的20%-30%，但对整机的总价值、尺寸、总量、动态性能、过载能力、耐用性和可靠性起着十分重要的作用。IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩

50、写，即绝缘栅双极型晶体管，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。IGBT作为工业控制及自动化领域的核心元器件，能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，被称为现代电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等众多领域。IGBT既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT可以看做由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应

51、管）组成的复合功率半导体器件。BJT即三极管，是电流驱动器件，基本结构是两个背靠背的PN结，基极和发射极之间的PN结称为发射结，基极和集电极之间的PN结称为集电结，通过控制输入电压和基极电流可以使三极管出现电流放大或开关效应。MOSFET是电压型驱动器件，以常用的N沟道MOS管为例，通过在P型半导体上方加入金属板和绝缘板，即栅极，在使用中保持源级和漏级电压不变，栅极加正电压，MOS管呈导通状态，降低栅极电压，MOS管呈关闭状态。由于栅极所带来的电容效应，使得MOS管只需要很小的驱动功率即可实现高速的开关作用。BJT通态压降小、载流能力大，但驱动电流小，MOSFET驱动功率小、快关速度快，但导通

52、压降大、载流密度小。IGBT可以等效为MOS管和BJT管的复合器件，在保留MOS管优点的同时增加了载流能力和抗压能力，自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，成为电力电子领域中最重要的功率开关器件之一，在6500V以下的大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET器件。第四章 建筑工程技术方案一、 项目工程设计总体要求（一）总图布置原则1、强调“以人为本”的设计思想，处理好人与建筑、人与环境、人与交通、人与空间以及人与人之间的关系。从总体上统筹考虑建筑、道路、绿化空间之间的和谐，创造一个宜于生产的环境空间。2、合理配置自然资源，优化用地结构，配套建设各项目设施。3、工程内容、建筑面

53、积和建筑结构应适应工艺布置要求，满足生产使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地质条件，合理改造利用地形，减少土石方工程量，重视保护生态环境，增强景观效果。5、工程方案在满足使用功能、确保质量的前提下，力求降低造价，节约建设资金。6、建筑风格与区域建筑风格吻合，与周边各建筑色彩协调一致。7、贯彻环保、安全、卫生、绿化、消防、节能、节约用地的设计原则。（二）总体规划原则1、总平面布置的指导原则是合理布局，节约用地，适当预留发展余地。厂区布置工艺物料流向顺畅，道路、管网连接顺畅。建筑物布局按建筑设计防火规范进行，满足生产、交通、防火的各种要求。2、本项目总图布置按功能分区，分为生产区、动力区和办

54、公生活区。既满足生产工艺要求，又能美化环境。3、按照厂区整体规划，厂区围墙采用铁艺围墙。全厂设计两个出入口，厂区道路为环形，主干道宽度为9m，次干道宽度为6m，联系各出入口形成顺畅的运输和消防通道。4、本项目在厂区内道路两旁，建（构）筑物周围充分进行绿化，并在厂区空地及入口处重点绿化，种植适宜生长的树木和花卉，创造文明生产环境。二、 建设方案（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用

55、C30级，基础混凝土垫层为C15级，基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、埋件钢板采用Q235钢、Q345钢，吊钩用HPB235。4、钢材连接所用焊条及方式按相应标准及规范要求。（三）隔墙、围护墙材料本工程框架结构的填充墙采用符合环境保护和节能要求的砌体材料（多孔砖），材料强度均应符合GB50003规范要求：多孔砖强度MU10.00，砂浆强度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土

56、保护层1、水泥选用标准：水泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建（构）筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂。2、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）规定执行。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积55279.31，其中：生产工程35199.98，仓储工程8008.50，行政办公及生活服务设施6172.99，公共工程5897.84。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程11391.5835199.984586.661.11#生产车间3417.4710559.991376.001.22#生产车间2